10Certus为GF 12nm节点推两款I/O库
Certus半导体在DAC 2026上宣布为GlobalFoundries 12LP和12LP+工艺推出两款新I/O库，涵盖商业SoC及辐射加固应用。该库针对SoC、ASIC及FPGA设计，预计今年可流片。利多Certus半导体IP业务，但对整体硅晶圆及元器件现货市场影响中性。
按 Enter 立即搜索快讯
Certus半导体在DAC 2026上宣布为GlobalFoundries 12LP和12LP+工艺推出两款新I/O库，涵盖商业SoC及辐射加固应用。该库针对SoC、ASIC及FPGA设计，预计今年可流片。利多Certus半导体IP业务，但对整体硅晶圆及元器件现货市场影响中性。
PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。利多。硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。
韩日研究人员提出V-Die与MOSAIC架构，将DRAM垂直放置以解决HBM散热问题。V-Die通过液冷将互连提升4倍并降低37%延迟，MOSAIC则利用感应耦合提升30%容量与3倍热导率。中性：该技术目前仍处于原型阶段，对现货价格无直接影响。
东方算芯推出14nm AI芯片，带宽达6.4TB/s。该产品声称无需先进节点或HBM即可超越H200。关注：新竞争产品可能影响高端AI芯片需求格局。
美银报告指出SK海力士到2028年可能仅能实现计划新增内存产能的六分之一。受基建延迟及老旧产线关停影响，韩国2030年存储容量翻倍目标面临阻碍。利多。供应短缺预期强化，加剧价格上行压力及反垄断诉讼风险。
Intel计划开发XBM和ZAM以挑战HBM主导地位，目标2030年商业化。尽管面临生态系统壁垒，但并行开发表明其决心。关注：该技术趋势对当前供需无直接影响。
美光承诺向GlobalWafers德州工厂投资5亿美元以确保300mm晶圆供应，并将2035年前美国支出上调至2500亿美元。此举旨在解决关键原材料短缺问题，并实现40%的DRAM产能本土化。利多：长期供应链安全得到保障，先进制程产能瓶颈风险降低。
融通先进制造二季度规模增至4.95亿元，重仓股大换血，减仓光通信加仓PCB与算力芯片。基金经理关注量价齐升环节，增配PCB上游、半导体及AI算力核心，中际旭创持仓降至7.29%。利多PCB及半导体板块，资金由光通信向服务器、存储及核心芯片扩散。
摩根士丹利预测2027年全球CoWoS需求将达268.2万片，两年翻倍。英伟达份额下降至45%，AMD、博通及联发科需求激增，竞争格局多元化。利多先进封装产能紧缺，台积电及相关封测厂议价能力增强。
台积电凭借博通和英伟达的CPO产品已实现出货，而三星的2.xD封装方案尚处于研发阶段。功耗压力推动光学I/O向封装内部迁移，台积电在交换机CPO领域占据先机，三星则试图通过垂直整合HBM、逻辑芯片与硅光芯片实现弯道超车。关注：目前订单落地是检验胜负的唯一标准，市场正密切关注三星是否能获得具名客户的设计订单。
SK海力士CEO预测2027年为最差年份，短缺将持续至2030年。AI数据中心需求激增及HBM产能紧缺是主因。利多，供需缺口扩大，价格维持高位。
SK海力士通过美国上市筹集265亿美元，首日股价飙升13%。市场押注AI需求将重塑存储周期，推动HBM及传统存储短缺，客户签订长期协议。利多：产能扩张与长期协议支撑价格，但需警惕AI泡沫破裂风险。
苹果削减iPhone 17标准版产能三分之一，因存储芯片和3nm代工成本飙升。三星与SK海力士将产能转向HBM，导致手机端DRAM与NAND紧缺。利多存储芯片与晶圆代工板块。
SK海力士美股上市首日大涨15%，市值达1.25万亿美元。凭借56.4%的HBM市场份额及英伟达深度配套优势，其市值反超美光。利多，美光股价下跌2.25%。
SK海力士ADR在纳斯达克上市，预发行交易价格涨至180美元，较发行价上涨21%。此次募资265亿美元创外企赴美IPO纪录，主要受投资者对AI高带宽存储器（HBM）需求的驱动。利多，表明市场对HBM领域龙头地位及AI存储需求的强烈看好。
TrendForce预测GPT Token容量将从2022年的4,096激增至2025年的约100万。这一增长迫使HBM与LPDDR、NMC及SOCAMM进行异构集成以应对AI算力需求。利多HBM及异构集成技术需求，推动存储芯片供应链扩产。
三星电子预计Q2利润同比暴涨18倍至580亿美元，受DRAM和NAND价格周环比上涨40%和50%驱动。利多存储现货价格。
A股半导体产业链回调，兆易创新跌超7%，晶合集成、中船特气跌超10%。港股半导体分化，中芯国际上涨，但AI大模型股如智谱、MiniMax跌超10%。利空。板块回调，尽管美光宣布巨额投资和华为启动NPO项目带来潜在长期利好。
长鑫存储启动科创板IPO募资295亿元，用于升级17nm产线、扩产DDR5及研发HBM。资金将重点投向AI服务器和高性能计算领域。利空。产能扩张将增加市场供应，对DDR5及HBM价格形成压制。
预计2026年预算智能手机出货量将暴跌22%，内存成本占低端机型BOM比例高达64%。SK海力士、三星和美光将晶圆产能转向高利润的HBM，导致标准内存供应被“饿死”。利空：标准DRAM和NAND闪存价格面临下行压力，预算手机需求萎缩将加剧库存积压。