美光经约二十年研究后放弃4F² DRAM、不将其推向市场，转而押注3D DRAM

美光决定不将4F² DRAM推向市场，尽管其自称发明了该单元设计并已研究约二十年。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer于10月21日在公司技术网络研讨会上分享了这一决定。在理论上，4F²采用垂直沟道晶体管，与当今DRAM使用的6F²布局相比可将每个存储单元的占位面积缩小约三分之一；但DeBoer认为实际密度受限于电容器的封装密度而非单元占位面积，称其相对6F²的密度优势是'有点神话'。他还表示4F²可以制造，但成本和复杂度更高，且在最先进节点面临根本性的微缩问题，这指向3D DRAM。这使美光与竞争对手立场相左：三星和SK海力士都在开发4F²设计，中国的长鑫存储（CXMT）表示其首款4F²产品将是年底前推出的服务器DDR5 RDIMM。美光将继续微缩6F²，其1-delta节点计划于2027年下半年在爱达荷州博伊斯拉升产能，其后的1-epsilon节点将转向混合键合。3D DRAM作为并行路径在开发中，但尚无时间表，美光表示只有在经济性合理时才会切换。若竞争对手成功实现4F²的规模化低成本生产，这将是一次有风险的押注，尤其按美光自身的估计，2027年和2028年存储供应预计将更加紧张。

来源：TechPowerUp · 2026/10/22 · 查看原始来源