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快科技11月1日消息，OpenAI首席执行官奥特曼近日接受《Cheeky Pint》专访时表示，从全球资源配置角度看，让有限的DRAM分散闲置在个人电脑中（使用率仅5%）并不有效率，存储芯片资源应集中至云数据中心以提高整体使用率。他指出，若每人都在本地电脑运行AI模型，可能导致大量DRAM闲置；在存储芯片供应极度紧张的情况下，云数据中心应尽可能提高资源利用率。背景方面，AI需求持续推升存储芯片价格，全球DRAM供应吃紧，PC及手机等消费电子面临成本压力；尽管PC、手机与AI加速卡所用存储芯片规格不同，但其生产仍会竞争部分上游晶圆产能。此为个人观点表态，引发外界对云计算与本地AI之间资源竞争的讨论，原文未说明任何价格或产能的具体变化数据。
在10月30日晚上的业绩会上，长鑫科技管理层表示，公司已与多家头部客户协商长期供货协议，以锁定中长期确定性需求；在供需持续偏紧与精益制造的双重支撑下，公司预计第四季度毛利率将继续保持稳定（预期，非已实现数据）。此前披露的三季报显示，长鑫科技前三季度综合毛利率达86.85%，第三季度单季毛利率为89.53%，较上季度提升1.94个百分点。资本市场层面，根据中证指数公司网站最新披露的数据，长鑫科技已被纳入上证综合指数，权重为4.67%，位列第一大权重股，超过农业银行与工商银行。利润方面，DRAM市场供不应求推动产品价格快速上涨，公司产品量价齐升，同时单位成本随规模效应和精益生产管理持续下降，产品毛利大幅上升。长鑫科技还透露，报告期内在新产品推出方面取得突破性进展，基于第六代技术平台开发的DRAM产品已完成工程样片验证。
OpenAI首席执行官萨姆·奥尔特曼于10月31日下午在韩国龙仁市与三星集团约50名高管举行会谈，核心议题为存储芯片供应与AI基础设施合作。市场数据显示，2026年第四季度一般型DRAM合约价预计环比上涨10%至15%，NAND Flash上涨15%至20%。三星将为OpenAI的“星际之门”基础设施项目供应存储芯片。
快科技10月31日消息，长鑫据称要在下一代G6内存上率先量产4F2架构，为DRAM内存数十年来首次由国产厂商首发重大架构技术升级；当前内存技术仍在使用6F2架构，4F2架构已研发多年，但三星、SK海力士及美光三巨头十几年来并未量产。目前工程样片已完成验证，最快2026年底推出DDR5 RDIMM产品送样，优先落地服务器等高附加值场景。美光前不久表态暂时不会考虑4F2技术的量产。针对技术路径分歧，长鑫总裁曹堪宇在业绩交流会上回应称，各存储厂商基于自身历史技术积累、现有产线配置、专利布局以及未来几年的资本开支结构，往往会做出差异化的战略选择。美国、韩国投行多次发研报，甚至称长鑫4F2量产只是纸老虎，影响并不大。
OpenAI CEO Sam Altman在Stripe联合创始人John Collison主持的Cheeky Pint播客节目（10月29日发布的一集）中表示，个人电脑中的DRAM用于云端会更好。在讨论内存供应链并谈到本地推理（即在自己的硬件上而非云端运行AI模型）时，他在约29分钟处称，从全球分配角度看，让每个人都把全球有限的DRAM供应放在自己的电脑里、且仅约5%的时间使用，是相当糟糕的；在供应非常紧张的环境下，应追求云端的最大利用率，并称许多人的直觉恰恰相反。此为个人观点言论，不构成实际产能、供应或政策变动，原文未说明原因以外的其他背景。
快科技10月31日消息：长鑫科技在发布第三季度财报后，于第三季度业绩交流会中公布，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。按产业实践，工程样片验证完成意味着平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，尚需在客户端完成验证后才能进入规模量产阶段。此前美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，美光将沿6F²路径并开发3D DRAM，不做4F²，理由是复杂度与成本上升，并称美光研究了4F²达20年，认为该方向没有可行微缩路径和实际收益，认为DRAM位密度理论上限的核心是电容间距、电容尺寸等参数。长鑫科技在交流会上回应称，DRAM位密度提升是涉及字线、位线及电容结构多重空间博弈的复杂系统工程，相关说法反映行业先进制程微缩阶段的普遍物理挑战，不同厂商基于自身技术积累、产线配置、专利布局及资本开支结构会做出差异化战略选择。长鑫科技同时坦言，前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。
10月31日消息，10月30日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，报告期内公司第五代工艺技术平台实现量产，目前已推出的主要是245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品；同时LPDDR6产品实现量产。在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。第五代工艺技术平台是长鑫目前量产的最先进平台，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。公司预计今年年底会将采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品送样，优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，后续逐步向其他品类延伸，规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况稳步推进。
快科技10月31日消息，长鑫科技10月30日晚发布公告称，2026年前三季度实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；归属于上市公司股东的净利润1320.4亿元，同比扭亏为盈。第三季度实现营业收入1187.14亿元，同比增长613.18%；归属于上市公司股东的净利润544.35亿元，同比扭亏为盈。长鑫科技表示业绩变动主要系全球DRAM产品供不应求，公司产品销售数量和销售价格大幅上涨，叠加单位成本下降，产品毛利大幅上升所致。据10月31日发布的投资者关系活动记录表，管理层在10月30日业绩会上透露长协相关工作进展顺利，已与多家头部客户协商长期供货协议，以锁定中长期确定性需求。对于第四季度和明年，管理层表示受AI应用快速发展带来的需求驱动，四季度依然收到服务器客户对产品的强劲需求，DRAM供不应求态势仍将延续，预计四季度营收继续保持增长趋势，明年营收预计仍将保持增长（为预测性表述）。
据机器之心2026年10月31日发文，OpenAI CEO山姆·奥特曼本周四在接受YouTube频道Cheeky Pint采访时称，从全球资源配置角度看，让每个人把紧缺的DRAM囤在自己电脑里大部分时间闲置是『相当糟糕』的安排，这类电脑内存使用率只有5%，内存应集中到云端数据中心以提高利用率；他认为人们在个人电脑上运行本地AI是一个糟糕的想法。他表示『看不见的手现在失灵了』：内存行业长期是投200亿美元capex赚19亿的苦生意，如今每家一年能赚约1000亿美元自由现金流，但历史上多次因过度建厂差点破产的惨痛记忆使厂商扩产极度保守。他还介绍了OpenAI的布局：自研芯片（提升每瓦智能性能）、自建数据中心、机器人项目，以及用AI控制机器人运营晶圆厂、造涡轮和太阳能板、建数据中心的『自我复制的数据中心』概念，并称『这已在我们掌握之中』。文中指出，普通PC、手机和AI加速卡使用的内存并不相同，但生产会竞争部分上游晶圆产能；文章并提及当前全球AI浪潮已引发内存涨价，使PC和手机价格暴涨。其观点基于数据中心建设不会放缓等假设，属其个人言论，未涉及具体产能或价格变动；相关背景还有：纳维-斯托克斯方程单个证明约耗资1000万美元，他预计一年后用1/100的成本就能重做；当前每GW领先AI算力的5年总拥有成本约700亿美元，降到200亿会更理想。
据《日经亚洲》报道，AI数据中心建设热潮使PCB供应出现严重短缺：PCB制造商将产能转向利润更高的AI服务器订单，原本用于台式机主板、笔记本电脑主板和显卡PCB的部分产能正被转移，惠普和戴尔等PC制造商在制定2027年产品规划时已担忧电路板供应。交货周期方面，一家供应商表示相当一部分产品交货时间已翻倍，另一家企业称现在提交新订单预计要到2028年下半年才能交付，部分订单交货周期因此达到30个月，将影响2027年乃至2028年产品供应安排。原材料方面，一位台湾PC制造商向《日经亚洲》表示，覆铜板（CCL）价格目前至少已达到7月份的12倍（该文注明这属于单家企业反馈，不代表所有规格均同幅上涨）；全球主要覆铜板供应商之一的订单已排到2030年，即使该公司计划在2028年前将产能扩大至目前的三倍，积压仍然庞大。PCB行业还面临技术人员短缺，相关技术岗位薪酬已上涨20%至30%。影响已波及其他行业：日本佳能本周表示，受AI产业推动的电路板及零部件短缺影响，其部分生产活动从今年8月开始受限，预计今年医疗设备业务销售额将因此损失约900亿日元。英伟达已通过与专业基板制造商合作提前锁定先进封装和芯片基板产能，日本Ibiden、韩国三星电机及台湾欣兴电子均进入合作体系，其中欣兴电子计划在未来三年内将相关产能扩大至目前的2.5倍（原文注明芯片封装基板与普通PCB不能完全相互替代）。文中还提及背景：2026年以来DRAM和NAND闪存价格持续上涨，Gartner曾预测到2028年售价低于500美元的PC可能逐渐消失，英伟达GeForce RTX 5080在美国部分零售渠道售价已接近2000美元；目前尚无PC厂商公布具体零售价格调整幅度。
据IT之家10月31日报道，OpenAI CEO萨姆·奥尔特曼前一日（日期未在原文中具体给出）接受YouTube播客节目Cheeky Pint采访时表示，在DRAM存储芯片供应紧张的情况下，应将内存集中部署在数据中心并提高利用率，认为个人电脑中的大量DRAM可能只有5%的时间在被使用，集中到云端更能应对供应严重受限的局面；报道同时指出该逻辑存在误区，因PC用户与云端AI服务商对DRAM的需求并不完全相同、不能简单视为可相互替代。业界层面，三星电子预计受AI基础设施建设推动，存储芯片供应紧张可能持续至2028年；在三星电子2026年第三季度业绩电话会议上，公司表示AI基础设施建设竞争加剧及个人AI智能体的普及预计将继续推动内存需求增长，且新增产能短期内难以显著提高内存供应量，供应紧张预计持续至2028年，消费电子内存成本压力短期难缓解。游戏硬件市场也已出现价格上涨和供货紧张。相关阅读提及戴尔CEO预警2027年内存短缺情况将进一步恶化。
闪迪周四盘后发布全面超预期的财报：营收110.3亿美元高于市场预期的107.4亿美元，毛利率85.1%略高于预期的84.9%，非GAAP每股收益49.51美元高于预期的46.73美元，另追加50亿美元回购并宣布1拆8拆股，但股价周五美股盘前一度暴跌8%。原文说明的原因为：其日本晶圆厂合作伙伴铠侠给出的利润指引不及预期，并警告AI推动的闪存涨价潮正在降温。美东时间周五5:54彭博报道铠侠指引后，闪迪盘前最多跌至1197.57美元，较周三1419美元的高点回落16%，美光科技随之走低。铠侠预计本季度营业利润为2万亿日元（约127亿美元），远低于市场预期的2.35万亿日元；刚结束的9月季度营业利润1.99万亿日元，同比增长22倍，环比增长57%，营收约2.48万亿日元，环比增长40%，并首次派发每股90日元中期股息。数据显示，NAND闪存平均售价在截至9月的三个月里上涨25%左右，前一季度的涨幅是70%，即涨速放缓至三个月前的约三分之一。英特尔周五预计今年PC出货量将下降约12%，2027年再降约10%，并将'出人意料的严重PC调整'归咎于存储价格，其股价盘前暴跌25%；摩根大通称存储ETF（DRAM）盘前下跌5.6%。供给方面，铠侠计划未来六年与闪迪在日本投入逾5万亿日元扩产，部分资金拟来自明年在美国发行ADR，募资规模可能至少100亿美元；美光正在新加坡建设240亿美元的NAND工厂。
长鑫科技（2026年三季度）召开上市后首次业绩交流会：三季度营业收入1187亿元，环比增长19%；利润总额990亿元，环比增长约21%；净利润890亿元，环比增长19%；毛利率89.53%，较二季度提升1.94个百分点，营业利润率83.43%创历史高位；前三季度累计营收2690亿元，同比增长739%，净利润1965亿元，归属于母公司股东净利润1320亿元，经营活动净现金流2548亿元，同比增长1865%。管理层表示，受AI应用快速发展带动，四季度服务器客户需求仍然强劲，DRAM供不应求态势预计持续，公司营收将继续增长，并展望2027年AI、智能终端和汽车智能化需求为主要增长来源。产品方面，LPDDR6已进入国内折叠旗舰机型首发供应链，目前也在汽车、服务器等场景的应用创新和拓展上开始发力；第五代工艺技术平台已实现正式量产（半间距11.95nm），基于4F平方垂直沟道DRAM架构的第六代工艺平台工程样片已完成验证，预计2026年底推出DDR5 RDIMM产品送样。回购方面，2026年10月16日董事长朱一明提交的10亿至20亿元股份回购方案已经第二届董事会第八次会议审议通过，将在公司上市满6个月后根据市场情况择机实施（约50%用于股权激励或员工持股计划，不低于50%用于注销并减少注册资本）。公司另拟使用130亿元投资新建技术研发项目（投资期30个月），并向全资子公司长鑫产品合肥提供50亿元新建存储器晶圆后道测试基地二期项目（投资建设期37个月）。曹堪宇引用Omdia数据称，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的7638亿美元，年复合增长率达38.39%。
据中国硬件供应链论坛博板堂传出、并经VideoCardz等媒体关注的消息，AMD正在考虑于2026年11月再次上调向华硕、蓝宝石、讯景等显卡合作伙伴提供的GPU与GDDR6显存套装供货价格，目前该调整尚未得到AMD官方确认，具体涨幅也未公布，且涉及型号、不同容量显存涨幅及各地区执行时间均未确认。这不是提高已组装零售显卡的售价，而是上调上游芯片及显存供应价格，成本增加后才可能逐步传导至消费者。时间线：AMD已于2026年8月和10月1日进行过供货价格调整，8月涨幅据称至少达10%；GDDR6显存2026年第三季度已上涨约8%至10%，其现货价格自2025年底以来一度上涨至原来的数倍。原文给出的原因是全球AI基础设施建设挤压存储芯片产能：三星、SK海力士和美光将更多生产资源投向利润率较高的HBM和服务器DRAM，GDDR6与HBM共享部分DRAM制造资源，产能分配变化影响显存供应。零售端方面，Hardware Unboxed对10个国家的调查显示，2026年10月全球显卡平均售价环比上涨约10%，其中Radeon RX 9060 XT 16GB涨幅达17%，Radeon RX 9070和RX 9070 XT分别上涨约12%，该数据反映消费者实际购买价而非AMD芯片供货价。RX 9000系列采用RDNA 4架构、全部使用GDDR6，部分型号配16GB显存，受影响可能更明显；若11月调整落实，消费者可能在12月购物旺季感受到更明显的价格压力。
据Blocks & Files于2026年10月30日（周五）发布报道，三星2026年第三季度营收达₩195.3万亿（$1455亿），同比增长121.8%，几乎达到其史上首个₩200万亿季度营收；营业利润为₩107.4万亿（$800亿），使三星电子成为首家季度营业利润超过₩100万亿（$745亿）的科技公司。报道将此归因于AI对HBM、DRAM和NAND需求飙升带动半导体技术高价。DS半导体业务占三星电子该季度营收的72%，为₩147万亿（$1096亿），环比增长15%；其中存储业务₩140.7万亿（$1048亿），占DS的95.7%，通过提升HBM4销售和满足服务器SSD需求实现。三星称服务器需求强劲导致所有应用的市场价格上涨。竞争对手SK hynix 2026年第三季度营收为₩104万亿（$789亿），利润₩39.8万亿（约$300亿），低于直接可比的三星DS部门。三星表示计划投资新晶圆厂等基础设施以满足强劲的AI和HPC需求，并计划进一步增加HBM、服务器DRAM和SSD销售，特别是增加高速服务器DDR5产品和QLC SSD供应。三星预计2027年AI基础设施资本支出将达到历史水平、高于今年，并表示与2026年相比，AI驱动的需求将远超行业供应。此为财报观察与公司展望，非已实现的未来结果。
台积电涉及垂直DRAM的专利披露引发其是否会挑战现有存储器制造商的讨论。原文指出，US20220359529A1于2022年11月公布，描述垂直沟道晶体管与混合沟槽及堆叠电容的集成；另一件于2022年5月提交、以US20230240066A1公布的申请将电容直接置于垂直环绕栅极晶体管之上。原文强调这些披露是技术探索，不应被合并为单一架构或视为产品公告，不能证明台积电的生产准备、投资承诺或销售商用DRAM的意图；可能用途（嵌入式存储、逻辑-存储集成或未来客户需求）仅为推断而非已披露的商业策略。SK hynix已公开将4F²垂直栅极平台和3D DRAM列为未来方向，但两者是相关而不同的概念。文章还列出3D DRAM的三大障碍：电气控制、电容集成与制造成本经济性，并指出最终竞争取决于以有竞争力的成本将结构前景转化为可靠产品。原文未说明任何价格变动或供给变化。
长鑫科技于2026年10月30日发布2026年三季报：第三季度（7-9月）实现营业收入约1187.14亿元，环比增长约19.30%；实现净利润约889.83亿元，环比增长约19.38%。三季报披露，基于第六代技术平台开发的DRAM产品已完成工程样片验证（指完成内部技术验证和早期客户评估），下一步需在重点客户处完成客户验证后方可进入批量生产与出货阶段。文中还提及公司近期技术进展：8月底宣布最新一代低功耗内存LPDDR6实现全球量产并已首批搭载于主流智能手机旗舰机型，该芯片峰值速率达12800Mbps，带宽较上一代产品LPDDR5X提升60%，功耗降低20%；9月第五代技术平台（G5）量产；近期宣布4F²架构关键进展。2026年前三季度研发投入达110.71亿元，较上年同期增长73.03%。文章将产品突破置于端侧AI算力需求爆发的背景下。
美光宣布向台湾约700名符合条件的员工发放相当于5年工资的奖金，据Digitimes报道，这约占美光台湾超过4,300名产线员工的17%；其余员工在10月也将获得三笔奖金。一次性总付包含三部分：多数员工的年度绩效奖金估计为7.5至12.5个月工资、相当于年薪20%的量产奖金，以及一次性31,000美元（新台币1,000,000元）的感谢奖金（未满一年服务者按比例发放）。全球美光员工还将获得新的季度利润奖金，以50%现金加50%股票支付，自2027年1月开始，首笔将以100%现金支付。原文说明其直接原因是AI驱动的存储芯片热潮，使美光、三星和SK海力士从AI超大规模客户获得大量订单并创纪录盈利；三星员工已于2026年5月投票接受平均340,000美元奖金，SK海力士员工今年将获得477,000美元奖金，2027年可能增至近900,000美元。同时，美光桃园工会仍与资方就薪酬存在争议，部分干部已发动一日罢工，要求更明确的利润分享与奖金条款，桃园厂近70%会员拒绝了资方最新方案，双方暂定11月6日再次谈判；美光台中工会则已同意雇主10%的养老金提缴及日班津贴三倍化。文章还指出，此类奖金依赖绩效与利润，若AI需求下滑，激励可能大幅缩水。
长鑫科技发布2026年第三季度财报：单季营业收入1187.14亿元，同比增长613.18%，环比增长19.30%；归母净利润544.35亿元，同比扭亏为盈，环比增长3.01%；第三季度净利润（含少数股东损益）889.83亿元，扣非归母净利润552.37亿元，同比增长4070.56%。前三季度累计营收2690.24亿元，同比增长738.51%，归母净利润1320.40亿元；2025年同期营收为320.84亿元、净亏损59.80亿元。第三季度毛利率89.53%，较上季度提升1.94个百分点；前三季度综合毛利率86.85%，加权平均ROE 96.46%。公司披露业绩改善原因：全球AI算力竞赛引发DRAM需求，主要厂商产能重新调配叠加供给结构性短缺，推动DRAM产品价格与销量双双大幅上涨，叠加规模效应与单位成本下降。技术方面，基于第六代技术平台开发的DRAM产品已完成工程样片验证；前三季度研发投入110.71亿元，同比增长73.03%，第三季度42.12亿元，同比增长53.83%。同时公司公告拟以自有或自筹资金回购股份，金额不低于10亿元、不超过20亿元，回购价格不超过72.69元/股，其中不低于实际回购总量的50%将注销减资；该回购尚为计划，实际规模与价格取决于后续实施情况。截至10月30日盘中，公司股价约42.82元，较52周高点61.80元回落约30.7%。原文未说明回购计划之外的其他原因。
长鑫科技公告，2026年前三季度实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；归属于上市公司股东的净利润1320.4亿元，同比扭亏为盈。第三季度实现营业收入1187.14亿元，同比增长613.18%；归属于上市公司股东的净利润544.35亿元，同比扭亏为盈。公司说明业绩变动主要系全球DRAM产品供不应求，公司产品销售数量和销售价格大幅上涨，叠加单位成本下降，产品毛利大幅上升所致。