SiC开发推进300mm化及EV采用
文章指出SiC开发与实施正在推进，重点在于300mm化及下一代EV采用。这反映了行业向更大晶圆尺寸和电动汽车应用的转变。
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SiC供应链技术趋势，短期价格影响中性。
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文章指出SiC开发与实施正在推进，重点在于300mm化及下一代EV采用。这反映了行业向更大晶圆尺寸和电动汽车应用的转变。
SiC供应链技术趋势，短期价格影响中性。
imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构，验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
关注：该技术路线图将二维半导体推向后硅时代，但预计 2041 年前难以量产。
imec、ASML与TSMC在300mm晶圆上成功集成互补2D晶体管，实现50nm节距。该成果利用EUV光刻技术打印28nm栅极，94%器件正常工作，是2D材料集成的重要里程碑。
该技术突破属于长期研发进展，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
AlixLabs的APS技术已与英特尔和联电合作演示，宣称可在无需EUV光刻下实现3nm级图形化，单层掩模成本或降低40%。该技术旨在为先进制程提供一种成本更低的替代性图形化路径，但仍处于研发与设备验证阶段。
此为远期技术路线探索，对当前晶圆产能、价格及采购决策无直接影响。
日本晶圆代工新创企业Rapidus计划于2027年下半年在北海道启动2nm芯片量产，其IIM-1工厂已开始试产。该公司同时发展先进封装技术，旨在与台积电、三星和英特尔竞争。
/利空/关注: 关注。此为长期技术研发进展，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
英特尔代工服务发布19微米厚GaN芯粒，单片集成功率晶体管与硅基数字逻辑，耐压78V，射频截止频率超300GHz。该技术基于300mm硅基氮化镓工艺，旨在突破硅基器件在高功率/高频场景的物理极限。
/利多/关注: 中性——此为远期研发里程碑，对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
英特尔代工在IEDM 2025展示全球最薄GaN芯片，硅基底厚度仅19μm，并在300mm硅晶圆上实现GaN与数字电路的单片集成。该技术旨在提升电源芯片和射频前端的功率密度与集成度。
此为远期工艺研发里程碑，对当前GaN元件供应、价格及交易决策无直接影响。
台积电COUPE硅光平台目标2026年量产，三星晶圆代工计划2027年推出光引擎、2029年提供CPO交钥匙服务。背景是GPU互连需求推动光传输技术发展，两家代工厂竞相布局。
/利多/关注: 中性，此为远期技术路线图，对当前电子元件交易无直接影响。
研究机构imec在其比利时鲁汶工厂安装了ASML最先进的EXE:5200高数值孔径EUV光刻系统。此举是imec与ASML战略合作的一部分，旨在为2纳米以下逻辑与存储技术研发提供平台。
/利多/关注：中性，此为长期研发里程碑，对当前电子元件供应、价格及交易决策无直接影响。
法国CEA-Leti与初创公司NcodiN合作，旨在将其光学中介层技术工业化于300mm硅光平台上。该合作针对未来AI互连的高带宽需求，属于长期研发项目。
/利多/关注: 中性。此为商业化前的技术合作，对当前元器件供应、价格及采购决策无直接影响。
Wolfspeed宣布其300mm碳化硅技术平台或可为本十年末的先进AI/HPC异构封装提供基础材料。此举旨在将碳化硅定位为高密度封装领域的潜在衬底技术。
此为远期研发路线图，对当前供应链及现货价格无直接影响。
Wolfspeed宣布其300mm碳化硅技术平台或于本年代末成为先进AI/HPC异构封装的基础材料。此为远期研发里程碑，对当前SiC衬底供应链及价格无直接影响。
/利多/关注: 中性，此为前瞻性技术发布，对电子元件交易无直接或近期影响。
设备商Genesem将在2026年Semicon Korea展会展示其HBM及混合键合设备，并设定今年营收目标为900亿韩元。该公司改造了真空贴片机和晶粒重组设备以适配混合键合工艺，并因英伟达等客户要求增加最终测试环节，其PKG分选机需求上升。
/利空/关注: 中性。此为远期技术展示与产能铺垫，对当前HBM现货供应、价格及交易决策无直接影响。
Veeco与imec联合开发了300mm晶圆兼容的钛酸钡集成硅光平台制造工艺。该研发旨在提升未来数据中心与电信光调制器的性能。
此为长期工艺研发里程碑，对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
ALLOS与Ennostar达成战略合作，将200mm硅基氮化镓LED外延片投入微LED量产。该合作旨在为微LED产品建立兼容硅晶圆厂的供应链。
此为长期研发与产能爬坡里程碑，对当前主流组件的交易价格与供应无直接影响。
Wolfspeed宣布生产出单晶300mm碳化硅晶圆，这是其向更大尺寸晶圆技术过渡的研发里程碑。该进展基于其超过2300项全球专利组合，旨在为未来大规模商业化铺平道路。
此为远期产能规划的技术准备，对当前碳化硅器件供应、现货价格及交易策略无直接影响。
Coherent公司将其碳化硅平台从200mm晶圆升级至300mm。此举旨在满足数据中心对更高功率密度和热管理的需求。
更大尺寸晶圆将提升碳化硅衬底的潜在供应量和制造效率，可能对远期价格构成压力。
imec在Shin-Etsu Chemical的300mm QST基板上测试出GaN HEMT器件击穿电压超过650V的新纪录。这是针对5µm厚器件的样品评估，旨在推动GaN功率器件的技术进步。
该技术突破为GaN功率器件发展提供新方向，但当前尚处于样品评估阶段，对现货市场影响有限。
Tower半导体将300mm晶圆键合技术扩展至硅光子与SiGe BiCMOS工艺。该技术原用于堆叠BSI图像传感器，现支持异构3D-IC集成。
技术能力提升，利好高端模拟与光电芯片长期产能规划。
比利时imec联合AIXTRON、格芯等五家公司启动300mm氮化镓开放创新计划，旨在开发高低压功率器件。该计划通过采用更大尺寸晶圆，以降低GaN-on-Si技术的制造成本。
此为长期研发里程碑，对当前GaN器件供应、价格及库存无直接影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |