98PSMCDRAM代工价7月上调45%，Q2营收增27%
PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。利多。硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。
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PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。利多。硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。
德国初创公司NexiGO获200万欧元融资研发氧化镓功率半导体，目标是将充电时间缩短至10分钟以内。该技术较碳化硅效率提升10倍，成本仅为四分之一。利多：该技术验证为宽禁带半导体未来应用提供新方向，但短期无供应冲击。
GlobalFoundries VP Sudipto Bose在台北活动上讨论了利用硅光子、GaN和MIPS/ARC实现的“物理AI”。该访谈聚焦于边缘计算领域的技术趋势与架构创新，未涉及具体产能或价格数据。关注未来技术路线图，对当前现货交易影响中性。
Navitas Semiconductor否认Wolfspeed在特拉华州提起的专利侵权指控，表示将坚决辩护并预计胜诉。该诉讼涉及GaN功率IC和SiC技术。关注 - 法律纠纷引入不确定性，但短期内不影响供需基本面。
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN/SiC产品专利。Navitas否认侵权，称产品未侵犯其权利。关注：双方专利战或影响GaN/SiC市场格局。
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利，寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒，而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张，双方在功率半导体领域竞争加剧。关注：若禁令生效，Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
美国ITC确认英诺赛科侵犯英飞凌专利，正式禁止GaN产品进口及销售。此前德国法院已多次判决英诺赛科败诉，此次禁令进一步收紧其全球供应。利多英飞凌GaN业务，利空英诺赛科美国市场出货。
慕尼黑地方法院7月3日裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利，禁止其在德国销售。这是英飞凌赢得的第四起相关裁决，加剧了上海GaN市场的竞争。利多：禁令限制了供应，预计将推高GaN价格。
onsemi副总裁Sam Francis确认与英诺赛科建立垂直GaN与横向GaN合作伙伴关系，并指出欧洲车企SiC采用周期长达24至36个月，显著慢于中国车企的12至18个月。利多. 该合作及中国市场的快速采用预示着GaN与SiC功率器件需求将持续增长。
英飞凌推出EiceDRIVER 2EDL90xG3，支持硅与氮化镓同板设计。该器件采用120V通用封装，旨在简化混合功率电路布局。关注：技术趋势利好氮化镓生态，但短期对现货价格无直接影响。
慕尼黑地方法院裁定英飞凌胜诉，禁止英诺赛科在德国制造及销售侵权GaN产品。这是英诺赛科在德美系列专利诉讼中的第三、四次败诉。利多英飞凌GaN业务，利空英诺赛科德国市场准入。
英特尔CEO陈立武宣布投资一家金刚石晶圆公司，旨在利用合成金刚石优异的导热性能。此举是英特尔布局玻璃基板、氮化镓等新材料以突破物理极限的一部分。关注先进封装与散热材料的技术路线图。
MIT开发出GaN单晶金刚石热管理技术，实现创纪录功率放大器性能。该技术利用金刚石高导热性解决高功率芯片散热难题。关注：该研发突破为GaN长期性能提升提供新路径，暂无现货供应影响。
慕尼黑地方法院裁定Innoscience当前GaN功率器件不侵犯Infineon德国专利。该裁决与上月美国ITC判决一致，仅针对已停产的旧款产品。利多，确认Innoscience核心产品全球市场准入无虞，供应风险解除。
MIT研究人员将GaN晶体管嵌入单晶钻石层以解决热瓶颈。该技术发表于IEEE IMS 2026，通过异构集成消除寄生电容，提升6G及卫星通信系统可靠性。中性。这是长期技术突破，目前无明确的供需或价格影响。
慕尼黑地方法院判决Infineon胜诉Innoscience，涉及GaN技术专利及实用新型侵权。Infineon借此巩固其在氮化镓领域的市场地位，Innoscience面临法律压力。关注后续禁令风险及GaN供应链格局变动。
英特尔CEO陈立武指出先进封装是瓶颈，将重点投资氮化镓、碳化硅等新材料。这是解决摩尔定律放缓的关键战略方向。利多关注相关材料厂商的长期研发与扩产预期。
TrendForce指出，中国“大基金”及地方政府的第三代半导体补贴规模远超韩国的49.4亿美元R&D计划。在AI数据中心对功率半导体需求激增的背景下，中国供应商在SiC和GaN技术上取得进展，挑战了现有IDM。利空：大规模政府补贴可能引发产能扩张和价格竞争，迫使新进入者寻求下一代技术。
中国最高法院裁定英飞凌侵犯专利，禁止其在华销售GaN芯片。双方均为英伟达800V AI电源供应商，此前在美欧中多地展开专利诉讼。利多：中国GaN市场供应格局重塑，英飞凌面临断供风险，价格看涨。
罗姆半导体集结技术人员，计划2027年实现GaN内部制造以克服TSMC撤退逆风。此举旨在提升供应链自主性。利空GaN供应前景。