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长鑫存储计划未来两个月内、2026年底前启动HBM3E量产当前整体良率约20%至30%

发生了什么

据业内消息，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）计划在未来两个月内、于2026年底前正式启动HBM3E高带宽内存量产，这被视为中国本土厂商首次进入先进HBM市场，但量产尚未发生，属计划状态。公司今年8月已开始HBM3E风险试产并向部分客户提供样品，目前已向国内AI芯片企业提供标准版及针对良率优化的新版本两种样品，正在客户侧进行测试和验证。业内消息显示，当前长鑫存储HBM3E整体良率约为20%至30%，明显低于国际领先厂商水平，其中前段晶圆制造阶段良率约30%，进入后段封装后可进一步获得约70%的合格率提升；业内分析认为其最大技术挑战来自TSV技术成熟度——长鑫尝试用约3000个TSV实现HBM3E设计，而三星在HBM2时代单层使用约5000个TSV，SK海力士在HBM3产品上已超过8000个。受此限制，长鑫存储短期内预计将专注于8层堆叠HBM3E产品，暂不快速推进容量更大的12层堆叠产品；初步测试显示其HBM3E整体表现更接近SK海力士上一代HBM3。业内分析认为，随着中国AI芯片厂商对高带宽内存需求快速增长，叠加先进AI存储供应紧张及进口限制带来的压力，长鑫仍有动力推进量产；近期市场已出现AI芯片价格上涨现象，高带宽内存供应被普遍视为重要原因之一，阿里巴巴平头哥、寒武纪等芯片企业此前均被曝测试国产HBM解决方案。业内预计，如果客户验证顺利，采用长鑫存储HBM3E的国产AI加速器产品最快有望于2027年进入市场。