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SK keyfoundry发布450-2300V SiC MOSFET工艺平台

SK keyfoundry完成450-2300V SiC平面MOSFET工艺平台开发。此举旨在争夺下一代化合物功率半导体代工市场。中性:此为技术研发里程碑,对当前现货交易无直接供需或价格影响。

SiC MOSFET
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来源:Semiconductor Today · 2026/3/11 · 查看原始来源

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