NuAxi半导体贸易情报
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英飞凌发布碳化硅超结技术，覆盖3.3kV应用
英飞凌推出基于沟槽的碳化硅超结技术概念，其CoolSiC产品线电压覆盖400V至3.3kV。该技术基于其在硅基CoolMOS和碳化硅沟槽MOSFET领域的积累。中性：此为技术研发进展，未提及产能、价格或供应变化，对现有碳化硅元件交易无直接影响。
SiC MOSFET
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来源：Semiconductor Today · 2025/5/6 · 查看原始来源
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