NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
NCT氧化镓MOSFET功率优值创纪录，提升3.2倍
日本Novel Crystal Technology公司研发出氧化镓垂直MOSFET，其功率优值(PFOM)达1.23GW/cm²，较此前记录提升3.2倍。该成果在2025年日本应用物理学会春季会议上发布，属于宽禁带半导体材料领域的研发突破。中性：此为远期技术里程碑，对当前功率器件现货市场的供需与价格无直接影响。
Gallium Oxide (β-Ga2O3) MOSFETWide Bandgap Semiconductors
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来源：Semiconductor Today · 2025/4/28 · 查看原始来源
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