美光发布涵盖DRAM、HBM和NAND的存储路线图更新，垂直3D HBM（vHBM）定下2028年量产目标

美光（Micron）发布一系列存储技术路线图更新，涵盖DRAM、HBM和NAND；其中最受关注的是其垂直3D HBM（vHBM），目前设定的量产目标年份为2028年，此为计划目标而非已实现的量产。同一条推文中还提到，在中国CXMT推进4F² DRAM的同时，美光走相反路线，坚持6F²，并主张仅凭单元架构并不能决定位密度。该信息发布于2026年10月22日上午7:40的推文。

来源：TrendForce Official (Market Data) · 2026/10/22 · 查看原始来源