NuAxi半导体贸易情报

三星电话会：三季度DRAM ASP环比涨约20%，存储供给紧张或延续至2028年，2027年HBM供货已按目标价售罄，AI需求从HBM扩展至SSD

发生了什么

三星电子在10月29日的三季度业绩电话会上表示，存储市场供给紧张不仅将贯穿2027年，还可能延续至2028年；尽管行业2027年资本开支将大幅增加（公司预计2026年全年资本开支达84.4万亿韩元、较去年增加31.7万亿韩元），但受制于新增资本开支中相当部分用于购置新场地、建设周期与设备交期拉长、设备价格上涨及预付款锁产、HBM4E和HBM5 die尺寸扩大且金属制程层数增加、以及常规DRAM向HBM的生产转移，新增产能难以快速转化为bit产出。三星2027年HBM供货量已按反映产品竞争力的目标价格全部售罄，但仍持续收到主要客户的额外供货请求。三季度公司实现总营收195.3万亿韩元、营业利润107.4万亿韩元，分别环比大幅增长14%和20%，连续第四个季度刷新纪录，成为全球首家单季营业利润超100万亿韩元的科技公司；DRAM出货量环比增长低至中个位数百分比、NAND增长中个位数百分比，DRAM平均售价（ASP）环比上涨约20%，NAND ASP上涨高位十几个百分点；公司预计四季度DRAM价格环比上涨十几个百分点的中高位水平、NAND价格上涨十几个百分点左右。三季度HBM4销售量环比增长超过三倍、占HBM总销售额的60%，符合二季度设定的目标；HBM市场份额已于三季度提前达到与整体DRAM市场份额相当的水平；HBM4E样品已于今年5月初率先交付客户并获积极初步反馈，计划明年上半年启动量产、下半年大规模爬坡。AI需求正从HBM扩展至服务器SSD：Agentic AI推动KV缓存爆发式增长带动高性能、大容量TLC SSD需求，云端个人AI智能体带动QLC SSD需求，三星三季度已收到大批量QLC SSD追加订单；基于键合技术的V10 TLC产品已于三季度达到可量产状态，并准备于明年年初推出基于V9、采用2 Tb TLC、32层堆叠技术的256TB产品。商业模式方面，三星已与10家主要客户完成多年期供应合同签约，另有10家主要客户在谈、其中数家接近最后阶段，目标使多年期合同覆盖中长期产能的60%—70%，采用滚动续约机制。晶圆代工方面，预计2026年2纳米项目订单数量将较上一年增长一倍以上；美国Taylor工厂Fab 1洁净室已开始运营、设备安装已启动。股东回报方面，2026年预计总回报为90万亿至110万亿韩元，其中35万亿已列入计划或完成，董事会当日批准三季度每股4,601韩元现金股息、总额30万亿韩元，计划于11月支付；新政策及最终金额将于2027年1月下旬董事会确定。