CXMT预计在未来两个月内（年底前）启动首款HBM3E存储器量产，目前仍面临良率挑战

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据Reuters独家报道，长鑫存储（CXMT）预计将在未来两个月内开始其首款HBM存储器（HBM3E形态）的量产，即年底前正式启动。CXMT已于8月开始HBM3E存储器的风险生产，但至今仍在应对HBM3E模组良率问题，据最新报道情况依然类似。良率挑战源于其所采用硅通孔（TSV）技术的不成熟：前端制造良率约30%，后端加工在此基础上再增加约70%。据报道，CXMT尝试在每层仅使用3,000个TSV实现HBM3E，并试图在常规8层HBM3E配置中封装8层（对比三星在HBM2上每层约5,000个TSV、SK hynix在HBM3上每层超过8,000个TSV）。鉴于这些挑战，该公司在解决工程问题期间，短期内不太可能转向更高容量的12层HBM。JEDEC官方HBM3E数据显示位宽1,024-bit，速度每引脚9.2 Gbps至12.4 Gbps，多数标准配置目标为每引脚9.6 Gbps，总带宽约1.2 TB/s，容量从采用8层堆叠的24 GB到采用12层24 Gb裸片堆叠的36 GB不等。量产为预期计划，尚未确认已实现。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：TechPowerUp · 2026/10/28 · 查看原始来源