东芝发布新型SiC MOSFET技术，导通电阻降20%

东芝电子器件及存储公司发布新型SiC MOSFET技术，采用棋盘格嵌入式肖特基势垒二极管设计，将导通电阻降低约20%。该技术旨在提升功率半导体器件的能效与可靠性，属于研发阶段成果。利空/利多/关注: 中性。此为远期技术进展，未涉及产能、停产或具体产品上市计划，对当前现货交易无直接影响。

来源：Semiconductor Today · 2022/12/9 · 查看原始来源