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美光公布雄心勃勃的DRAM与NAND路线图：放弃4F²单元、1δ与G11 3D NAND计划2027年下半年量产，转向High-NA EUV、晶圆键合、新材料、3D DRAM与定制内存

发生了什么

美光公布了未来数年的DRAM与NAND技术路线图（计划性质，非已实现结果）。DRAM方面，美光决定放弃生产4F²存储单元DRAM的计划（与CXMT、三星、SK hynix不同），原因是原文所述缺乏在其现有水平之外可行的微缩路径；路线图转向晶圆键合、High-NA EUV光刻、新材料及最终的3D DRAM，并继续基于6F²单元开发DRAM。现有1γ工艺已处于大批量生产，是美光首个采用EUV的DRAM节点；下一代1δ工艺处于良率爬坡阶段，计划于2027年下半年量产，美光预期其位密度较1γ提升mid-20%，并计划在美国制造1δ DRAM，用于下一代DDR、LPDDR、图形内存、HBM5、vHBM和vEIM产品；1ε工艺（采用晶圆键合）在开发中，未公布量产时间表；ζÅ节点处于早期开发，将引入High-NA EUV，尚未公布量产时间，且预计至少到2030年才会到来（三星和SK hynix计划2028年采用High-NA EUV）；ηÅ处于pathfinding阶段。美光同时开发两代3D DRAM（3D1和3D2），仅在具备成本与性能竞争力时引入，未公布架构、层数或密度目标；除1δ外，其余节点及3D DRAM均无确定的量产窗口。定制内存方面，从HBM4E起美光将同时提供标准与定制HBM产品，后续为定制HBM5E、vHBM和vEIM；第1代vEIM目标带宽2 TB/s、数据传输能耗低于1 pJ/bit。美光正与Meta合作优化面向数据中心的LPDDR6，预期LPDDR6较LPDDR5功耗降低约35%；并计划与主要客户合作开发目标带宽为DDR5两倍的DDR6。CMOS方面，美光预期2020至2030年间CMOS逻辑性能提升超过10倍。NAND方面，第11代G11 (N170) 3D NAND计划将有源层数从276层增至超过400层、采用晶圆-on-晶圆键合，预期位密度较G9 (N160) 翻倍（3D TLC器件推测从21 Gb/mm²提升至42 Gb/mm²）、I/O速度较G9提升50%（暗示约5,400 MT/s）、每bit数据传输能耗降低超过25%，并计划于2027年下半年量产；G11之后将依靠新材料与XYZ微缩继续演进；美光还在开发面向AI的High-IOPS AI NAND（SLC设计，产品目标约2,500万至1亿IOPS，未来几年上市）和High-Bandwidth AI NAND（TSV堆叠NAND加逻辑基板），并规划容量最高512 TB的SSD。上述所有量产与性能数据均为公司计划或预期，未实现。