Shin-Etsu QST基板助GaN击穿电压超650V

imec在Shin-Etsu Chemical的300mm QST基板上测试出GaN HEMT器件击穿电压超过650V的新纪录。这是针对5µm厚器件的样品评估，旨在推动GaN功率器件的技术进步。关注：该技术突破为GaN功率器件发展提供新方向，但当前尚处于样品评估阶段，对现货市场影响有限。

来源：Semiconductor Today · 2025/11/17 · 查看原始来源