意法半导体推出面向空调、热泵和家用电器的IGBT功率模块，20-A智能模块集成控制驱动级并采用顶部冷却SLLIMM封装
STMicroelectronics推出面向空调、热泵和家用电器的IGBT功率模块。该公司的紧凑型20-A智能功率模块将控制和驱动级与智能控制及保护功能集成于紧凑的顶部冷却SLLIMM模块中。原文未说明价格、产能或供货时间等信息。
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STMicroelectronics推出面向空调、热泵和家用电器的IGBT功率模块。该公司的紧凑型20-A智能功率模块将控制和驱动级与智能控制及保护功能集成于紧凑的顶部冷却SLLIMM模块中。原文未说明价格、产能或供货时间等信息。
垂直半导体与美商务部CRDO签署意向书，拟获最高7300万美元CHIPS法案联邦激励资金。
Delta在Energy Taiwan 2026（10月14日至16日，台北南港展览馆1馆4楼，摊位M0319a）展出面向AI工厂、高性能计算（HPC）数据中心和智能制造的微电网解决方案。其基于固态变压器（SST）的预制化直流电源系统采用容器化架构，集成SST、DC/DC转换器和控制设备，减少功率转换级数，SST能效最高达98.5%；据Delta称，该方案可将AI数据中心的电网到芯片能效提升4–5%。系统可配置高倍率电池以应对AI负载快速变化，提供毫秒级电力支撑，其模块化预制设计最多可缩短50%的部署时间，架构支持未来随算力需求增长的容量扩展。Delta还展出可用于分布式发电的固体氧化物燃料电池（SOFC）技术，热回收后系统总效率最高可达85%；Delta计划在2026年底前开始SOFC方案的试产。展会还包括由Delta ESG咨询办公室开发、基于ISO 50001能源管理方法的EnergiQ数字能源管理平台，以及来自台湾工业技术研究院、台湾经济研究院和Delta智慧能源与微电网团队的专家演讲。
美光在本周的一次活动中宣布，其下一代3D NAND（G11）计划于2027年下半年进入量产，据称将带来三大优势：存储密度翻倍（约达G9的2倍，3D TLC从21 Gb/mm²提升至42 Gb/mm²）、I/O性能较公司现款NAND提升最高50%（接口速度从3,600 MT/s提升至5,400 MT/s）、每bit数据传输能耗降低超过25%。G11将采用晶圆级键合（wafer-on-wafer bonding）技术，将NAND阵列（新3D NAND节点）与外围电路及I/O（逻辑工艺）分别制造后键合在一起，并过渡到超过400层的NAND；美光未披露G11的具体有效字线层数与堆叠数。美光高管Scott DeBoer称G11是世界上最先进的NAND，将于明年下半年开始爬坡。美光还计划在2027年披露更多G11技术细节，并在G11之后开发高迁移率新材料、更致密的单元架构等以延续XYZ方向扩展；G11之后的世代的具体架构细节、密度目标或量产时间表尚未披露。以上为厂商公布的计划与预期，量产尚未实现。
本篇为网站过去一周最受欢迎文章的汇总榜单。第5位：Google与Synaptics推出xMCU，一种结合异构AI原生计算与加速、并集成可扩展至数百MB高带宽定制DRAM的MCU，Astra SR200系列面向AI可穿戴和电池供电传感设备，可在设备端运行更大AI模型。第4位：据Data Centers Processor Market Monitor 2026年第三季度报告，代理式AI正在复苏数据中心CPU需求，CPU营收增长35%，高于AI ASIC（+23%）和GPU（+13%），GPU与AI ASIC设计商因DRAM价格急剧上涨而缩减路线图。第3位：伦敦 neocloud 初创公司Nscale的IPO计划再遇挫折，微软退出其埃塞克斯郡Loughton数据中心的锚定租户协议，双方均未说明退出原因，但UK Power Networks已告知Nscale，在2030年代早中期之前无法为该站点供应足够电力。第2位：据Seoul Economic Daily报道，Nvidia要求三星、海力士和美光为其名为NVHBM的定制HBM使用台积电3nm节点制造的基础裸片（base die），基础裸片包含HBM堆栈底部处理内存控制器和接口的逻辑层；Nvidia提出该要求的理由原文未展开说明。第1位：据路透社看到的高通CEO Cristiano Amon致员工的备忘录，高通将在全球范围裁员，通知将于下月开始，涉及人数未知；公司2025年9月拥有5.2万名员工，备忘录将此次裁员描述为“年度评审后以绩效为重点的精简”。
XP Power推出UCH750系列750W对流冷却AC-DC电源，面向需要低噪音、高效率与可靠性能的医疗及工业设备。该系列采用底盘安装、无风扇设计，降低声学噪音并消除易磨损机械部件，适用于医疗影像、患者监护、诊断仪器、治疗设备及家用医疗器件等噪音敏感应用，亦覆盖医院设备、工厂自动化、半导体制造、测试测量系统与电信基础设施。转换效率最高达96%，单机尺寸203.2 × 127.0 × 40.0 mm。系列支持BF（人体浮动）应用部分分类，提供2 × MOPP输入输出隔离，在264 VAC、60 Hz条件下最大患者漏电流为100 µA；报告符合IEC 60601-1，并已获UL和TÜV安全认证，另有IEC 62368-1安全认证，满足EN 55032 Class B传导与辐射发射限值；提供Class I与Class II版本。五个型号在90–264 VAC通用输入下提供12 V、24 V、36 V、48 V、54 V标称DC输出，100 VAC输入且环境温度最高+50°C时可输出全功率750 W；具备远程开关控制、5 VDC/2 A待机输出及过载、短路、过压、过温保护。产品通过Avnet Abacus、DigiKey、element14、Farnell、Mouser、RS、TME、授权区域分销商及XP Power直销供应，附带三年保修。此为产品发布信息，不构成产能或价格变化的确认事实。
快科技10月23日报道，长城汽车旗下2027款坦克500于当晚正式上市，共推出4款车型，售价33.5万-37.5万元：Hi4-T 33.5万元、Hi4-T智享版 35.5万元、3.0T五座 35.5万元、Hi4-Z智享版 37.5万元，官方定位“全域科技豪华SUV”，本次改款带来软硬件及安全冗余方面296项优化升级。10月31日前订车可享总价值至高76000元的上市权益。智驾方面，新车搭载Coffee Pilot 4辅助驾驶系统，配备700TOPS算力的英伟达Thor-U芯片，以及包括禾赛192线激光雷达、前向4D毫米波雷达在内的27个传感器，支持全场景NOA；Coffee Night Vision 2.0远红外夜视系统探测距离达300米。动力方面，Hi4-Z版系统综合功率635kW、峰值扭矩1195N·m，59.05kWh电池带来201km WLTC纯电续航、综合续航1134km；Hi4-T版综合功率310kW，37.1kWh电池纯电续航110km；3.0T V6燃油版最大净功率260kW。上市近五年，坦克500已积累超20万用户。
STMicroelectronics（总部位于瑞士日内瓦）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器系列，推出新的MasterGaN7器件，其中包含具有6A最大电流额定值的650V增强型氮化镓（GaN）晶体管。原文未说明原因。新系列旨在帮助设计人员提升电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用中的效率和功率密度。
Microchip Technology（Nasdaq: MCHP）于2026年10月23日宣布推出POL-05-20S-T，这是一款耐辐照的Point-of-Load（POL）转换器，面向太空处理应用的电源需求。该器件采用氮化镓（GaN）功率器件，可提供高达20A的输出电流；封装为1.51” x 1.51” x 0.45”的25g表面贴装封装。输入电压范围4.75V至13.2V，输出可在0.7V至5V范围内调节，适用于FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型数字负载的核心电压轨。该器件电气参数已在总电离剂量（TID）高达50 krad的辐照前后进行规定，单粒子效应（SEE）表征至43 MeV·cm²/mg的线性能量传输（LET），全负载工作温度为−55°C至+100°C。该产品现已可按生产数量供货，可直接从Microchip购买或通过其销售代表及全球授权分销商购买。原文未说明原因（属于产品发布，无需因果说明）。
在SEMICON West 2026期间，Soitec首席产品官René Jonker接受采访，介绍这家1992年从CEA-Leti分拆、以Smart Cut工艺为核心的衬底公司。公司现运营五个主要技术平台：RF-SOI（用于几乎每部5G手机和Wi-Fi模块中的RF开关和低噪声放大器）、FD-SOI（用于汽车雷达、IoT微控制器和边缘设备，可在不缩小工艺节点的情况下降低功耗30%至50%）、Power-SOI（用于高压汽车和工业电路）、POI（面向5G和6G声学RF滤波器），以及十年前开发、当前承载公司的Photonics-SOI平台。Jonker称Photonics-SOI被视为'新的黄金'，AI集群互联需求使流量转向光纤，该平台以'非常可观的增速'驱动Soitec业务，并支撑正在进入AI数据中心的共封装光学。文中提及，在巴黎泛欧交易所上市的Soitec，2026年1月投入100美元的投资者到10月初持有超过600美元。Jonker表示直接竞争主要来自GlobalWafers（其'曾经或现在能接触Soitec的IP'），技术层面竞争包括FD-SOI客户可选TSMC FinFET，以及硅与铟磷化物在光波导上的权衡。SmartSiC（降低EV逆变器SiC功率器件成本）与面向6G功率放大器和航空航天的RF-GaN仍在开发中，FD-SOI正向更小几何尺寸推进。
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) 宣布推出面向先进能源与电网基础设施的超高压 (UHV) SiC 功率模块家族。新型 G4H08MT23GB4 2300 V 全桥模块家族采用行业标准 SiCPAK 封装形态，具有同类领先的 RDS(ON) (8 mΩ)，基于 Navitas 第四代 GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) 架构开发，用于提升固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器和 EV 兆瓦级充电基础设施的效率与功率密度；此次发布扩展了 Navitas 的 2300 V 和 3300 V 超高压 SiC 产品组合。模块采用氮化铝 (AlN) 活性金属钎焊 (AMB) 基板，支持超过 5 kV 的隔离能力，环氧树脂灌封技术热导率较硅胶提升 10 倍，高压弹性压接引脚每引脚载流能力为标准压接连接的两倍，并提供可选预涂热界面材料 (TIM)。新模块家族将按 Navitas 的 AEC-Plus 可靠性基准进行认证，该基准测试超出 AEC-Q101 和 JEDEC 标准要求，包括动态反向偏置 (DRB) 和动态栅极开关 (DGS) 测试，静态高温高压测试 (HTRB、HTGB、HTGB-R) 时长增加超过三倍，并实现扩展的功率循环和温度循环测试以及针对功率模块、分立器件和已知良品裸片 (KGD) 的 HV-H3TRB (HV-THB) 认证。公告将该模块家族置于 Navitas AI 基础设施产品组合的中心，作为将电网电力直接转换为 AI 数据中心机架内高压直流轨的固态变压器中的中压构建模块。
Darveen发布搭载Intel Core Ultra 5 125H/U系列处理器（Meteor Lake）的DPC-1210工业平板电脑，面向边缘AI应用。该产品总平台AI性能最高达34 TOPS，支持通过M.2 AI加速模块（如DEEPX DX-M1M）扩展AI性能；配备21.5英寸投影式电容触摸屏（全高清1920×1080、450尼特亮度、防眩光表面）、无风扇铜热管散热系统，I/O包括2x COM、4x USB 3.0、2x LAN、1x HDMI、1x DisplayPort，并支持安装两块2.5英寸SATA 3.0 HDD/SSD硬盘及RAID 1镜像。Darveen成立于2007年，产品覆盖车载电脑、工业平板电脑、工业显示器、嵌入式盒式电脑和加固平板等领域。
据《科创板日报》10月23日报道，长鑫科技表示，从中长期看AI对数据吞吐的需求仍在迅速增长，DRAM作为战略性基础设施的地位将会更加强化，公司对全球和中国DRAM产业的中长期前景保持坚定信心。长鑫科技10月16日发布2026年前三季度（2026年1月～2026年9月）业绩预告（为预告，非实际业绩）：营业总收入2650亿元～2700亿元，同比预增725.96%~741.54%；归母净利润1310亿元～1325亿元，同比扭亏为盈。公司此前在公告中表示，2025年下半年以来AI算力需求快速增长，全球DRAM行业景气度大幅提升，产品供不应求、价格大幅上涨，公司稳步推进产能建设，单位晶圆产出和产能利用率持续提高。背景方面：长鑫科技于2025年10月宣布量产LPDDR5X产品，芯片形态覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点，LPCAMM模组容量为16GB和32GB；今年9月，长鑫存储官宣自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。
快科技10月23日报道，今日晚间东风风神L8+正式上市，共推出4款配置，上市指导价13.99-16.99万元，限时置换价12.99-15.99万元：220KM卓越版指导价13.99万元（限时置换价12.99万元）、220KM旗舰版指导价14.99万元（限时置换价13.99万元）、220KM激光雷达卓越版（700TOPS算力）指导价15.99万元（限时置换价14.99万元）、220KM激光雷达旗舰版（700TOPS算力）指导价16.99万元（限时置换价15.99万元）。权益方面，11月30日前下定并完成交车可享限时至高七重豪礼，包括10000元厂家置换补贴、至高13万元5年长贷2年0息、限时赠送价值8000元19扬声器WANOS全景声音响、首年辅助驾驶无忧服务、999元购价值5000元出行无忧服务包、3年免费娱乐流量、首任车主10年不限里程质保加三电终身质保。智驾方面，风神L8+全球首搭天元智驾T800，配备小米澎程同款英伟达Thor-U芯片，算力700TOPS，官方称该算力达同级主流水平的3.5倍、可确保5年不过时；车顶配备禾赛ATX半固态激光雷达。算法层面融合Momenta R7世界模型，官方称其能力媲美华为乾崑ADS Max；风神L8+是全球首批Momenta R7完全体量产车型，无需OTA直接现货上车。新车上市前在央视直播见证下完成智驾珠峰108拐挑战，全程零接管。此外官方称支持车位到车位智驾、最长3公里最多跨7层的跨层记忆泊车、全域无图NOA；车身尺寸4762/1910/1686mm，轴距2825mm；搭载4挡马赫电混，发动机热效率45.18%，30.3kWh电池实现220km CLTC纯电续航，CLTC综合续航超1500km。官方称在13-17万插混SUV市场与比亚迪宋PLUS DM-i、吉利银河L7等对手相比具性价比。
本文为技术综述（背景类），讨论FinFET结构与垂直GaN在高功率电子（工业、电动车、AI数据中心）功率应用中的角色，未涉及价格或供需变化。要点：FinFET自逻辑转向功率路径，GlobalFoundries等代工厂提供FinFET工艺；Empower Semiconductor（现属Analog Devices）基于超快FinFET功率晶体管开发FinFast平台；Claros（现属Navitas）宣布将在三星美国14nm FinFET工艺上制造其集成稳压器（IVR）。据Empower，其Crescendo IVR瞬态响应较传统方案快约20倍；通过并联最多50个IVR（每个约60A）可向负载供应超过3,000A，电压跌落降低2倍，公司称可使典型AI工作负载的xPU功耗额外降低15%。2026年5月，Analog Devices宣布以15亿美元现金收购Empower Semiconductor的最终协议，交易于2026年7月完成。垂直GaN方面：2024年Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产以开发650V与1,200V垂直导通GaN FET；onsemi推出专有GaN-on-GaN垂直架构（vGaN），称能耗降低近50%，该技术在位于纽约Syracuse的晶圆厂（2024年底从NexGen Power Systems收购）生产；2025年10月，MIT衍生公司Vertical Semiconductor筹集由Playground Global领投的1,100万美元种子轮，基于8英寸晶圆展示100V至1.2kV垂直GaN工艺，并希望年底前推出 fully integrated 产品。原文未说明价格影响或市场供需原因。
据IT之家10月23日消息，机械革命极光产品线在极光X之外又上架一款极光16 Pro游戏本，搭载英特尔酷睿i7-13645HX处理器、RTX 4050独立显卡（6GB显存、支持140W满功耗释放）、16GB内存、512GB固态硬盘，京东显示定价8799元，首发价暂未公布，10月30日开售。该机采用16英寸电竞屏（2560×1600分辨率、180Hz刷新率、92%屏占比、500nits典型亮度、100% sRGB色域）、航空级铝镁合金机身，券后价8499元（领300元券）。此为新品上架信息，非价格变动或产能事件。
寒武纪公告称，公司已推出的产品体系覆盖云端、边缘端的智能芯片及板卡、智能整机、处理器IP及软件，可满足云、边、端不同规模的人工智能计算需求；公司在云端智能芯片领域已形成较强的产品竞争力与客户基础。公司表示，当前人工智能算力市场需求持续旺盛，能够支撑公司业务稳步增长；同时毛利率维持在较高水平且保持稳定，收入规模的快速增长并未对盈利能力形成摊薄。公司预计，随着市场的持续拓展与收入规模的不断扩大，业绩有望保持增长（原文为公司预期表述，非已实现业绩）。原文未说明需求旺盛的具体原因。
这是一篇市场策略评论文章。作者称本周A股放量普跌、失守关键点位后走出V型反转，市场情绪出现企稳迹象。文中援引的数据包括：股票型ETF节后累计净流入超1500亿元，10月20日全市场ETF单日净流入约206亿元（其中股票型ETF约108亿元），但作者认为主体是护盘资金而非自发抄底资金；复盘2021年以来11次被认为护盘资金介入的交易日，仅4次当天见底，其余7次继续下探，有的在介入后又跌10%到22%。回购方面，仅10月1日至15日A股新增回购计划约280家、拟回购金额上限合计约1360亿元，而9月全月为426亿元、1月为180亿元；截至10月19日，年内已有28家半导体公司发布33条回购计划。下跌原因方面，作者归因于油价持续上涨使加息预期升温、全球AI板块去杠杆（纳指100创2025年4月以来最大单周跌幅，费城半导体指数八连跌）、以及国内筹码结构破坏和增量资金不足；并援引美银数据称自ChatGPT发布以来AI相关债务累计发行已达1.37万亿美元，BBB级CMBS利差年内扩大147个基点至390个基点，AAA级仅扩大27个基点。作者认为A股存储、光模块跌得最狠，因其是海外云厂商资本开支的影子资产；并建议若反弹持续可分层关注AI算力链超跌龙头（存储、光模块、PCB）、国产链超跌龙头（半导体设备、国产算力芯片）及红利大金融，同时提示海外通胀与加息预期反复、AI景气度不及预期等风险。文中所有买入建议均为作者观点，不构成任何已发生的企业事件。
10月23日A股上演深V反转：早盘指数集体下跌，沪指一度跌破3600点，创最近一年新低，最恐慌时下跌股票接近5300只，创业板指盘中一度下跌3%；午后创业板指十几分钟翻红，收盘大涨4.16%，全市场超过4500只股票上涨，全天成交1.97万亿元，比前一天放量约4300亿元。原文说明早间下跌原因为三股压力叠加：一是中东局势紧张，国际油价重新站上每桶110美元，引发对通胀和美联储加息的担忧；二是海外科技股行情分歧加大，前期涨势较猛的AI、算力方向松动，A股半导体、光模块随之补跌；三是市场此前已下跌一个多月，情绪脆弱。转机出现在午间：12点08分开始，光迅科技、新易盛、中际旭创、天孚通信、源杰科技、联讯仪器六家光模块、光通信龙头在半小时内密集发布公告，内容一致为生产经营正常、在手订单充足；其中新易盛拟以8亿至10亿元回购自家股票，回购价不高于每股500元（回购为计划，尚未实施）。资金面上，截至10月22日，宽基ETF已连续6个交易日净流入超百亿，累计净流入约1679亿元，其中10月15日流入446亿元，10月20日、21日小幅加仓，10月22日加至516亿元。作者判断当日反弹由托底资金、消息催化与超跌反弹三股力量共同推动，性质更接近'政策底＋情绪修复'，与2024年9月24日政策组合拳直接点燃的行情不同；并建议后市关注三件事：成交能否维持在1.9万亿元以上、光模块能否带动AI、机器人、半导体扩散行情，以及油价、地缘与美联储等外部变量是否松动。
快科技10月23日消息，Intel CTO Pushkar Ranade在美国博客节目Dwarkesh Patel的采访中表示，从技术层面看Intel已经赶超台积电，但在性能、功耗、面积和密度等方面可能还差几个百分点，到这个阶段没必要吹毛求疵。他同时承认在芯片产能上追赶台积电还是一个缓慢而渐进的长期过程，急不来。此外，前不久Intel高管曾首次明确其下一代工艺14A与台积电A14工艺的差距在5%以内，但该表态含糊，未说明是Intel领先还是台积电领先5%。文章还指出，14A能否获得更多大客户订单，关键不在那5%的技术指标，而在于产能、良率控制、按时交付能力和代工价格竞争力。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |