NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：12/100
英特尔展示19μm基底GaN芯片工艺
英特尔代工在IEDM 2025展示全球最薄GaN芯片，硅基底厚度仅19μm，并在300mm硅晶圆上实现GaN与数字电路的单片集成。该技术旨在提升电源芯片和射频前端的功率密度与集成度。中性：此为远期工艺研发里程碑，对当前GaN元件供应、价格及交易决策无直接影响。
GaN Power ICsRF Front-End Modules
R&D milestoneprocess technologyGaN-on-Si
来源：cnBeta · 2026/4/9 · 查看原始来源
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