NuAxi半导体贸易情报
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英飞凌3300V SiC MOSFET获德国创新奖提名
英飞凌因开发3300V垂直沟槽SiC MOSFET获德国未来奖提名。该技术为工业与能源应用的高压功率器件研发里程碑。中性：此为长期技术成果认可，对当前现货供应、需求及价格无直接影响。
SiC MOSFET
R&DSiCpower-semiconductors
来源：Semiconductor Today · 2024/9/11 · 查看原始来源
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