NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
英特尔发布19微米GaN芯粒技术
英特尔代工服务发布19微米厚GaN芯粒，单片集成功率晶体管与硅基数字逻辑，耐压78V，射频截止频率超300GHz。该技术基于300mm硅基氮化镓工艺，旨在突破硅基器件在高功率/高频场景的物理极限。利空/利多/关注: 中性——此为远期研发里程碑，对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
GaN Power Transistors
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来源：TrendForce · 2026/4/13 · 查看原始来源
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