日本秋叶原DDR5内存价格持续攀升：1年涨760%，128GB DDR5套装突破50万日元
据Akiba PC于10月29日发布的博文，其调查了10月17日至24日期间日本秋叶原市场价格，称DDR5内存价格持续攀升，多个容量与频率规格出现明显上涨，部分高端大容量套装已接近'天价'，其中128GB DDR5套装价格突破50万日元，1年内涨幅达760%。该上涨为市场观察到的实际价格变动，原文未说明原因。
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据Akiba PC于10月29日发布的博文，其调查了10月17日至24日期间日本秋叶原市场价格，称DDR5内存价格持续攀升，多个容量与频率规格出现明显上涨，部分高端大容量套装已接近'天价'，其中128GB DDR5套装价格突破50万日元，1年内涨幅达760%。该上涨为市场观察到的实际价格变动，原文未说明原因。
据《The Information》10月30日报道，DeepSeek第二轮融资规模为1055亿元人民币，公司估值已突破6155亿元。此前当地时间10月22日，《The Information》曾称DeepSeek完成第二轮融资，募资约150亿美元（约合1001.53亿元人民币）。本轮共吸引近30家投资方参与，腾讯、宁德时代继续作为主要投资方，长鑫存储、中芯国际、美团、vivo、小红书等也出现在投资名单中。腾讯本轮投入100亿元人民币，与首轮持平，两轮累计200亿元人民币；宁德时代及其董事长曾毓群本轮合计出资100亿元人民币，高于首轮的50亿元人民币；中国移动、中国电信、中金公司、中信证券、中国人寿各自出资20亿至80亿元人民币；vivo、美团、美的、立讯精密、吉利、携程及小红书分别出资10亿至30亿元人民币。国资背景投资者贡献本轮融资金额约27%，高于首轮的2%。DeepSeek今年6月完成约510亿元人民币的首轮融资，第二轮融资目标最初为500亿元人民币，随后上调至约1000亿元人民币。此外，路透社9月报道称，DeepSeek已聘请中信证券，为其可能在上海证券交易所科创板上市做准备，但具体上市时间、估值及募资规模尚未确定。
据快科技10月29日消息，长鑫存储近日已向国内多家AI芯片设计公司交付HBM3E样品，并计划在未来两个月内启动小批量生产（目前仅为送样与生产计划，尚未量产）。俄媒报道称长鑫HBM3E良率仅为20%至30%（其所谓“80%废品率”），而市场龙头SK海力士的良率约为70%，并称长鑫HBM3E的实际性能更接近SK海力士上一代HBM3产品而非同代HBM3E，在三星和SK海力士主导的HBM竞赛中长鑫处于追赶者位置。由于大量芯片需要报废或返工，其HBM3E生产成本被显著推高，预计售价将高于海外竞争对手的同类产品。背景方面：美国出口管制收紧后，国产AI芯片厂商面临严重的HBM短缺，华为、寒武纪、沐曦等厂商已因存储成本上涨将AI芯片价格上调20%至50%。原文未说明低良率的具体原因；文内关于俄媒态度及“本土供给通道”的表述为评论性内容。
据业内消息，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）计划在未来两个月内、于2026年底前正式启动HBM3E高带宽内存量产，这被视为中国本土厂商首次进入先进HBM市场，但量产尚未发生，属计划状态。公司今年8月已开始HBM3E风险试产并向部分客户提供样品，目前已向国内AI芯片企业提供标准版及针对良率优化的新版本两种样品，正在客户侧进行测试和验证。业内消息显示，当前长鑫存储HBM3E整体良率约为20%至30%，明显低于国际领先厂商水平，其中前段晶圆制造阶段良率约30%，进入后段封装后可进一步获得约70%的合格率提升；业内分析认为其最大技术挑战来自TSV技术成熟度——长鑫尝试用约3000个TSV实现HBM3E设计，而三星在HBM2时代单层使用约5000个TSV，SK海力士在HBM3产品上已超过8000个。受此限制，长鑫存储短期内预计将专注于8层堆叠HBM3E产品，暂不快速推进容量更大的12层堆叠产品；初步测试显示其HBM3E整体表现更接近SK海力士上一代HBM3。业内分析认为，随着中国AI芯片厂商对高带宽内存需求快速增长，叠加先进AI存储供应紧张及进口限制带来的压力，长鑫仍有动力推进量产；近期市场已出现AI芯片价格上涨现象，高带宽内存供应被普遍视为重要原因之一，阿里巴巴平头哥、寒武纪等芯片企业此前均被曝测试国产HBM解决方案。业内预计，如果客户验证顺利，采用长鑫存储HBM3E的国产AI加速器产品最快有望于2027年进入市场。
据Reuters独家报道，长鑫存储（CXMT）预计将在未来两个月内开始其首款HBM存储器（HBM3E形态）的量产，即年底前正式启动。CXMT已于8月开始HBM3E存储器的风险生产，但至今仍在应对HBM3E模组良率问题，据最新报道情况依然类似。良率挑战源于其所采用硅通孔（TSV）技术的不成熟：前端制造良率约30%，后端加工在此基础上再增加约70%。据报道，CXMT尝试在每层仅使用3,000个TSV实现HBM3E，并试图在常规8层HBM3E配置中封装8层（对比三星在HBM2上每层约5,000个TSV、SK hynix在HBM3上每层超过8,000个TSV）。鉴于这些挑战，该公司在解决工程问题期间，短期内不太可能转向更高容量的12层HBM。JEDEC官方HBM3E数据显示位宽1,024-bit，速度每引脚9.2 Gbps至12.4 Gbps，多数标准配置目标为每引脚9.6 Gbps，总带宽约1.2 TB/s，容量从采用8层堆叠的24 GB到采用12层24 Gb裸片堆叠的36 GB不等。量产为预期计划，尚未确认已实现。
快科技10月28日报道，知名调研机构TrendForce日前在一次研讨会上公开内存市场前瞻预测：2027到2028年上半年DRAM定价依然乐观，2027年HBM的价格还会大涨。关于产能，TrendForce指出尽管资本开支计划很激进，但受限于无尘室及设备交付周期较长，2028年之前不大可能显著增加内存产能。在HBM市场，TrendForce判断来自中国HBM供应商的中期竞争风险有限：尽管中国HBM供应商持续进行产能和技术投资，但其在技术和良率方面与领先供应商相比仍存在相当大的差距。TrendForce预计，到2027年中国供应商在HBM市场的份额将不到2%，其中福建晋华仍专注于HBM2e，而长鑫存储则瞄准HBM3/3e；即国产HBM与三星、SK海力士及美光的HBM4及HBM4e差距一到两代。上述内容均为TrendForce的前瞻预测而非已实现结果。
快科技10月28日报道，国产DRAM制造商长鑫存储已向国内多家AI芯片设计公司送出HBM3E样品，预计未来两个月内启动小批量生产。今年8月曾有报道称，阿里巴巴平头哥、寒武纪等多家国内芯片设计公司已在测试将长鑫HBM3E与自研处理器搭配使用，最早明年投入产品。知情人士透露，长鑫HBM3E良率目前低于市场龙头SK海力士，良率偏低意味着成本随之上升，且长鑫HBM3E的售价预计将高于海外竞争对手的同类产品；长鑫已向客户送出两个版本，一款为标准设计，另一款为针对良率优化的改良版。市场格局方面，Counterpoint数据显示，今年第二季度SK海力士占全球HBM营收份额50%，三星33%，美光18%；长鑫科技当季在全球DRAM市场的营收占比为10%，是全球第四大传统内存芯片供应商。
2026年10月25日报道：据消息，中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）拒绝了苹果希望获得比三星、SK海力士和美光更具价格优势的内存供应以降低产品成本的要求，且未向苹果提供价格优惠，甚至拒绝了部分海外客户的合作请求；除苹果外，一家寻求采购DDR5内存的台湾服务器制造商也未能与长鑫存储达成合作协议。其核心目标是优先满足中国本土市场需求并推进中国存储产业自主化，将有限产能优先配置给中国客户而非争取海外市场份额。长鑫存储已开始向包括小米在内的本土企业供应LPDDR6内存产品。业内人士分析认为，拒绝这些海外订单并非受政策因素影响，而是因为公司当前生产能力几乎全部被国内市场消化，华为、小米等中国科技企业对内存芯片的需求持续增长，同时公司面临的主要挑战是市场需求增长速度远超现有产能扩张速度。
据《科创板日报》10月23日报道，长鑫科技表示，从中长期看AI对数据吞吐的需求仍在迅速增长，DRAM作为战略性基础设施的地位将会更加强化，公司对全球和中国DRAM产业的中长期前景保持坚定信心。长鑫科技10月16日发布2026年前三季度（2026年1月～2026年9月）业绩预告（为预告，非实际业绩）：营业总收入2650亿元～2700亿元，同比预增725.96%~741.54%；归母净利润1310亿元～1325亿元，同比扭亏为盈。公司此前在公告中表示，2025年下半年以来AI算力需求快速增长，全球DRAM行业景气度大幅提升，产品供不应求、价格大幅上涨，公司稳步推进产能建设，单位晶圆产出和产能利用率持续提高。背景方面：长鑫科技于2025年10月宣布量产LPDDR5X产品，芯片形态覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点，LPCAMM模组容量为16GB和32GB；今年9月，长鑫存储官宣自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。
据Counterpoint Research近期披露，中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM领域，正在开发数据传输速率达9600 MT/s的LPDDR5X低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构（传统DRAM通常为6F²布局），以缩小存储单元占用面积、提升集成密度。此前，长江存储自2025年10月起已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆，该项目仍处于研发与测试阶段，未进入大规模商业生产。报道明确指出，现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已完成验证或正式进入量产，且目前没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息，产品还需通过终端厂商验证才能进入设备供应链。另据报告，长鑫存储（CXMT）也在探索4F²架构，并计划在2026年底前推出基于该架构的DDR5注册双列直插内存模块，同样面临技术验证和量产可行性不确定性；美光科技此前曾公开质疑4F²结构在进一步微缩中存在根本性问题。Counterpoint认为，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况和第三座晶圆厂量产执行情况是后续重点观察指标。原文未说明原因方面的明确单一动因，仅提及AI数据中心扩张带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长的行业供需背景。
10月16日消息，存储芯片概念股当日早盘大涨，截至IT之家发文，长鑫科技股价涨超5%，市值重回3万亿元，再次超越工商银行成为A股市值第一；原文未说明上涨原因。背景：据IT之家10月10日报道，长鑫存储4F² DRAM架构研发取得关键进展，公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍了DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索，并官宣预计年底将推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品（属计划）。另据长鑫科技9月28日晚间公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，上述投资均为拟实施计划。
2026年10月14日，CNBC报道称长鑫存储的技术突破导致全球存储巨头股票集体大跌。美光股价下跌3.62%，韩国上市的SK海力士股价收跌10%，三星电子下跌7.4%，其他存储芯片相关股票如闪迪、希捷和西部数据也纷纷走低。长鑫存储宣布新型DRAM架构4F²取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。事件为观察到的股价下跌。
外围AI硬科技股明显回调而A股走出独立行情：今日A股早盘跟随下探，创业板指一度跌超3%，午后算力硬件、PCB、CPO回暖、沪指翻红，收盘上证指数涨0.10%站上3800，深证成指跌0.25%，创业板指跌0.18%；两市成交约1.68万亿元、比昨日略增1380亿元，超过2900只个股上涨，迅捷兴、金百泽等涨停。海外方面，隔夜美股光通信lite跌近10%，存储美光、海力士也跌4%左右；今天韩国KOSPI收跌5.46%，三星电子跌7.39%，SK海力士更是大跌10.09%，日本、台湾半导体股同样承压。原文将下跌归因于：中东局势推动布油升至每桶106美元上方创7月来新高、美债收益率虽回落但仍处高位、数据中心建设更依赖债券/银行/私募信贷及项目融资导致融资成本上升（Firmus暂停约50亿美元IPO、AI相关债券融资承压）、博通CEO对AI投资的谨慎表态，以及长鑫存储传出的技术进展放大了市场对行业竞争与资本回报的担忧；并称市场担忧的不只是AI需求，更是存储供给增加后龙头能否守住价格和利润率。文章引述路透援引的研究估算：AI基础设施到2032年或需约10.3万亿美元投资，相关产业年收入届时或需达到3.55万亿美元。文内还提及闪迪公布中长期财务框架预计FY2028至FY2030非GAAP毛利率约80%、西部数据上调季度股息、铠侠公布大规模回购框架，并提醒长期协议不等于已实现现金收入、回购框架不等于股份已注销。文末提示关注国内PCB、CPO、光通信和存储企业三季报，以及台积电10月15日的财报与指引。
长江存储计划2026年底试产DRAM，月产能2.5万片；长鑫存储拟2028-2029年量产NAND。受AI算力需求驱动，两家公司打破原有分工，争夺全品类市场份额。
双方产能扩张将加剧市场竞争，长期可能对现有存储价格构成下行压力。
努比亚NaviX Ultra定档9月16日发布，搭载长鑫存储10667Mbps LPDDR5X内存。这是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次实现量产应用。
长鑫存储产能利用率及国产高端存储芯片供应链。
长鑫存储已开始量产LPDDR6并确认向小米18 Fold供应该内存。小米18 Fold将搭载自研3nm处理器玄戒O3，该处理器支持LPDDR6。
长鑫存储技术突破及高端DRAM产能验证。
存储芯片尾盘震荡回落，SK海力士盘前跌近6%，A股设备ETF涨幅收窄。受前期获利盘回吐及韩国杠杆资金出清影响，市场短期波动加剧。尽管基本面支撑尚存，但短期交易拥挤度改善，需警惕获利了结风险。
凯美特气否认电子特气在手订单超4亿元的传闻。此前市场传闻称其客户包括中芯国际、长江存储等头部企业。
订单不及预期，打击市场对电子特气需求复苏的信心。
长鑫DDR5实际采购价与三星、SK海力士及镁光持平，并非传闻中的廉价。传统巨头聚焦HBM与AI高附加值产品，长鑫则凭借灵活商务条款与稳定供应主打标准DDR5。
长鑫以灵活条款和稳定供应提供标准DDR5替代方案，短期内无价格跳水风险。
2026年一季度全球NAND收入达460亿美元，同比飙升3.5倍，合同与现货价格持续上行。企业级AI与数据中心需求激增占总需求43%，而高成本导致传统PC出货量预计下滑11.3%。
存储现货与合约价格；关注长江存储与长鑫存储的扩产计划对长期供需格局的冲击。
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