文章探讨24V电源路径设计,需整合MOSFET、二极管及电容。设计重点在于处理浪涌、反向极性及浪涌电流。
技术趋势更新,无直接供需影响。
BEOL集成磁技术通过在CMOS晶圆上沉积磁薄膜和导电绕组,将无源元件嵌入半导体制造工艺。该技术利用标准金属互连步骤和低温沉积工艺,制造平面螺旋或环形微型电感器,减少寄生电阻和电感。
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感,提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术,但当前对现货价格影响中性,属于研发里程碑。
三菱电机成功验证了世界最小级别的SiC MOSFET AC特性变化。该技术突破旨在提升功率器件的开关性能与效率。
技术里程碑对当前现货价格无直接影响,属研发范畴。
三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元,多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体,旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。
长期功率半导体需求增长,但当前现货价格无直接影响。
SiC MOSFET的SiO2/SiC界面存在碳残留、氧空位及界面态密度缺陷,导致阈值电压不稳定。这是材料物理层面的技术探讨,不涉及供需或价格变动。
高k栅极氧化层技术能显著提升1200V垂直GaN器件的性能与热管理能力。该技术旨在解决横向GaN器件在高压应用中的电阻与散热瓶颈,以应对SiC和IGBT的竞争。
该技术属于长期研发趋势,对当前现货市场供需及价格无直接影响。
SK keyfoundry完成450-2300V SiC平面MOSFET工艺平台开发。此举旨在争夺下一代化合物功率半导体代工市场。
此为技术研发里程碑,对当前现货交易无直接供需或价格影响。
Navitas与EPFL在APEC展示250kW固态变压器平台,采用单级桥式整流拓扑。该系统旨在支持AI数据中心800V直流架构,使用3.3kV和1.2kV GeneSiC器件。
该技术验证了高功率SiC器件在AI数据中心的应用潜力,但属于研发展示,短期供需无实质影响。
英飞凌推出基于沟槽的碳化硅超结技术概念,其CoolSiC产品线电压覆盖400V至3.3kV。该技术基于其在硅基CoolMOS和碳化硅沟槽MOSFET领域的积累。
此为技术研发进展,未提及产能、价格或供应变化,对现有碳化硅元件交易无直接影响。
日本Novel Crystal Technology公司研发出氧化镓垂直MOSFET,其功率优值(PFOM)达1.23GW/cm²,较此前记录提升3.2倍。该成果在2025年日本应用物理学会春季会议上发布,属于宽禁带半导体材料领域的研发突破。
此为远期技术里程碑,对当前功率器件现货市场的供需与价格无直接影响。
X-FAB推出新一代XSICM03碳化硅工艺平台,宣称通过缩小单元间距提升晶圆产出和导通电阻。该技术来自一家模拟/MEMS特色代工厂,并非主流碳化硅功率器件量产商。
此项研发进展对现货市场交易的碳化硅元件供需及价格无直接影响。
英飞凌因开发3300V垂直沟槽SiC MOSFET获德国未来奖提名。该技术为工业与能源应用的高压功率器件研发里程碑。
此为长期技术成果认可,对当前现货供应、需求及价格无直接影响。
英国与瑞士政府联合资助26个项目,总额达780万英镑与910万瑞士法郎,其中包括一项研发ALD氧化物SiC MOSFET栅极技术的项目。该资助源于两国2022年签署的合作备忘录,旨在强化新兴技术领域的联合研发能力。
此为长期研发里程碑,对当前SiC MOSFET的供应、价格及库存无直接影响。
纳微半导体与Plexim合作发布GeneSiC G3碳化硅MOSFET及第五代MPS二极管的PLECS热损耗模型。此举旨在通过更精确的系统仿真加速客户电源产品的设计上市流程。
此为设计工具更新,虽可能提升特定元件采用率,但对当前现货供应、库存及价格无直接影响。
英国航天局向IceMOS技术公司提供30万英镑资金,用于开发采用SiC工程漏极衬底的抗辐射高压功率MOSFET。该项目属于旨在加速英国太空探索供应链的STEP计划。
/利空/关注: 中性。此为长期研发项目,对当前商业半导体供应、价格及交易决策无直接影响。
东芝电子器件及存储公司发布新型SiC MOSFET技术,采用棋盘格嵌入式肖特基势垒二极管设计,将导通电阻降低约20%。该技术旨在提升功率半导体器件的能效与可靠性,属于研发阶段成果。
/利多/关注: 中性。此为远期技术进展,未涉及产能、停产或具体产品上市计划,对当前现货交易无直接影响。
Novel Crystal Technology在日本学术会议上报告了首个击穿电压1kV、阈值电压6V的氧化镓倒置DI-MOS晶体管。该成果源于公司自2019年参与的日本国家安全技术研究促进基金项目。
此为纯粹的研发进展,对现有功率半导体元件的商业供应、需求及价格无即时影响。
Clas-SiC验证了牛津仪器无接触SiC等离子体抛光方案,并已用于1200V MOSFET器件生产。该技术旨在取代传统CMP工艺,以提升良率并降低成本。
此为长期工艺改进,对当前SiC组件供应、价格及交易库存无直接影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |