Navitas 推出用于提升能源与电网基础设施效率的新一代超高压 SiC 功率模块

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) 宣布推出面向先进能源与电网基础设施的超高压 (UHV) SiC 功率模块家族。新型 G4H08MT23GB4 2300 V 全桥模块家族采用行业标准 SiCPAK 封装形态，具有同类领先的 RDS(ON) (8 mΩ)，基于 Navitas 第四代 GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) 架构开发，用于提升固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器和 EV 兆瓦级充电基础设施的效率与功率密度；此次发布扩展了 Navitas 的 2300 V 和 3300 V 超高压 SiC 产品组合。模块采用氮化铝 (AlN) 活性金属钎焊 (AMB) 基板，支持超过 5 kV 的隔离能力，环氧树脂灌封技术热导率较硅胶提升 10 倍，高压弹性压接引脚每引脚载流能力为标准压接连接的两倍，并提供可选预涂热界面材料 (TIM)。新模块家族将按 Navitas 的 AEC-Plus 可靠性基准进行认证，该基准测试超出 AEC-Q101 和 JEDEC 标准要求，包括动态反向偏置 (DRB) 和动态栅极开关 (DGS) 测试，静态高温高压测试 (HTRB、HTGB、HTGB-R) 时长增加超过三倍，并实现扩展的功率循环和温度循环测试以及针对功率模块、分立器件和已知良品裸片 (KGD) 的 HV-H3TRB (HV-THB) 认证。公告将该模块家族置于 Navitas AI 基础设施产品组合的中心，作为将电网电力直接转换为 AI 数据中心机架内高压直流轨的固态变压器中的中压构建模块。

来源：EE Journal · 2026/10/23 · 查看原始来源