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HBM3E

NuAxi 汇总 HBM3E 相关的公开半导体新闻、产品动态与供应链信号，并按时间持续更新。

已收录 105 条相关快讯

最新动态

10月29日 周四

  1. 影响评分 60

    SK海力士预计内存供应短缺将持续至2030年，已锁定2027–2028年过半产能长期协议并创Q3营收纪录

    SK海力士于2026年10月29日发布消息称，预计内存需求超过供应的状况将持续至2030年。原文说明的原因为：尖端制程在技术上存在困难、新建晶圆厂耗时较长；短期内需求由面向企业和消费者的AI驱动，长期则由自动驾驶和机器人等实体AI驱动。该公司已与14家主要客户（包括大型云服务提供商）签署长期协议，协议通常为期五年，并采用在约定的价格区间内反映市场状况的定价机制，长期协议已覆盖其2027年和2028年超过一半的产能。第三季度公司营收达104.6万亿韩元（约702亿欧元），环比增长32%，同比增长超过四倍，为公司季度营收首次突破100万亿韩元；营业利润达83.3万亿韩元（约559亿欧元），营业利润率80%。增长由服务器DDR5销售大幅增长以及HBM4出货正式开始所推动；NAND方面，面向数据中心的321层TLC eSSD销售增长。SK海力士将于年底前将M15X晶圆厂提升至满产以增加HBM4产量，并预计第四季度HBM4在出货量和营收上均将超过HBM3E；随着龙仁集群第一期明年进入全面运营，投资将显著增加，同时公司表示将灵活调整投资的规模和时机。此外，公司已放弃NAND子公司Solidigm的IPO计划，该上市原本拟为Solidigm的产能扩张筹集外部资金，公司称当前市场状况使其时机不当。

    memoryHBM4HBM3ESK hynix、SolidigmEvertiq
  2. 影响评分 60

    长鑫HBM3E已送样、良率20%至30%，计划未来两个月内启动小批量生产

    据快科技10月29日消息，长鑫存储近日已向国内多家AI芯片设计公司交付HBM3E样品，并计划在未来两个月内启动小批量生产（目前仅为送样与生产计划，尚未量产）。俄媒报道称长鑫HBM3E良率仅为20%至30%（其所谓“80%废品率”），而市场龙头SK海力士的良率约为70%，并称长鑫HBM3E的实际性能更接近SK海力士上一代HBM3产品而非同代HBM3E，在三星和SK海力士主导的HBM竞赛中长鑫处于追赶者位置。由于大量芯片需要报废或返工，其HBM3E生产成本被显著推高，预计售价将高于海外竞争对手的同类产品。背景方面：美国出口管制收紧后，国产AI芯片厂商面临严重的HBM短缺，华为、寒武纪、沐曦等厂商已因存储成本上涨将AI芯片价格上调20%至50%。原文未说明低良率的具体原因；文内关于俄媒态度及“本土供给通道”的表述为评论性内容。

    HBM3EHBM3长鑫存储、华为 等 6 家快科技产能变化
  3. 影响评分 60

    SK海力士创纪录季度业绩出炉：AI热潮推动增长 预计存储器短缺将持续至2030年

    SK海力士公布2026年第三季度财报，在人工智能需求持续爆发的带动下创下历史最佳季度表现：单季营收104.6万亿韩元，首次突破100万亿韩元大关；营业利润83.3万亿韩元，净利润39.8万亿韩元，营业利润率约80%，净利润率约38%。截至第三季度末，公司持有现金及现金等价物114.5万亿韩元（较上一季度增加26.5万亿韩元），借款降至15.8万亿韩元（较前一季度减少2.8万亿韩元），净现金规模增至98.7万亿韩元。面向AI服务器的HBM4销售持续扩大，公司预计下一季度HBM4在出货量和营收贡献上都将超过HBM3E，成为主力产品；服务器DDR5内存销售显著增长，AI服务器用LPDDR5 SOCAMM需求攀升。新建的M15X晶圆厂预计将在今年年底前达到满负荷运转，届时每月产能约5.5万至6万片1b制程DRAM晶圆；下一代1c DRAM技术（应用于LPDDR6产品）占比稳步提升。NAND方面，321层TLC闪存芯片在嵌入式SSD市场销售快速增长，公司预计到今年年底321层产品将占其韩国本土NAND产能一半以上，同时公司正开发面向AI服务器的高带宽闪存HBF。SK海力士在财报中警告，全球存储器供应短缺状况预计将持续至2030年；尽管公司计划加快扩充产能，但新增制造能力投入需要时间，短期内仍难以完全满足市场需求，并认为未来数年需求增长主要来自企业级AI和个人AI应用，中长期自动驾驶和机器人AI应用也将成为重要需求来源。据Counterpoint Research今年9月报告，按营收计SK海力士为全球第二大DRAM制造商，份额约25%；三星电子以38%居首，美光科技以24%列第三。此外，SK海力士CEO郭鲁正回应旗下Solidigm撤回IPO计划的决定，称原推IPO是为筹集外部资金扩大Solidigm生产设施规模以减轻集团投资负担并提升股东回报，但综合评估近期金融市场环境等因素后认为现阶段推进上市难以实现预期目标，因此决定终止相关审查程序。

    存储器HBM4HBM3ESK海力士、三星电子 等 5 家cnBeta
  4. 影响评分 60

    CXMT据报计划投产HBM3E，良率迄今仅20%至30%，因中国国内存储器短缺

    据报，中国领先的DRAM存储器生产商长鑫存储（CXMT）计划开始生产HBM3E，尽管其良率迄今仅达到20%至30%。原文将此归因于中国市场面临的存储器短缺：中国寻求扩大国内产能，同时面临关键设备进口限制。该事件为计划阶段（据报计划），并非已证实投产。

    HBM3EDRAMChangXin Memory Technologies (CXMT)DigiTimes Asia产能变化
  5. 影响评分 88

    SK海力士季度营收首破100万亿韩元，营业利润达83万亿韩元

    SK海力士于10月28日公布，今年第三季度合并营收达104.62万亿韩元，首次突破100万亿韩元，营业利润为83.33万亿韩元，两项数字分别同比增长327.9%和632.1%，环比分别增长31.9%和37.6%，均略超市场一致预期。营业利润率达79.7%，环比提升3.5个百分点；净利润为39.78万亿韩元，同比增长215.7%，但环比下降57.7%。公司将其DRAM业绩归因于第四代高带宽内存（HBM4）出货增加及服务器用DDR5内存销售扩大；NAND业务受321层企业级固态硬盘（eSSD）销售增长及更聚焦数据中心高附加值产品带动而增长。公司已扩大长期供应协议（LTA），锁定覆盖2027年和2028年总产能超过50%的合同，并与包括全球大型云服务商（CSP）在内的14家主要客户签署LTA，同时在讨论将合同期限延长至通常的五年以上。SK海力士预计存储器供应短缺将持续至2030年，认为先进制程技术复杂性提高及新建产线所需时间将维持需求超过供应的市场结构。第四季度公司计划提高第六代10纳米级1c工艺在常规DRAM生产中的占比，扩大面向AI服务器的DDR5及基于LPDDR5的小型压缩附加内存模组（SOCAMM）销售；NAND方面计划将旗舰321层产品占比提升至国内产能的一半以上。为满足激增的HBM需求，公司计划在年底前最大化清州M15X工厂产能并扩大HBM4生产，预计第四季度HBM4将在出货量和营收上超越HBM3E成为主力产品。投资支出预计明年显著增加，包括首家利川（龙仁）工厂开始全面运营。公司还计划向股东返还约100万亿韩元，包括2026财年超过30万亿韩元现金分红和总计60万亿韩元回购注销（含8月公布的40万亿韩元），承诺返还超过50%的自由现金流。10月28日董事会批准第三季度现金分红14万亿韩元及总额20万亿韩元回购，其中10万亿韩元将注销，其余约10万亿韩元用于员工薪酬、不计入股东返还。第三季度每股分红20,000韩元，含反映业绩改善的10,000韩元及分享Kioxia投资收益的10,000韩元特别分红。

    DRAMHBM4DDR5SK hynixThe Elec
  6. 影响评分 65

    SK海力士三季度营业利润同比增七倍至83.33万亿韩元，称存储芯片供应短缺将持续至2030年，DRAM和HBM产能已售罄至2029年

    SK海力士公布三季度业绩：营收首次突破100万亿韩元，营业利润同比增七倍至83.33万亿韩元，传统DRAM和NAND齐涨20%成为盈利主引擎，但净利润意外不及预期，巨额分红特含铠侠投资收益；公司宣布约100万亿韩元股东回报，并表示存储芯片供应短缺将持续至2030年。电话会上称，得益于锁定总产能超50%的长期协议（LTA），公司到2029年之前的DRAM和HBM产能已"实质性售罄"，已锁定14家大客户未来两年超半数产能，明年资本开支将"大幅增加"，HBM4将在四季度超越HBM3E成为绝对主力；部分客户（传闻是英伟达）HBM从12层降8层，公司表示这并不影响盈利。公司同时警告持续涨价或将反噬PC与手机终端需求。另据韩国《每日经济》10月27日报道，阿里巴巴、腾讯、字节跳动三家中国云服务商已主动接触三星电子和SK海力士寻求DRAM长期供应合同，部分客户提出的合同期限长达10年、要求供应至2035年，远超行业通常的3至5年惯例，品类从服务器DDR延伸至LPDDR；三星已与全球五大数据中心客户完成签约，SK海力士完成约10家客户的长约谈判，业界估计两家明年计划内存产量的七至八成已被五年长约覆盖。

    DRAMNANDHBMSK海力士、三星电子华尔街见闻库存变动
  7. 影响评分 60

    长鑫存储计划未来两个月内、2026年底前启动HBM3E量产 当前整体良率约20%至30%

    据业内消息，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）计划在未来两个月内、于2026年底前正式启动HBM3E高带宽内存量产，这被视为中国本土厂商首次进入先进HBM市场，但量产尚未发生，属计划状态。公司今年8月已开始HBM3E风险试产并向部分客户提供样品，目前已向国内AI芯片企业提供标准版及针对良率优化的新版本两种样品，正在客户侧进行测试和验证。业内消息显示，当前长鑫存储HBM3E整体良率约为20%至30%，明显低于国际领先厂商水平，其中前段晶圆制造阶段良率约30%，进入后段封装后可进一步获得约70%的合格率提升；业内分析认为其最大技术挑战来自TSV技术成熟度——长鑫尝试用约3000个TSV实现HBM3E设计，而三星在HBM2时代单层使用约5000个TSV，SK海力士在HBM3产品上已超过8000个。受此限制，长鑫存储短期内预计将专注于8层堆叠HBM3E产品，暂不快速推进容量更大的12层堆叠产品；初步测试显示其HBM3E整体表现更接近SK海力士上一代HBM3。业内分析认为，随着中国AI芯片厂商对高带宽内存需求快速增长，叠加先进AI存储供应紧张及进口限制带来的压力，长鑫仍有动力推进量产；近期市场已出现AI芯片价格上涨现象，高带宽内存供应被普遍视为重要原因之一，阿里巴巴平头哥、寒武纪等芯片企业此前均被曝测试国产HBM解决方案。业内预计，如果客户验证顺利，采用长鑫存储HBM3E的国产AI加速器产品最快有望于2027年进入市场。

    HBM3E长鑫存储cnBeta产能变化
  8. 影响评分 60

    CXMT预计在未来两个月内（年底前）启动首款HBM3E存储器量产，目前仍面临良率挑战

    据Reuters独家报道，长鑫存储（CXMT）预计将在未来两个月内开始其首款HBM存储器（HBM3E形态）的量产，即年底前正式启动。CXMT已于8月开始HBM3E存储器的风险生产，但至今仍在应对HBM3E模组良率问题，据最新报道情况依然类似。良率挑战源于其所采用硅通孔（TSV）技术的不成熟：前端制造良率约30%，后端加工在此基础上再增加约70%。据报道，CXMT尝试在每层仅使用3,000个TSV实现HBM3E，并试图在常规8层HBM3E配置中封装8层（对比三星在HBM2上每层约5,000个TSV、SK hynix在HBM3上每层超过8,000个TSV）。鉴于这些挑战，该公司在解决工程问题期间，短期内不太可能转向更高容量的12层HBM。JEDEC官方HBM3E数据显示位宽1,024-bit，速度每引脚9.2 Gbps至12.4 Gbps，多数标准配置目标为每引脚9.6 Gbps，总带宽约1.2 TB/s，容量从采用8层堆叠的24 GB到采用12层24 Gb裸片堆叠的36 GB不等。量产为预期计划，尚未确认已实现。

    HBM3ECXMTTechPowerUp产能变化

10月28日 周三

  1. 影响评分 60

    传闻：NVIDIA RTX 60系列或推迟至2028年，AMD RDNA 5亦存疑问，游戏GPU换代周期或拉长至约三年

    据传闻（未证实），NVIDIA RTX 60系列可能推迟至2028年发布，AMD RDNA 5也存在类似猜测；若属实，消费级GPU升级周期可能拉长至约三年。此前NVIDIA于2020年推出RTX 30系列、2022年推出RTX 40系列、2025年初推出RTX 50系列，维持略超两年的换代节奏。原文指出的原因：AI是主要因素——NVIDIA 8月财报显示季度数据中心营收达890亿美元，约占962亿美元总营收的92.5%，游戏已非主要营收驱动力，研发资源与内存供应日益转向AI；在AI加速器需求强劲、内存价格上涨的背景下，据称RTX 50 SUPER系列已因GDDR7成本而被搁置。另一因素是升级动力减弱：TechSpot测试显示，在不含帧生成的传统游戏基准中，RTX 5080平均仅比RTX 4080 SUPER快4%（1440p）和11%（4K）。集成显卡进步（Intel Panther Lake Arc B390、AMD Strix Halo Radeon 8060S、RTX Spark中的Blackwell GPU）也在挤压入门级独显市场。文中提醒这些性能数据不代表整个RTX 50系列，且延迟传闻为'若属实'的条件性表述。

    consumer gaming GPURTX 60 seriesRDNA 5NVIDIA、AMDTrendForce
  2. 影响评分 60

    SK海力士2026年第三季度营收同比增长328%至104万亿韩元,净现金达98.7万亿韩元,计划年底前将M15X产能提升至最大以增产HBM4

    SK海力士2026年第三季度营收同比增长328%至104万亿韩元(789亿美元),首次突破100万亿韩元,净收入同比增长216%至39.8万亿韩元(约300亿美元),营业利润率80%,目前净现金头寸为98.7万亿韩元(740亿美元),基本无债务。公司表示,因考虑近期金融市场状况等因素,决定放弃Solidigm美国IPO并停止相关审查;该IPO原本旨在为Solidigm产能扩张筹集外部资金。公司称HBM4自本季度起成为主流产品,预计下季度销量和收入将超过HBM3E;已签署14份长期购买/供应协议(LTA),覆盖2027年和2028年超过一半的存储产能,并预计存储需求在2030年前持续超过供给。支出计划包括:将Kioxia股份收益的大部分约100万亿韩元(754亿美元)于今年返还股东;年底前将M15X晶圆厂产能提升至最大以增加HBM4产量;第四季度将321层NAND工艺占比提升至国内产能的一半以上以增加高性能大容量eSSD供应;2027年龙仁一期工厂全面投产带动产量上升。原文未说明原因的部分:为Solidigm美国建厂融资仍待解决,公司称仍缺约300亿美元。

    HBM4HBM3EDRAMSK HynixBlocks & Files产能变化
  3. 影响评分 58

    长鑫存储已送出HBM3E样品，预计未来两个月内启动小批量生产，良率低于SK海力士且售价预计高于海外竞品

    快科技10月28日报道，国产DRAM制造商长鑫存储已向国内多家AI芯片设计公司送出HBM3E样品，预计未来两个月内启动小批量生产。今年8月曾有报道称，阿里巴巴平头哥、寒武纪等多家国内芯片设计公司已在测试将长鑫HBM3E与自研处理器搭配使用，最早明年投入产品。知情人士透露，长鑫HBM3E良率目前低于市场龙头SK海力士，良率偏低意味着成本随之上升，且长鑫HBM3E的售价预计将高于海外竞争对手的同类产品；长鑫已向客户送出两个版本，一款为标准设计，另一款为针对良率优化的改良版。市场格局方面，Counterpoint数据显示，今年第二季度SK海力士占全球HBM营收份额50%，三星33%，美光18%；长鑫科技当季在全球DRAM市场的营收占比为10%，是全球第四大传统内存芯片供应商。

    HBM3EDRAM长鑫存储、SK海力士 等 7 家快科技产能变化
  4. 影响评分 60

    SK海力士警告：即使持续扩产 全球存储器供应紧张局面或延续至2030年

    韩国存储芯片巨头SK海力士于2026年10月28日报道发布预警：尽管行业正在积极扩大产能，但在人工智能快速发展的推动下，高性能存储器需求增长速度仍将超过供给增速，全球存储芯片短缺现象可能持续至2030年前后。公司表示正在推进多项扩产计划，包括新建生产设施和扩大先进封装能力，但先进存储产品尤其是HBM受制造工艺、封装设备、产线建设周期及人才储备等限制，新增产能释放速度较为缓慢。公司预计到2030年之前AI基础设施建设仍将保持高速发展，大型科技企业、云计算服务商及主权AI项目持续增加对高性能计算平台投资，对HBM和高端DRAM需求远高于传统服务器；随着AI模型规模扩大，从HBM3、HBM3E到未来的HBM4及后续产品，单个AI加速器搭载的HBM容量持续提升，进一步加剧供需压力。此为SK海力士对未来的预测与预警，非已实现的供应中断事实；原文未说明除上述AI需求增长以外的其他原因。

    HBMDRAMSK海力士cnBeta
  5. 影响评分 60

    据报道：CXMT在HBM3E良率仅20-30%（SK hynix为70%）的情况下计划2个月内限量生产，样品已送交国内AI芯片厂商

    据RT NEWS报道，CXMT在HBM3E良率仅20-30%（相较之下SK hynix良率为70%）的情况下，据报道计划在2个月内进行限量生产，且样品已送交国内AI芯片厂商。原文未说明原因。该生产计划属于报道中的计划事项，尚未证实已实现量产。

    HBM3ECXMTTrendForce Official (Market Data)产能变化
  6. 影响评分 95

    SK海力士3Q26营收104.6155万亿韩元，环比增32%、同比增328%，首破100万亿韩元，营业利益率创纪录达80%；DRAM ASP环比上涨近30%，NAND价格涨超20%

    SK海力士公布3Q26业绩：营收104.6155万亿韩元，环比增长32%、同比增长328%，为季度营收首次突破100万亿韩元；营业利润达83.3338万亿韩元，同比增长632%，营业利益率创纪录达80%。公司将强劲表现主要归因于HBM、服务器DDR5和企业级SSD（eSSD）等高价值产品。DRAM ASP环比上涨近30%，位元出货量增长约10%；NAND Flash价格上涨超过20%。公司指出AI基础设施需求正从少数大型CSP扩展至主流企业和国家级计划，但先进制程复杂性和较长的晶圆厂建设周期将限制供给增长，SK海力士预计结构性存储器缺货将持续至2030年。DRAM方面：SK海力士于3Q26开始HBM4批量出货，并预计该产品在4Q26出货量和营收均超过HBM3E，正式成为其主力HBM产品；公司还计划在年底前使M15X晶圆厂达到满载产能；2027年HBM供应谈判已完成。NAND方面：321层TLC企业级SSD销售持续扩大，公司计划在4Q26将321层产能占其韩国国内产能的比例提升至50%以上。SK海力士已与包括大型CSP在内的14家关键客户签署长期供应协议，标准合同期限为5年，部分客户在协商延长；这些协议已锁定覆盖2027年和2028年公司总产能50%以上的承诺。公司还表示2027年资本支出将较2026年大幅增加。TrendForce预计随着新增供给逐步上线，DRAM市场可能在2028年达到供需平衡。

    DRAMHBM4HBM3ESK hynixTrendForce Official (Market Data)价格波动
  7. 影响评分 58

    SK海力士预计存储器供应短缺将持续至至少2030年，季度营收104.6万亿韩元同比增长328%

    SK海力士在公司季度业绩发布时表示，预计存储器供应短缺将持续至至少2030年，理由是AI驱动的需求增长使市场增长快于供应，加上领先工艺的技术难度和新建生产设施所需的长周期。公司有14份与14家大买家签订的长期协议，这些买家将在2027年和2028年合计购买其超过一半的产出，部分买家希望延长协议，协议内含在双方约定的价格区间内反映市场状况的机制。这些协议帮助SK海力士录得季度营收104.6万亿韩元（781亿美元），同比增长328%，环比增长32%；营业利润为87.68万亿韩元（628亿美元），同比增长486%。公司概述了扩产计划，包括增加HBM4产量（其认为HBM4将在第四季度在出货量和营收上超越HBM3E并成为主流产品）、快速提高10nm级第六代(1c)工艺占比并扩大面向AI服务器的DDR5和LPDDR5 SOCAMM销售，以及基于HBF发展NAND。首席财务官Kim Woo-hyun预测，由于存储器价格上涨和供应短缺带来的成本负担，PC和移动设备的出货量预计将下降。盘后交易中公司股价上涨约3%。

    memoryHBM4HBM3ESK HynixThe Register
  8. 影响评分 60

    据报道CXMT在良率仅20–30%的情况下送出HBM3E样品，并计划于两个月内开始小批量生产

    据路透社2026年10月28日报道，消息人士称CXMT的HBM3E良率目前仅为20%至30%，远低于SK hynix约70%的水平；CXMT已向多家国内AI芯片设计公司交付HBM3E样品，并预计在未来两个月内开始小批量生产（计划，尚未实现）。公司向客户提供两个版本：标准版和改进良率的修订版。由于大量芯片需报废或返工，低良率预计使CXMT的HBM3E生产成本高于海外竞争对手。据报道CXMT最早于2024年内部启动HBM技术开发。路透社测试显示，CXMT的HBM3E性能更接近SK hynix上一代HBM3而非HBM3E，凸显与SK hynix、三星电子和美光的技术差距。报道同时指出，中国AI芯片厂商面临先进存储短缺：路透社9月报道称华为、寒武纪、沐曦和天数智芯已将现款及下一代AI芯片价格上调20%至50%；并依赖昂贵的灰色市场HBM。据Seoul Economic Daily 9月援引The Information报道，阿里巴巴旗下平头哥和寒武纪据称正在测试该存储；若开发按计划推进，采用CXMT HBM3E的产品最早可能于2027年上市。据南方都市报，CXMT管理层在9月投资者会议上未直接回应相关问题，仅表示将按现有路线图继续开发；有分析师指出，样品虽已交付，但能否满足国内客户要求以及何时实现稳定量产仍不明朗。

    HBM3EHBM3HBMCXMT、SK hynix 等 8 家TrendForce
  9. 影响评分 60

    SK海力士公布2026年第三季度业绩：营收104.6155万亿韩元、营业利润83.3338万亿韩元均创单季历史新高，季度营收首破100万亿韩元，环比分别增长32%和38%

    SK海力士于2026年10月28日发布2026年第三季度业绩：第三季度营收104.6155万亿韩元、营业利润83.3338万亿韩元（营业利润率80%）、净利润39.7756万亿韩元（净利率38%），营收和营业利润均创历史新高，季度营收首次突破100万亿韩元；营收和营业利润环比分别增长32%和38%（2026年第二季度营收79.3187万亿韩元、营业利润60.5426万亿韩元），营收同比增长328%（2025年第三季度为24,448.9 billion KRW），营业利润同比增长632%，净利润环比下降58%、同比增长216%。公司称业绩受AI存储需求增长推动产品价格上升、HBM4与高附加值服务器产品销售扩大所驱动。公司预计HBM4将在第四季度在出货量和营收上超越HBM3E并成为主流产品（预期，非实际）；并预计内存需求超过供应的结构将持续到2030年（公司预测）。公司计划到今年年底将M15X提升至最大产能以增加HBM4产量，并计划在第四季度将321层工艺占其国内产能的比例提高到一半以上；已与包括全球云服务提供商在内的14家主要客户签订长期协议（LTA），目前锁定的LTA量对应2027年和2028年总产能的50%以上。公司宣布2026财年股东回报总额约100万亿韩元（含现金分红30万亿韩元以上、股份回购及注销60万亿韩元以上，其中8月宣布的40万亿韩元回购已于上周完成）；董事会决议第三季度现金分红14万亿韩元和20万亿韩元回购，季度每股分红20,000韩元（含10,000韩元业绩分红和10,000韩元分享Kioxia投资收益的特别分红），并计划明年大幅扩大投资。

    DRAMNANDHBM4SK hynix、KioxiaSK Hynix Newsroom
  10. 影响评分 96

    SK海力士3Q26营业利润率创纪录达80%；称DRAM与HBM到2029年实际上已售罄，已签署14家LTA客户

    SK海力士公布3Q26创纪录业绩：营收首次突破100万亿韩元，达104.62万亿韩元；营业利润环比增长38%，达新高83.33万亿韩元，营业利润率创纪录达80%。据ZDNet援引FnGuide，分析师此前平均预测第三季度营收98.2257万亿韩元、营业利润76.964万亿韩元，实际业绩超出市场预期。据Yonhap Infomax，3Q26 DRAM平均售价（ASP）环比上涨高20多个百分点，出货量增长约10%；NAND ASP环比上涨中20多个百分点，超过出货量小幅下滑的影响；服务器DDR5销售额环比增长超40%（Chosun Biz）。公司签署长期供应协议（LTA）的大型客户增至14家（含全球云服务提供商CSP），较2Q26的10家增加，并正与部分客户探讨超出typical五年期限的延长。公司称现有LTA已覆盖其2027年和2028年计划产能的50%以上；据Chosun Biz，在额外客户需求谈判之下，DRAM和HBM产出到2029年实际上已售罄；据The Economist Korea，SK海力士预计内存供应短缺将持续到2030年。据iNews24，公司已与主要客户敲定2027年HBM数量与价格谈判，合同条款反映HBM4的更高价值，公司预计HBM与常规DRAM的盈利差距将显著缩小；公司预计4Q26 HBM4在出货量和营收上均超越HBM3E，成为其旗舰HBM产品。针对NVIDIA可能为Rubin Ultra倾向8-Hi HBM4而非原计划的12-Hi HBM4E的市场猜测，CFO Kim Woo-hyun重申12-Hi HBM4交付仍按与客户约定的进度进行。为应对HBM需求激增，公司将在年底前将M15X提升至最大产能以增加HBM4生产。

    DRAMHBMHBM4SK hynixTrendForce价格波动

10月27日 周二

  1. 影响评分 65

    据报道，台积电考虑将CoWoS先进封装价格上调最多20%，英伟达Blackwell与Rubin芯片令封装产能承压，设备交期最长达八个月

    据TrendForce援引供应链消息人士和当地媒体报道，台积电正在考虑将其CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）先进封装技术价格上调最多20%，台积电尚未证实该报道。报道将此归因于AI需求导致产能紧张以及芯片制造设备交期延长；设备交期据称已从三至六个月延长至最长八个月，台积电据称已按现有价格下达今年设备订单而不议价。CoWoS将逻辑裸片与HBM堆栈整合于单一封装内；英伟达Blackwell已搭配两个大型GPU裸片和八个HBM3E堆栈，即将推出的Rubin和Rubin Ultra预计将进一步加剧封装压力。测试也在成为瓶颈：据报道Blackwell测试耗时是上一代Hopper的三至四倍，Rubin可能需要最长七倍时间；服务器CPU和定制ASIC也在竞争先进封装产能。背景方面：台积电副共同营运长侯永生表示，到7月公司预期设备需求已达原估计的1.9倍；本月早些时候GlobalFoundries同意在美国为台积电CoWoS生产硅中介层，合同为期五年、价值20亿美元，产量预计于2028年上半年爬坡；台积电据报道还在考虑2027年更广泛的涨价，先进制程晶圆价格预计上涨5%至10%，使用2nm和3nm级节点的客户涨幅可能最大，超出原分配产能 seeking capacity的客户可能需支付额外溢价，部分成本最多或上浮25%。TrendForce引用的行业估计显示，台积电2026年月产能超过10.6万片晶圆，2027年目标为22.7万片。若封装和晶圆涨价双双落地，AI硬件成本可能进一步上升。

    CoWoS先进封装先进制程晶圆硅中介层TSMC、Nvidia 等 3 家Tom's Hardware价格波动
  2. 影响评分 60

    英伟达斥资扩建AI加速器供应链以预订产能——宣布与基板、先进封装、半导体测试及光引擎领域的六家主要供应商达成数十亿美元协议，扩充供应将于2027至2028年到位

    英伟达于10月21日在GTC柏林宣布与六家主要供应链伙伴（Ibiden、Unimicron、三星电机、SPIL、Amkor、KYEC）达成多项数十亿美元协议，覆盖基板、先进封装、半导体测试与光引擎，旨在扩大产能并为英伟达预订产能；扩充的供应预计2027年至2028年间可用，承诺与生产路线图延伸至2028年。基板方面，英伟达计划未来三年内锁定2.5倍专属基板产能：此前已签署协议向Ibiden提供数十亿美元产能预订预付款，支持其日本Ono工厂（目标为该厂当前产能的3倍）；三星电机交易将支持设施升级及釜山、世宗新厂，预计到2028年英伟达占其产出的重要部分；与Unimicron的产能预订协议支持其台湾基板扩产，预计2027年第二季度开始提供产能，2028年年中达满产。光引擎/共封装光学方面，英伟达与SPIL签约，到2027年年中将产能扩大15倍（1,400%），并计划到2028年底再翻倍。封装方面，英伟达与Amkor目标到2028年底将中介层晶圆产能提升超过300%，通过在韩国扩建先进封装产能实现；Amkor确认该协议价值13亿美元，使英伟达在Amkor亚利桑那与韩国设施的总投资达30亿美元。测试方面，英伟达于10月13日签署协议向KYEC支付11亿美元，预订其新建14亿美元美国工厂的测试产能（该厂计划2027年4月开始量产；新加坡工厂预计2027年2月开始量产），测试产能预计从2026日历年至2027年翻倍；KYEC目前承担英伟达几乎全部芯片测试。据其2026年8月披露，截至2026年7月英伟达已累积2,790亿美元未结供应与制造产能承诺。以上产能扩张与数字均为已宣布的计划与目标，尚未实现。

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