NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
英航天局资助IceMOS开发30万英镑太空用MOSFET
英国航天局向IceMOS技术公司提供30万英镑资金，用于开发采用SiC工程漏极衬底的抗辐射高压功率MOSFET。该项目属于旨在加速英国太空探索供应链的STEP计划。利多/利空/关注: 中性。此为长期研发项目，对当前商业半导体供应、价格及交易决策无直接影响。
Radiation-Tolerant Power MOSFET
R&Dspacefunding
来源：Semiconductor Today · 2023/6/15 · 查看原始来源
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