NuAxi半导体贸易情报
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SiC MOSFET界面缺陷分析
SiC MOSFET的SiO2/SiC界面存在碳残留、氧空位及界面态密度缺陷，导致阈值电压不稳定。这是材料物理层面的技术探讨，不涉及供需或价格变动。
SiC MOSFETsSiC Power Transistors
SiCReliabilityInterfacePhysics
来源：Power Electronics News · 2026/4/3 · 查看原始来源
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