NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
Novel Crystal首发1kV氧化镓倒置DI-MOS晶体管
Novel Crystal Technology在日本学术会议上报告了首个击穿电压1kV、阈值电压6V的氧化镓倒置DI-MOS晶体管。该成果源于公司自2019年参与的日本国家安全技术研究促进基金项目。中性：此为纯粹的研发进展，对现有功率半导体元件的商业供应、需求及价格无即时影响。
Gallium Oxide (β-Ga2O3) Power Devices
R&Dpower-semiconductorswide-bandgap
来源：Semiconductor Today · 2022/9/28 · 查看原始来源
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