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据报道三星拟采用台积电3nm工艺为英伟达NVHBM生产基础裸片，放弃长期turnkey整合模式以进入其供应链，引发对三星代工竞争力与HBM设计控制权的担忧
据报道，三星电子计划转向采用台积电的3nm工艺为英伟达定制高带宽存储器（NVHBM）生产基础裸片，放弃其长期以来的turnkey整合模式，以争取进入英伟达供应链。报道指出，此举可能满足客户要求，但在韩国引发了对三星代工竞争力、HBM设计控制权以及内部协作长期收益的担忧。原文未说明该计划是否已最终敲定。
high-bandwidth memory (NVHBM) base die
SamsungTSMCNvidiaNVHBMbase die
来源：DigiTimes Asia · 2026/10/21 · 查看原始来源
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