美光计划在下一代DRAM中采用晶圆键合与High-NA EUV，同时开发直接集成于处理器之上的垂直HBM与垂直边缘推理存储器

发生了什么

据Tom's Hardware 2026年10月26日报道，美光（Micron）公布下一代DRAM技术规划：公司计划在即将到来的1ε DRAM工艺节点引入晶圆键合（wafer bonding）技术，并在其后的ζÅ（第一代10nm以下级DRAM节点）和ηÅ（第二代10nm以下级DRAM节点）世代采用High-NA EUV光刻及新材料，但尚未披露晶圆键合的具体实现方式和预期改进。美光现行1γ DRAM工艺已进入大批量生产，其后续1δ节点计划于2027年下半年进入量产，承诺位元密度提升mid-20%（20%左右），并针对HBM5、vHBM和vEIM等未来AI存储产品优化。美光还在开发3D DRAM（路线图列有3D1和3D2两代，架构和推出时间未披露），以及垂直高带宽存储器（vHBM）、垂直边缘推理存储器（vEIM）和多种定制HBM（cHBM）；第一代vEIM目标带宽为2 TB/s、能耗<1pJ/bit，与HBM4当前水平（8 GT/s、2,048-bit接口）相当。公司未披露vHBM、vEIM或cHBM何时进入商业化生产。美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer称'DRAM正接近原子极限'，并表示公司有信心推进多个平面节点，但会在成本和性能最优时机引入3D DRAM。上述内容均为计划和在研状态，不代表已实现。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Tom's Hardware · 2026/10/26 · 查看原始来源