美光下一代3D NAND将超过400层、位密度翻倍，计划2027年下半年量产：G11承诺42 Gb/mm²与5,400 MT/s接口速度，I/O性能提升50%

美光在本周的一次活动中宣布，其下一代3D NAND（G11）计划于2027年下半年进入量产，据称将带来三大优势：存储密度翻倍（约达G9的2倍，3D TLC从21 Gb/mm²提升至42 Gb/mm²）、I/O性能较公司现款NAND提升最高50%（接口速度从3,600 MT/s提升至5,400 MT/s）、每bit数据传输能耗降低超过25%。G11将采用晶圆级键合（wafer-on-wafer bonding）技术，将NAND阵列（新3D NAND节点）与外围电路及I/O（逻辑工艺）分别制造后键合在一起，并过渡到超过400层的NAND；美光未披露G11的具体有效字线层数与堆叠数。美光高管Scott DeBoer称G11是世界上最先进的NAND，将于明年下半年开始爬坡。美光还计划在2027年披露更多G11技术细节，并在G11之后开发高迁移率新材料、更致密的单元架构等以延续XYZ方向扩展；G11之后的世代的具体架构细节、密度目标或量产时间表尚未披露。以上为厂商公布的计划与预期，量产尚未实现。

来源：Tom's Hardware · 2026/10/23 · 查看原始来源