NuAxi半导体贸易情报
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Fraunhofer展示500kW/l SiC逆变器
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感，提升功率密度和热性能。利多SiC功率器件封装技术，但当前对现货价格影响中性，属于研发里程碑。
SiC MOSFETsPower Modules
technicalpackagingSiCR&D
来源：Power Electronics News · 2026/6/23 · 查看原始来源
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