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长鑫存储

NuAxi 汇总提及长鑫存储的公开快讯：产品发布、产能与价格信号、供应链变化，持续更新。

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最新快讯

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10月29日 周四

  1. 影响评分 60

    CXMT预计在未来两个月内（年底前）启动首款HBM3E存储器量产，目前仍面临良率挑战

    据Reuters独家报道，长鑫存储（CXMT）预计将在未来两个月内开始其首款HBM存储器（HBM3E形态）的量产，即年底前正式启动。CXMT已于8月开始HBM3E存储器的风险生产，但至今仍在应对HBM3E模组良率问题，据最新报道情况依然类似。良率挑战源于其所采用硅通孔（TSV）技术的不成熟：前端制造良率约30%，后端加工在此基础上再增加约70%。据报道，CXMT尝试在每层仅使用3,000个TSV实现HBM3E，并试图在常规8层HBM3E配置中封装8层（对比三星在HBM2上每层约5,000个TSV、SK hynix在HBM3上每层超过8,000个TSV）。鉴于这些挑战，该公司在解决工程问题期间，短期内不太可能转向更高容量的12层HBM。JEDEC官方HBM3E数据显示位宽1,024-bit，速度每引脚9.2 Gbps至12.4 Gbps，多数标准配置目标为每引脚9.6 Gbps，总带宽约1.2 TB/s，容量从采用8层堆叠的24 GB到采用12层24 Gb裸片堆叠的36 GB不等。量产为预期计划，尚未确认已实现。

    HBM3ECXMTTechPowerUp产能变化

10月28日 周三

  1. 影响评分 60

    据报道：CXMT在HBM3E良率仅20-30%（SK hynix为70%）的情况下计划2个月内限量生产，样品已送交国内AI芯片厂商

    据RT NEWS报道，CXMT在HBM3E良率仅20-30%（相较之下SK hynix良率为70%）的情况下，据报道计划在2个月内进行限量生产，且样品已送交国内AI芯片厂商。原文未说明原因。该生产计划属于报道中的计划事项，尚未证实已实现量产。

    HBM3ECXMTTrendForce Official (Market Data)产能变化
  2. 影响评分 55

    据报道CXMT优先满足中国国内需求，婉拒苹果的DRAM采购询价

    据报道，CXMT已婉拒苹果关于采购DRAM的询价，转而优先向中国国内客户供应。原文同时提及，随着全球存储器供应趋紧、价格上涨，该中国存储器厂商的产能分配以及各公司确保供应的努力受到关注。此事件为媒体报道（reportedly），是否属实未经证实。

    DRAMCXMT、AppleDigiTimes Asia
  3. 影响评分 60

    据报道CXMT在良率仅20–30%的情况下送出HBM3E样品，并计划于两个月内开始小批量生产

    据路透社2026年10月28日报道，消息人士称CXMT的HBM3E良率目前仅为20%至30%，远低于SK hynix约70%的水平；CXMT已向多家国内AI芯片设计公司交付HBM3E样品，并预计在未来两个月内开始小批量生产（计划，尚未实现）。公司向客户提供两个版本：标准版和改进良率的修订版。由于大量芯片需报废或返工，低良率预计使CXMT的HBM3E生产成本高于海外竞争对手。据报道CXMT最早于2024年内部启动HBM技术开发。路透社测试显示，CXMT的HBM3E性能更接近SK hynix上一代HBM3而非HBM3E，凸显与SK hynix、三星电子和美光的技术差距。报道同时指出，中国AI芯片厂商面临先进存储短缺：路透社9月报道称华为、寒武纪、沐曦和天数智芯已将现款及下一代AI芯片价格上调20%至50%；并依赖昂贵的灰色市场HBM。据Seoul Economic Daily 9月援引The Information报道，阿里巴巴旗下平头哥和寒武纪据称正在测试该存储；若开发按计划推进，采用CXMT HBM3E的产品最早可能于2027年上市。据南方都市报，CXMT管理层在9月投资者会议上未直接回应相关问题，仅表示将按现有路线图继续开发；有分析师指出，样品虽已交付，但能否满足国内客户要求以及何时实现稳定量产仍不明朗。

    HBM3EHBM3HBMCXMT、SK hynix 等 8 家TrendForce
  4. 影响评分 55

    SK hynix计划借EUV延续6F² DRAM寿命，继续开发4F²与3D DRAM作为下一代选项；美光暂不采用4F²，CXMT目标2026年底前推出4F²服务器DDR5 RDIMM

    SK hynix在3Q26财报电话会议上表示，计划通过工艺改进和稳定的平台运营最大化现有6F²架构的潜力，同时继续将4F²和3D DRAM作为潜在下一代选项进行开发，采用时点取决于各技术的成熟度与经济性。据News 1报道，SK hynix DRAM营销负责人朴俊德表示，EUV光刻和工艺微缩的进展为延长6F²平台寿命提供了进一步空间，并强调新单元架构的商业化需要跨越良率、可靠性、成本、产品设计和客户验证等门槛。相比之下，美光目前排除采用4F² DRAM，称该技术“目前不在路线图上”；美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，20多年的研究未能找到可持续的微缩路径，4F²结构虽技术上可行，但工艺复杂性和更高的制造成本限制了其实际效益。另据Chosun Biz报道，三星电子正在开发基于垂直沟道晶体管（VCT）的4F²架构，三星设备解决方案（DS）部门总裁兼CTO宋在爀于10月14日在首尔SEDEX 2026上确认了该开发工作。此外，中国的长鑫存储（CXMT）正推进4F²商业化计划，目标在2026年底前推出首款基于4F²的服务器DDR5 RDIMM模组。SK hynix亦在7月与VLSI 2026相关的研究博客中，将4F²垂直栅极（VG）DRAM定位为延续10nm以下节点微缩的路径。

    DRAM6F² DRAM4F² DRAMSK hynix、Micron 等 4 家TrendForce

10月24日 周六

  1. 影响评分 55

    美光研究4F² DRAM逾20年仍未采用，称密度优势近乎神话、电容间距决定位密度；CXMT（10月10日）与三星（CTO，10月14日）仍在推进，美光计划2H27量产1δ

    据TrendForce转发的消息，美光已研究4F² DRAM超过20年，但至今仍未采用，其理由是4F²的密度优势近乎神话，电容间距（capacitor pitch）才是决定位密度的因素。与之相对，CXMT（10月10日）和三星（CTO，10月14日）仍在推进4F² DRAM；美光则计划于2H27量产（ramp）1δ。上述均为原转述内容，量产计划为计划性质，尚未实现。

    4F² DRAM1δ DRAMMicron、CXMT 等 3 家TrendForce Official (Market Data)

10月23日 周五

  1. 影响评分 10

    中国无EUV也能造先进芯片，但DUV多重曝光带来更大裸片、更低良率、更长制造时间与更高成本

    一篇2023年10月23日发布的分析文章（注：原文刊载日期为2026年10月23日）指出，出口管制使ASML最先进的EUV光刻机无法进入中国，中国芯片业转而依赖DUV光刻并通过多重曝光生产先进芯片，但代价是更大裸片、更多缺陷、更低良率、更长制造时间和更高成本。Fractilia联合创始人兼CTO Chris Mack称，业内惯常认为193nm浸没式工具三次曝光成本约等于EUV一次曝光，一旦达到四层掩模，EUV就更划算。2023年华为Mate 60 Pro拆解发现其Kirin 9000S由SMIC以无EUV的第二代7nm级工艺制造；对华为Kirin 9030的分析显示SMIC将其基于DUV的工艺进一步逼近5nm级密度，但仍落后于TSMC和三星的领先工艺。摩根士丹利6月报告估计，中国DRAM厂商CXMT每片晶圆产出的比特数仅为西方竞争对手约三分之一，其中旧工艺节点仅占差距约三分之一，光刻设备获取被视作中国存储发展的“硬天花板”。美光1-alpha代芯片在无EUV下开发，被视为DUV可拉伸的例证；其更新的1-gamma DRAM工艺采用EUV，美光称较前代1-beta每片晶圆比特密度提升超过30%。摩根士丹利假设CXMT无EUV将停留在1-alpha工艺，但靠新建产能将其全球DRAM比特供应份额从2026年的14%提升至2028年的16%，并预计中国AI芯片自给率从2025年的42%升至2030年的70%。Mack认为无EUV的3nm或2nm节点在经济上不可行。

    DUV lithographyEUV lithographyDRAMASML、SMIC 等 7 家Tom's Hardware
  2. 影响评分 60

    美光经约二十年研究后放弃4F² DRAM、不将其推向市场，转而押注3D DRAM

    美光决定不将4F² DRAM推向市场，尽管其自称发明了该单元设计并已研究约二十年。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer于10月21日在公司技术网络研讨会上分享了这一决定。在理论上，4F²采用垂直沟道晶体管，与当今DRAM使用的6F²布局相比可将每个存储单元的占位面积缩小约三分之一；但DeBoer认为实际密度受限于电容器的封装密度而非单元占位面积，称其相对6F²的密度优势是'有点神话'。他还表示4F²可以制造，但成本和复杂度更高，且在最先进节点面临根本性的微缩问题，这指向3D DRAM。这使美光与竞争对手立场相左：三星和SK海力士都在开发4F²设计，中国的长鑫存储（CXMT）表示其首款4F²产品将是年底前推出的服务器DDR5 RDIMM。美光将继续微缩6F²，其1-delta节点计划于2027年下半年在爱达荷州博伊斯拉升产能，其后的1-epsilon节点将转向混合键合。3D DRAM作为并行路径在开发中，但尚无时间表，美光表示只有在经济性合理时才会切换。若竞争对手成功实现4F²的规模化低成本生产，这将是一次有风险的押注，尤其按美光自身的估计，2027年和2028年存储供应预计将更加紧张。

    4F² DRAM6F² DRAM3D DRAMMicron、Samsung 等 4 家TechPowerUp停产/EOL

10月22日 周四

  1. 影响评分 55

    美光发布涵盖DRAM、HBM和NAND的存储路线图更新，垂直3D HBM（vHBM）定下2028年量产目标

    美光（Micron）发布一系列存储技术路线图更新，涵盖DRAM、HBM和NAND；其中最受关注的是其垂直3D HBM（vHBM），目前设定的量产目标年份为2028年，此为计划目标而非已实现的量产。同一条推文中还提到，在中国CXMT推进4F² DRAM的同时，美光走相反路线，坚持6F²，并主张仅凭单元架构并不能决定位密度。该信息发布于2026年10月22日上午7:40的推文。

    DRAMHBMNANDMicron、CXMTTrendForce Official (Market Data)
  2. 影响评分 55

    美光不计划将4F² DRAM商业化，称该架构收益有限且增加成本与复杂性，长鑫存储（CXMT）则继续推进该技术

    美光（Micron）不计划将4F² DRAM商业化，其给出的原因是该架构带来的收益有限，同时会增加成本和复杂性；与此同时，中国竞争对手长鑫存储（ChangXin Memory Technologies, CXMT）仍在推进该技术。此为美光方面的计划性表态，不涉及已发生的价格或产量变化。

    4F² DRAM3D DRAMMicron、CXMTDigiTimes Asia

10月21日 周三

  1. 影响评分 58

    长鑫存储下一个DRAM里程碑：2026年底前实现采用混合键合的4F²服务器内存

    中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）的下一个DRAM里程碑为：计划在2026年底前实现采用混合键合（hybrid bonding）技术的4F²服务器内存。在近期一次股东会上，管理层承诺进入其所谓的极端存储微缩'未知领域'，并表示将利用工艺创新来克服技术障碍。该目标为计划性质，原文未说明量产时间表细节以外的进展，也未说明原因或市场影响。

    DRAM4F² server memoryCXMTDigiTimes Asia产能变化
  2. 影响评分 0

    中国十大半导体企业：中芯国际、长鑫存储、华为海思、长电科技、北方华创等上榜

    文章列出十大中国半导体公司：SMIC为中国最大代工厂，2025年营收约93亿美元；CXMT为国内领先DRAM厂商，营收突破80亿美元；华为海思为顶尖芯片设计公司（麒麟、昇腾AI等）；长电科技为中国最大封测厂；北方华创为领先设备商；华虹集团为专注特色/成熟制程的代工厂；长江存储为主要国产3D NAND厂商；韦尔股份为主要图像传感器及模拟/设计企业；通富微电为第二梯队大型封测企业；寒武纪或海光信息分别为领先AI加速器或x86兼容服务器CPU厂商。原文未说明原因，亦无价格变动、产能变化或政策事件。

    SMIC、CXMT 等 11 家Electronics Weekly

10月20日 周二

  1. 影响评分 95

    预计4Q26 DRAM合约价格环比上涨约20%，涨幅较二季度约80%、三季度约40%放缓；AI需求与供给紧张支撑展望

    据Commercial Times报道，尽管涨幅放缓，机构投资者对存储行业长期前景保持乐观，受AI推理需求扩大及成熟存储产品新供给有限的支撑；2026年第四季度DRAM合约价格预计环比上涨约20%。该预计涨幅较第二季度的约80%和第三季度的约40%有所放缓，原因（据报告所述）为比较基数抬高、终端市场购买力减弱以及长期协议（LTA）下的价格上限逐渐生效。CXMT公布其下一代4F² DRAM架构取得进展，机构投资者指出该架构理论上可比主流6F²设计将存储单元面积缩小约33%，但量产仍面临良率、漏电流和数据保持方面的挑战，且该设计适用于整个DRAM单元还是仅特定区域尚不明确，全面商业化普遍预计在2028年之后；MoneyToday指出CXMT的公告尚未显著影响持续上涨的DRAM现货价格。另据Chosun Biz报道，苹果、特斯拉等公司提出在存储成本上升时转向CXMT、YMMT等中国供应商的可能性，但分析师认为鉴于中国供应商在价格竞争力、可用数量和销售市场方面的限制，短期价格压力有限。据Commercial Times，若NVIDIA将Rubin Ultra从12-Hi HBM切换为8-Hi HBM（同时保持每GPU堆栈数量和每DRAM层容量不变），每GPU的HBM容量将下降约33%，而相同的DRAM晶粒供应理论上可多支持50%的GPU；TrendForce指出8-Hi HBM在2027年每Gb成本预计比12-Hi高10–20%。机构投资者认为更大AI模型、更长上下文窗口和增长的KV cache需求正推动对服务器DRAM和企业级SSD的容量与带宽需求。

    DRAMHBMserver DRAMCXMT、NVIDIATrendForce价格波动
  2. 影响评分 55

    CXMT三季度净利润环比增速预计放缓至1–4%，10月31日公布业绩

    在10月31日业绩发布前，CXMT预测2026年前九个月营收为2650亿–2700亿元人民币，同比增长逾七倍；并在10月19日临时股东大会上预计2026年前九个月归属于股东的净利润为1310亿–1325亿元人民币，而去年同期净亏损53亿元人民币。据Eastmoney，其第三季度净利润预计仅环比增长1–4%，达534亿–549亿元人民币，第三季度营收预计为1146.9亿–1196.9亿元，环比增长15.25–20.28%，增速较上半年明显放缓——2Q26净利润翻倍以上达528.4亿元。Eastmoney将放缓归因于DRAM价格涨幅趋缓，可能压缩利润扩张空间。据36Kr，2025年DDR与LPDDR ASP分别同比上涨61%和24.46%，带动营收分别增长515.36%和105.59%；1H26 DDR与LPDDR营收分别达694.7亿元和781.9亿元。同业模块厂Longsys净利润从1Q26的38.6亿元升至2Q26的67.2亿元后，第三季度预计为34.2亿–43.2亿元，环比最多下滑49%。TrendForce预测3Q26常规DRAM合约价环比上涨13–18%、NAND Flash上涨10–15%，并指出创纪录的内存价格正使PC与智能手机客户逼近承受力上限。CXMT称其合肥与北京 fab 产能利用率维持高位、订单满载；目前运营两座合肥12英寸DRAM fab和一座北京fab，每座月产能最高10万片晶圆，并在合肥扩建测试设施、在上海开发新DRAM与HBM产线；1H26折旧费用同比增长27.85%至145.1亿元。业绩前景仍取决于10月31日财报及第四季度DRAM价格走势。

    DRAMDDRLPDDRCXMT、LongsysTrendForce

10月18日 周日

  1. 影响评分 58

    TrendForce：CXMT加速推进4F² DRAM，目标年底推出服务器DDR5 RDIMM（计划中）

    据TrendForce于2026年10月17日发布的消息，CXMT正在加速推进4F² DRAM，目标于年底推出服务器DDR5 RDIMM。原文仅为标题式简讯，未说明技术细节、产能数字、进展程度或原因，该年底发布计划能否实现尚不确定，属计划而非已实现事件。

    4F² DRAMserver DDR5 RDIMMCXMTTrendForce Official (Market Data)产能变化

10月16日 周五

  1. 影响评分 55

    CXMT计划于2026年底前推出DDR5 RDIMM，并披露4F² DRAM架构进展

    中国DRAM厂商CXMT披露了其4F² DRAM架构的进展，并计划在2026年底之前推出DDR5寄存式双列直插内存模组（RDIMMs），这使外界再次关注该国下一代内存技术的发展。原文未说明原因。该计划为规划状态，未报道已实现量产或出货。

    DDR5 RDIMMCXMTDigiTimes Asia

10月14日 周三

  1. 影响评分 0

    ASML对华出货量占系统销售23%

    ASML 2026年第三季度财报显示，对中国的系统销售发货量激增至23%，较上一季度的14%有所增长，成为其系统销售的最强领域之一。中国半导体制造商正急于囤积更多工具。台湾是最大的买家（32%），其次是韩国（31%）。美国正施压荷兰政府完全停止向中国出口工具。CXMT和YMTC已获得足够的DUV光刻工具以支持其未来三年的增长计划。

    shipments to Chinasystem salesASML、Chinese semiconductor manufacturers 等 4 家TechPowerUp库存变动
  2. 影响评分 95

    长鑫公布4F²架构DDR5，全球存储股暴跌

    长鑫存储宣布年底推出4F²架构DDR5 RDIMM，引发全球存储股集体暴跌。韩国SK海力士跌10%，三星跌7%，SOX指数跌3%，市场担忧中国厂商切入高端市场挤压美韩企业利润。

    利空

    中国厂商加速进入高端DRAM领域，将削弱美国及韩国企业的定价能力与毛利率。

    DDR5CXMT、Micron Technology 等 4 家快科技价格波动

10月13日 周二

  1. 影响评分 60

    CXMT总裁曹坤宇称首款4F²服务器DDR5 RDIMM将于年内发布

    CXMT总裁曹坤宇宣布，公司首款4F² DRAM产品将是服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；该宣布在Integrated Chips and Chiplets Conference上周六发表，文章发表于2026年10月13日。该内存采用垂直晶体管将电池占地面积在纸上减少约三分之一，但尚未公布速度或容量。CXMT预计将销售一种仅在三星和SK海力士研究论文中出现的存储单元。原文未说明原因。

    4F² DRAMCXMTTom's Hardware

10月12日 周一

  1. 影响评分 15

    CXMT发力服务器DRAM，目标年底量产DDR5

    CXMT宣布采用4F²架构进军服务器DRAM市场，计划年底量产DDR5 RDIMM。该公司此前专注消费级内存，现瞄准三星和SK海力士主导的高端市场。

    关注

    此举将加剧服务器DRAM市场竞争，长期可能对价格形成压力。

    DDR5RDIMMDRAMCXMT、Samsung Electronics 等 3 家TrendForce Official (Market Data)技术动态