NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：12/100
Clas-SiC验证牛津仪器SiC等离子抛光方案
Clas-SiC验证了牛津仪器无接触SiC等离子体抛光方案，并已用于1200V MOSFET器件生产。该技术旨在取代传统CMP工艺，以提升良率并降低成本。中性：此为长期工艺改进，对当前SiC组件供应、价格及交易库存无直接影响。
SiC Epitaxial WafersSiC Power Semiconductors
manufacturing-yieldprocess-technologySiC
来源：Semiconductor Today · 2022/9/8 · 查看原始来源
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