美光总裁Scott DeBoer称4F² DRAM架构不存在可行微缩路径，美光将跳过4F²坚持6F²并全力转向3D DRAM，直接回应长鑫2026年底前推出4F²架构DDR5 RDIMM的计划

快科技10月22日报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上表示，经过二十多年研究，4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径，其相对于6F²的密度优势被指为'有点神话'，并暗示长鑫正在实施的4F² DRAM技术是死路一条。美光将跳过4F²，坚持6F²并全力转向3D DRAM，将3D1、3D2两代3D DRAM写入长期路线图，并同步推进晶圆键合与垂直HBM。该表态直接回应长鑫存储本月早些时候宣布的计划：2026年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存；该消息曾引发全球存储股集体重挫，SK海力士单日暴跌超10%，三星跌超7%。美光认为密度瓶颈在电容间距而非单元架构，且4F²需引入垂直沟道晶体管，对原子层沉积和选择性外延工艺要求极高，设备昂贵且良率爬坡困难，为缩小30%面积而多付50%制造成本商业逻辑不成立。报道称长鑫押注4F²的原因在设备约束：因无法获得EUV光刻机，中国厂商在平面微缩路线上被锁死，4F²是在DUV条件下继续推进制程的少数工程选项。行业路线已分裂：三星采取中间策略，计划2027年完成1d nm节点6F²量产、2028年底前再导入4F²；SK海力士同样在评估两条路线。原文未说明原因之外无其他影响。

来源：快科技 · 2026/10/22 · 查看原始来源