美光跳过原规划NAND一代:放弃G10(300+层),由G9直接跃升至G11(400+层),计划明年下半年量产

美光在10月21日于投资者关系网站举行的技术与产品网络研讨会上宣布，将跳过原规划的NAND一代，加速其3D NAND技术路线图，以更快提供额外裸片容量、速度和能效。据Blocks & Files于2026年10月22日(周四15:48 UTC)报道，美光目前出货第九代G9 NAND,采用276层，首款采用该技术的2650客户端SSD于2024年7月发布。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，美光将直接从G9跳到G11,并称该存储器经过优化、面向未来AI产品。与G9相比，G11位密度翻倍、I/O速度提升最高1.5倍、传输一位所需能量减少25%;G11将采用晶圆对晶圆键合技术，层数超过400层，计划于明年下半年量产，更多细节将于明年临近发布时公布。该媒体 Bootsnote指出，G10(原规划300+层)已于2026年10月被放弃，G11对应原规划的400+层代际。DeBoer还介绍了可能基于G11的未来产品方向：高IOPS的SLC小区块AI级NAND(约2500万至1亿IOPS量级)和高带宽AI级NAND(类似HBM的TSV堆叠结构，置于加速器附近)，下一代SSD容量最高可达512TB。此外，据BNP Paribas分析师引述，美光HBM4 36GB 12-high已于2026年3月进入量产，HBM4E正在向关键客户送样，公司目标2027年量产HBM4E、2028年HBM5、2029年HBM5E、2030年HBM6,并宣布vHBM和vEIM两条新线目标2028年量产。跳代的原因，按美光说法是为更快提供额外裸片容量、速度和能效并优化AI产品；该媒体另行发表评论认为跳代属营销性质，是对三星、SK hynix及Sandisk/Kioxia代际命名的回应，此为媒体观点而非美光自述。

来源：Blocks & Files · 2026/10/22 · 查看原始来源