SK hynix计划借EUV延续6F² DRAM寿命，继续开发4F²与3D DRAM作为下一代选项；美光暂不采用4F²，CXMT目标2026年底前推出4F²服务器DDR5 RDIMM

发生了什么

SK hynix在3Q26财报电话会议上表示，计划通过工艺改进和稳定的平台运营最大化现有6F²架构的潜力，同时继续将4F²和3D DRAM作为潜在下一代选项进行开发，采用时点取决于各技术的成熟度与经济性。据News 1报道，SK hynix DRAM营销负责人朴俊德表示，EUV光刻和工艺微缩的进展为延长6F²平台寿命提供了进一步空间，并强调新单元架构的商业化需要跨越良率、可靠性、成本、产品设计和客户验证等门槛。相比之下，美光目前排除采用4F² DRAM，称该技术“目前不在路线图上”；美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，20多年的研究未能找到可持续的微缩路径，4F²结构虽技术上可行，但工艺复杂性和更高的制造成本限制了其实际效益。另据Chosun Biz报道，三星电子正在开发基于垂直沟道晶体管（VCT）的4F²架构，三星设备解决方案（DS）部门总裁兼CTO宋在爀于10月14日在首尔SEDEX 2026上确认了该开发工作。此外，中国的长鑫存储（CXMT）正推进4F²商业化计划，目标在2026年底前推出首款基于4F²的服务器DDR5 RDIMM模组。SK hynix亦在7月与VLSI 2026相关的研究博客中，将4F²垂直栅极（VG）DRAM定位为延续10nm以下节点微缩的路径。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：TrendForce · 2026/10/27 · 查看原始来源