长鑫科技：基于4F²垂直沟道DRAM架构的第六代工艺技术平台完成工程样片验证，并回应该架构引发的争议

发生了什么

快科技10月31日消息：长鑫科技在发布第三季度财报后，于第三季度业绩交流会中公布，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。按产业实践，工程样片验证完成意味着平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，尚需在客户端完成验证后才能进入规模量产阶段。此前美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，美光将沿6F²路径并开发3D DRAM，不做4F²，理由是复杂度与成本上升，并称美光研究了4F²达20年，认为该方向没有可行微缩路径和实际收益，认为DRAM位密度理论上限的核心是电容间距、电容尺寸等参数。长鑫科技在交流会上回应称，DRAM位密度提升是涉及字线、位线及电容结构多重空间博弈的复杂系统工程，相关说法反映行业先进制程微缩阶段的普遍物理挑战，不同厂商基于自身技术积累、产线配置、专利布局及资本开支结构会做出差异化战略选择。长鑫科技同时坦言，前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：快科技 · 2026/10/31 · 查看原始来源