美光研究4F² DRAM逾20年仍未采用，称密度优势近乎神话、电容间距决定位密度；CXMT（10月10日）与三星（CTO，10月14日）仍在推进，美光计划2H27量产1δ

据TrendForce转发的消息，美光已研究4F² DRAM超过20年，但至今仍未采用，其理由是4F²的密度优势近乎神话，电容间距（capacitor pitch）才是决定位密度的因素。与之相对，CXMT（10月10日）和三星（CTO，10月14日）仍在推进4F² DRAM；美光则计划于2H27量产（ramp）1δ。上述均为原转述内容，量产计划为计划性质，尚未实现。

来源：TrendForce Official (Market Data) · 2026/10/24 · 查看原始来源