FinFET与垂直GaN功率应用综述：ADI以15亿美元收购Empower于2026年7月完成，onsemi推出GaN-on-GaN垂直架构vGaN

本文为技术综述（背景类），讨论FinFET结构与垂直GaN在高功率电子（工业、电动车、AI数据中心）功率应用中的角色，未涉及价格或供需变化。要点：FinFET自逻辑转向功率路径，GlobalFoundries等代工厂提供FinFET工艺；Empower Semiconductor（现属Analog Devices）基于超快FinFET功率晶体管开发FinFast平台；Claros（现属Navitas）宣布将在三星美国14nm FinFET工艺上制造其集成稳压器（IVR）。据Empower，其Crescendo IVR瞬态响应较传统方案快约20倍；通过并联最多50个IVR（每个约60A）可向负载供应超过3,000A，电压跌落降低2倍，公司称可使典型AI工作负载的xPU功耗额外降低15%。2026年5月，Analog Devices宣布以15亿美元现金收购Empower Semiconductor的最终协议，交易于2026年7月完成。垂直GaN方面：2024年Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产以开发650V与1,200V垂直导通GaN FET；onsemi推出专有GaN-on-GaN垂直架构（vGaN），称能耗降低近50%，该技术在位于纽约Syracuse的晶圆厂（2024年底从NexGen Power Systems收购）生产；2025年10月，MIT衍生公司Vertical Semiconductor筹集由Playground Global领投的1,100万美元种子轮，基于8英寸晶圆展示100V至1.2kV垂直GaN工艺，并希望年底前推出 fully integrated 产品。原文未说明价格影响或市场供需原因。

来源：Power Electronics News · 2026/10/23 · 查看原始来源