NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
高k栅极氧化层提升1200V垂直GaN性能
高k栅极氧化层技术能显著提升1200V垂直GaN器件的性能与热管理能力。该技术旨在解决横向GaN器件在高压应用中的电阻与散热瓶颈，以应对SiC和IGBT的竞争。关注：该技术属于长期研发趋势，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
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来源：Power Electronics News · 2026/3/23 · 查看原始来源
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