力积电（PSMC）公布2026年第三季度营收为新台币213亿元（6.543亿美元），环比增长23%，因代工价格上调、平均售价（ASP）走强及产能利用率改善，毛利率从28%提升至48%，净利润达新台币65亿元。原文说明，AI服务器正拉动对存储、电源管理IC及先进封装的需求，PSMC预计第四季度营收将实现两位数增长，并表示2027年代工价格将再上涨10%至20%（此为涨价目标/计划，尚未发生）。
快科技10月22日报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上表示，经过二十多年研究，4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径，其相对于6F²的密度优势被指为'有点神话'，并暗示长鑫正在实施的4F² DRAM技术是死路一条。美光将跳过4F²，坚持6F²并全力转向3D DRAM，将3D1、3D2两代3D DRAM写入长期路线图，并同步推进晶圆键合与垂直HBM。该表态直接回应长鑫存储本月早些时候宣布的计划：2026年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存；该消息曾引发全球存储股集体重挫，SK海力士单日暴跌超10%，三星跌超7%。美光认为密度瓶颈在电容间距而非单元架构，且4F²需引入垂直沟道晶体管，对原子层沉积和选择性外延工艺要求极高，设备昂贵且良率爬坡困难，为缩小30%面积而多付50%制造成本商业逻辑不成立。报道称长鑫押注4F²的原因在设备约束：因无法获得EUV光刻机，中国厂商在平面微缩路线上被锁死，4F²是在DUV条件下继续推进制程的少数工程选项。行业路线已分裂：三星采取中间策略，计划2027年完成1d nm节点6F²量产、2028年底前再导入4F²；SK海力士同样在评估两条路线。原文未说明原因之外无其他影响。
据快科技10月22日消息，英特尔于周三宣布，其位于亚利桑那州的Fab 62工厂已开始安装生产设备，公司预计该工厂将于2028年底前投入运营并实现量产，但尚未透露何时开始大规模量产以及将生产哪些制程节点。Fab 62的框架结构建设早已完成。尽管英特尔14A工艺节点曾被讨论为Fab 62的潜在生产基地，但英特尔尚未正式将Fab 62指定为Intel 14A的生产基地；根据英特尔今年早些时候公布的制造工艺路线图，Fab 62将能够生产采用18A、18A-P和14A工艺节点的芯片。英特尔目前在相邻的Fab 52（已被指定用于Intel 18A生产）生产Intel 18A芯片，而Fab 62有可能容纳更多Intel 18A芯片产能，或用于生产下一代Intel 14A工艺技术，但英特尔尚未确认其在该工厂的计划。该工厂将成为英特尔位于奥科蒂洛园区的第六个大批量半导体制造厂。
三星电子最大工会计划将放宽芯片业务亏损事业部奖金惩罚机制列为明年薪资与集体谈判的议题。工会已向成员说明，该方案可能导致存储部门员工奖金缩水，但仍获得约八成参会成员支持。跨企业工会‘初企工会’三星电子支部22日表示，针对修订“DS亏损处罚机制”的提案投票通过率为81.03%；本次投票从14日持续至当日上午10点，共有33256名会员参与，其中26947人投赞成票。此举意在争取晶圆代工、System LSI等非存储板块员工支持，以便在明年单独谈判前凝聚半导体内部共识。工会将整理具体诉求，纳入2027年劳资谈判议程。该事项目前为工会提案及投票结果，属计划/提议阶段。
TrendForce指出，美光计划于2027年开始量产其1-delta（1δ）nm工艺，该工艺将接替其当前主流的1-gamma（1γ）nm工艺。在此转型之外，美光打算继续扩展其6F²架构，然后直接转向3D DRAM，跳过中间的4F²架构；相比之下，韩国和中国的DRAM制造商仍计划采用4F²架构，凸显主要供应商在工艺技术路线图上的分歧日益扩大。美光还在开发针对AI解决方案优化的内存方案，包括vHBM和vEIM，以与SK海力士的3D HBM和三星的zHBM竞争。在NAND闪存方面，美光正准备于2027年下半年（2H27）爬坡量产其G11世代；通过采用晶圆键合并堆叠超过400层，G11预计可提供两倍于G9的位元密度，并目标实现1.5倍的I/O速度提升。TrendForce认为这些进展将使美光缩小与铠侠（Kioxia）和长江存储（YMTC）的技术差距——这两者是混合键合架构的早期采用者——并在NAND性能对AI驱动的市场日益关键的背景下增强其竞争地位。上述均为计划或预期，尚未量产实现。
据快科技10月22日报道，英特尔CEO陈立武近日在媒体专访中警告全球先进芯片制造不应由一两家公司垄断，称英特尔、台积电、三星及日本Rapidus都有必要承担扩充制造基础的责任。其依据是：台积电在7纳米以下先进逻辑芯片代工市场份额已接近九成，整体晶圆代工市占率约73%，且全球AI芯片95%的产能依赖一家企业，风险极高。被问及在美国制裁限制中国获取EUV光刻机的情况下中国能否在五到十年内追上美国先进芯片制造水平时，陈立武回答'就目前来看，我认为并没有落后太多'，并称中国大陆拥有许多优秀人才，清华大学、北京大学等高校研发能力不逊于麻省理工和斯坦福。报道提到，蔡司半导体业务负责人此前评估中国在最新EUV技术上落后约15年；文中还称中国大陆在缺乏最先进EUV、面临严厉出口管制的受限环境下，通过架构创新和成熟工艺深度挖掘不断缩小差距，中芯国际先进制程仍停留在7纳米级别，华为等芯片设计企业正通过逻辑折叠技术在DUV工艺条件下挖掘性能潜力。
英特尔正在推进其长期拖延的美国半导体制造项目：亚利桑那州Fab 62工厂正在进行设备安装，俄亥俄州工地建设持续推进。原文说明，这一进展发生在AI数据中心处理器需求增强之际，支撑该公司扩大产能并强化其代工业务的努力。原文未说明具体扩产量或投产时间。
10月22日消息，马斯克在特斯拉第三季度财报电话会议上公布Terafab芯片制造项目规划：位于奥斯汀的研发晶圆厂正在取得进展，设备将于2027年上半年（'明年上半年'）启动调试，若一切顺利约在五六月份制造首批测试芯片以验证能否造出芯片。按规划，初期月产能为10万片晶圆，后续扩产至每月100万片；起步阶段仅尝试每月生产数千片晶圆，最初目标只是'验证技术思路'。Terafab的目标是'在2028年第三季度实现某类实用芯片的量产'，马斯克还称其经济价值'或许能跻身全球前二十国家经济体的水平'。项目主要合作方是英特尔，双方将合作采用14A制造工艺；14A是英特尔下一代制程节点，马斯克本次发言并未说明其在Terafab 2028年量产计划中的具体作用，英特尔已确认14A工艺将于2028年第一季度进入量产。Terafab也是特斯拉生产AI5芯片的核心项目，该芯片将用于驱动擎天柱人形机器人。上述量产内容均为规划目标，未见已实现表述。马斯克同时计划为擎天柱建造一座'机器人学校'保障AI训练，并称年产100万台机器人的目标所需时间可能超过一年：百万台级产线绝大部分设备现已落户弗里蒙特工厂，但预计至少还需一年甚至更久才能达成对应年化产能，实现每周2万台的产量；设计层面难题预计2027年底解决。报道还提及擎天柱供应链搭建中，美乐达、亚洲光学等供应商据称参与提供谐波减速器、关节模组、执行器等零部件，以及训练用Optimi机器人需一万至两万台；Colossus项目计划年底在一处设施部署总计120万枚GPU芯片。
据报道，三星电子计划转向采用台积电的3nm工艺为英伟达定制高带宽存储器（NVHBM）生产基础裸片，放弃其长期以来的turnkey整合模式，以争取进入英伟达供应链。报道指出，此举可能满足客户要求，但在韩国引发了对三星代工竞争力、HBM设计控制权以及内部协作长期收益的担忧。原文未说明该计划是否已最终敲定。
美光据报将继续采用6F² DRAM架构而不采用4F²，即使中国竞争对手CXMT正在推进后一种设计。据Nikkei报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在近期一次技术网络研讨会上表示，经过20多年的评估，4F²目前'不在路线图上'；公司计划扩展6F²架构，同时开发3D DRAM作为更长期的替代方案。DeBoer解释称，DRAM位密度主要由电容间距而非仅由单元架构决定，并指出4F²存在根本性微缩限制、更高制造复杂度和更高成本。路线图方面：1γ节点已进入大批量生产，将支撑未来12个月内推出的产品；下一节点1δ预计2027年下半年进入批量生产，目标位密度提升约20%中段水平，并将支持DDR6、LPDDR6、HBM5和垂直HBM（vHBM）等下一代存储产品；1ε节点开发晶圆键合以提升位密度并支持AI应用；1ζ和1η节点正在探索High-NA EUV、新材料等创新以延伸平面DRAM微缩。3D DRAM在路线图中位于1ζ与1η节点之间，但与平面DRAM并行开发，采用与否取决于成本、制造复杂度和器件性能。产品方面，美光正准备DDR6和LPDDR6，分别目标达到DDR5两倍带宽和较LPDDR5提升35%能效（特定密度下能效提升更大）；在近期送样512GB DDR5 RDIMM后计划推出1TB RDIMM。AI方面，公司推进vHBM（将存储直接堆叠在处理芯片上以提供大幅更高带宽），与标准及定制HBM产品并行开发，但热管理仍是挑战，封装工作包括混合键合、更高HBM堆叠和改进散热。NAND方面，美光计划于2027年下半年爬坡第11代（G11）技术，G11目标达到G9 NAND两倍位密度、1.5倍I/O速度和更低数据传输能耗，并将采用晶圆-on-晶圆键合、层数超过400层。
PSMC第三季度营收环比增长23%、同比增长80%至213亿新台币，净利润分别环比增长98%、同比增长338%至65亿新台币，毛利率提升20个百分点至48%，原因是存储器价格上涨和代工产能紧张。据Liberty Times，PSMC总裁Martin Chu预计第四季度营收将环比实现两位数增长，因平均售价持续上升；第三季度已完成的存储器晶圆ASP比同期投片晶圆低逾30%，说明近期涨价尚未完全反映在营收中，价格较高的晶圆预计在第四季度贡献更多。据TechNews，全球DRAM供应紧张（主要厂商将产能转向HBM并逐步退出特殊型DRAM）使PSMC特殊型DRAM代工价格保持高位；PSMC与Micron的1p DRAM合作正在推进，PDK将于2026年底交付，设备预计2027年一季度到达，试产计划2027年二季度开始。PSMC称MLC NAND供应紧张推动高容量SLC NAND需求，公司正将SLC代工平台转向24nm；AI服务器所需NOR Flash为传统服务器的三至五倍，PSMC是中国以外唯一的NOR Flash代工厂。据PSMC财报说明会，其8英寸和12英寸逻辑代工服务的投片晶圆ASP第三季度上涨8–10%；由于产能持续受限，公司计划在2027年进一步调涨价格10–20%，并正在谈判长期协议(LTA)以锁定价格和产量。55nm BCD产品已开始出货，客户寻求三年合约；2026年代工产能满载挤压智能手机PMIC生产，主要手机厂商寻求2027年产能；2027年MOSFET和IGBT产能的80%已由LTA覆盖；GaN产品已进入小批量晶圆生产，等待最终客户验证。IPD订单能见度延伸至2028年，8英寸和12英寸晶圆已量产；WoW混合键合技术小规模试产进行中，量产目标2027年上半年。Micron PWF项目按计划推进，中试线建设预计2026年底完工，量产计划2027年第四季度。
Intel于2026年10月21日（周三）宣布，已开始在其亚利桑那州Fab 62安装生产设备，该工厂按计划将在2028年底前实现量产；但公司未披露开始大规模生产的具体时间、计划晶圆产能及所需资本支出，也未正式将Intel 14A分配给Fab 62（Fab 62仍处于未分配状态，而Fab 52已被指定用于Intel 18A）。据Intel今年早些时候披露的路线图，Fab 62可生产18A、18A-P和14A节点的芯片。Intel同时确认已将High-NA EUV光刻技术整合进大规模生产（HVM），用于在俄勒冈州D1X工厂生产Panther Lake CPU的部分tile；但Intel未明确确认High-NA EUV扫描仪目前是否仅生产与Low-NA EUV相同的电路。此外，俄亥俄州New Albany的Ohio One制造园区最近安装了首座fab的第一根大型结构桁架，但Intel未提供更新的建设时间表，也未披露该fab何时开始运营、将采用何种工艺技术或产能规模。原文未说明原因（此为产能扩张进展，非价格或中断事件）。
据ZDNet援引业内消息人士报道，已将其推理技术授权给NVIDIA的AI芯片公司Groq正在考虑在下一代芯片中采用3D堆叠DRAM，可能放弃其以SRAM为中心的设计，从而显著增加片上内存容量；该消息属于传闻/计划，并非已确认的实施。报道指出Groq正在探索3DS（3D堆叠内存），其通过硅通孔（TSV）垂直连接DRAM裸片；3DS与HBM虽都依赖TSV，但HBM侧重高数据传输速度，3DS侧重在保留传统DRAM接口的同时增加内存容量。现有NVIDIA Groq 3 LPX是面向Vera Rubin平台的机架级AI推理加速器，据NVIDIA称，每颗Groq 3 LPU集成500MB SRAM、片上内存带宽150TB/s，整套LPX机架组合256颗LPU、提供128GB SRAM和40PB/s聚合SRAM带宽；据该公司称，每个机架还提供12TB DDR5内存与128GB SRAM并用。据36Kr援引d-Matrix CEO Sid Sheth称，SRAM容量每两年仅增长约10–20%，而AI模型规模可能每六到九个月翻倍，这一差距使SRAM难以单独满足内存容量与带宽需求。制造方面，据Seoul Economic Daily，Samsung Foundry在其Pyeongtaek工厂以4nm工艺代工NVIDIA的Groq 3 LPU；Samsung高管曾在6月表示正在与NVIDIA就下一代Groq LPU讨论代工合作；TSMC董事长魏哲家在4月的法说会上表示TSMC正与客户合作开发下一代LPU。此外，同样重度依赖SRAM的Cerebras也在推进3D堆叠DRAM，据该公司称其未来的CS-6系统将把堆叠DRAM与晶圆级SRAM及计算整合，以在保持快速数据访问的同时显著扩展内存容量。
埃隆·马斯克于10月20日在X平台上SpaceX 2026年第三季度财报电话会议的直播中表示，ASML及其他关键半导体设备供应商已加快向Terafab半导体制造设施（特斯拉与SpaceX的联合巨型项目）发货，以支持其激进的时间表。他说公司目标是到2028年第三或第四季度在位于得克萨斯州Gibbons Creek的主要工厂实现芯片量产，并强调该时间表'高度理想化'且带有'很大误差'；SpaceX计划于2027年第二季度前后在得州奥斯汀的研发制造工厂生产首个实验性测试芯片。Terafab将采用基于英特尔14A制程节点的传统极紫外（EUV）光刻系统；英特尔于2026年4月正式加入Terafab项目以共同开发和重构硅制造技术。据非官方消息，Terafab首台EUV设备原定于2027年年中交付，目前尚不清楚这是否就是马斯克在广播中所指的加快交付的时间表。其他主要供应商包括美国设备制造商应用材料、泛林研究和科磊（KLA）以及日本的东京电子；特斯拉和SpaceX还在与约10家韩国设备制造商洽谈，包括以先进封装设备著称的Hanmi Semiconductor和高压氢退火设备制造商HPSP。马斯克还概述了其AI公司的算力目标：预计到2026年底有25-30亿瓦（GW）算力投入使用，到2027年底总计达到13 GW，并计划到2027年第二季度末使一个44万GPU的英伟达'Vera Rubin'训练集群上线。该事件属于计划/目标状态，尚未实现量产。
英特尔代工（Intel Foundry）的一篇评论文章称，引用美国半导体行业协会（Semiconductor Industry Association）数据，美国在全球半导体制造中的份额从1990年的37%降至2022年的10%。文章称，英特尔亚利桑那州Fab 62的建设和工具安装正在进行中，预计2028年底投入运营，同时其俄亥俄州项目达到了又一个结构里程碑；文章强调建设进展是为未来需求做准备的信号，但最终影响将取决于执行、客户采用和制造竞争力。文章还称，英特尔与49个州的4,500多家供应商合作，每年在美国国内的支出超过290亿美元。以上为评论文章内容与英特尔的表述，属计划中/进行中的建设，并非已实现的产能结果。
TrendForce发文称AI正在推动一波晶圆代工扩产潮，其按地区梳理了8英寸与12英寸产能及新建产能计划，其中包括台积电在台湾的17个新建阶段。该内容为发布于2026年10月21日的推文，属于产能扩张计划的信息整理，原文未说明原因以外的原因或实施进度细节。
QYResearch（北京恒州博智）发布中国半导体晶圆机械手市场研究报告，预测半导体晶圆机械手年复合增长率为6.0%（2026-2032），历史数据覆盖2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告核心总结指出：2025年半导体晶圆传输机械手大气型收入占比为72%，刻蚀与沉积应用收入占比为63%。产品分为真空机械手与大气机械手，应用于刻蚀、沉积、检测与量测等设备。报告提及RORZE与川崎重工于2026年8月达成和解的专利纠纷；RORZE于2026年10月公布扩产计划，通过增加越南生产空间及扩大上海运营能力，其中上海新增工厂计划于2027年春季投入运营，越南新工厂计划于2027年第四季度投入运营。报告还称2026年上半年新松机器人披露其两轴、三轴真空直驱机械手已通过下游工艺设备厂商批量导入终端晶圆厂成熟制程产线并开始逐步导入先进制程产线，四轴真空直驱机械手完成客户端现场应用验证，进入产品定型与小批量交付阶段。该内容为市场背景与预测信息，无即时价格或供应事件。
据报道，三星4纳米和5纳米工艺的良率相对稳定。由于近期客户订单激增，三星电子晶圆代工业务部门的4纳米工艺产能已接近饱和，公司正加大销售力度，力求为其5纳米工艺争取更多客户，且5纳米工艺还能提高现有生产设施的利用率。业内人士预计，4纳米工艺利用率的提高和新的5纳米订单将有助于三星晶圆厂近期业绩的提升。相比之下，三星在下一代旗舰级2纳米工艺上争取重要客户仍面临挑战：三星电子正在与全球大型科技公司洽谈基于2纳米工艺的半导体生产合同，但部分谈判进度有所滞后。原文说明，尖端工艺不仅需要对良率进行验证，还需要对能效、知识产权以及稳定的量产能力进行全面验证，因此从签订合同到实现量产需要相当长的时间。（新浪财经）
据行业报道，三星电子代工业务尚未与全球主要科技公司敲定2nm制程合同，同时需求已推动其4nm产线接近满载产能。公司正扩大努力争取新的5nm订单，以期提升成熟制程的利用率并改善代工业务的盈利能力。2nm客户签约仍处于未完成状态，4nm接近满载为已观察到的状态，原文将4nm接近满载归因于需求。
文章列出十大中国半导体公司：SMIC为中国最大代工厂，2025年营收约93亿美元；CXMT为国内领先DRAM厂商，营收突破80亿美元；华为海思为顶尖芯片设计公司（麒麟、昇腾AI等）；长电科技为中国最大封测厂；北方华创为领先设备商；华虹集团为专注特色/成熟制程的代工厂；长江存储为主要国产3D NAND厂商；韦尔股份为主要图像传感器及模拟/设计企业；通富微电为第二梯队大型封测企业；寒武纪或海光信息分别为领先AI加速器或x86兼容服务器CPU厂商。原文未说明原因，亦无价格变动、产能变化或政策事件。
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全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |