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NuAxi半导体贸易情报

CXMT据报计划投产HBM3E，良率迄今仅20%至30%，因中国国内存储器短缺

发生了什么

据报，中国领先的DRAM存储器生产商长鑫存储（CXMT）计划开始生产HBM3E，尽管其良率迄今仅达到20%至30%。原文将此归因于中国市场面临的存储器短缺：中国寻求扩大国内产能，同时面临关键设备进口限制。该事件为计划阶段（据报计划），并非已证实投产。

影响与信号

中影响影响力评分：60/100

受影响器件与厂商

ChangXin Memory Technologies (CXMT)

HBM3ECXMTDRAMproduction planlow yieldsdomestic capacity

来源与时间

来源：DigiTimes Asia · 2026/10/28 · 查看原始来源

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