Lumentum演示1060nm VCSEL光互联
Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术，专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
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新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
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- Lumentum Holdings Inc、Astera Labs Inc、Corning Inc
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Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术，专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
JEDEC发布首个硅光可靠性标准JESD264，规范调制器与波导测试。该标准填补光学测试空白，解决多芯片模块的热应力与对准问题。
（技术标准化推动行业应用，短期供需无显著变化）。
台积电LC Lu在OIP论坛提出AI芯片设计路线图，聚焦纳米片晶体管与先进封装。为解决AI训练与推理的功耗瓶颈，路线图强调逻辑与内存集成及光互连技术。
长期技术演进利好先进封装与HBM产业链，但短期无具体供需数据。
中国科学院（CAS）据报道使用DUV光刻技术开发GAA晶体管，以实现3nm级性能，可能绕过对EUV光刻机的依赖。这是先进节点技术的一项重要研发里程碑。
目前对现货价格或供应链可用性没有直接影响。
ASML坚持使用激光产生等离子体(LPP)技术，计划将EUV光源功率提升至1000W。尽管马斯克支持的FEL技术被看好，但ASML认为现有激光技术已足够。
EUV光刻机长期产能规划，短期现货价格影响中性。
TrendForce报告称中芯国际正联合国内设备商开发N7/N5节点背板供电技术，以应对EUV受限挑战。此举旨在通过替代路径维持先进制程的进一步扩展。
技术研发里程碑，暂无直接价格影响。
研究分析了PAB和PEB工艺参数对DUV浸没式光刻随机误差的影响。文章指出光刻胶烘烤过程存在化学图像平滑与保真度之间的权衡。
优化烘烤工艺有助于提升先进制程的良率与工艺稳定性。
NYCU与台积电合作发表论文，提出基于钼的准相位掩模技术。该技术旨在通过高反射率和最小化吸收来实现高对比度EUV成像，被视为EUV PSM技术的范式转变。目前属于技术趋势与研发里程碑，对现货价格及供需无直接冲击。
Xanadu与ASML合作开发光子量子硬件先进光刻工艺以降低损耗。此举旨在加速实用级量子计算发展。
量子计算光刻技术长期趋势。
Velaura公司宣称其技术可将AI算力功耗降低2X至4X。该技术主要针对算术计算单元，占XPU功耗的40%-70%。
随着算力成为AI瓶颈，能效提升有望刺激相关芯片需求。
Morphotonics在CIOE提出利用显示行业技术解决AR波导瓶颈。该公司认为这是实现AR眼镜普及的最快路径，而非依赖半导体背景设备。
AR光学组件制造技术的潜在变革。
Intel与ASML宣布High NA EUV光刻机量产100万片晶圆，主要应用于Intel 18A工艺。剩余35万片由台积电、三星等用于测试，双方正合作开发6x12英寸光罩以解决视场减半问题。
High NA EUV产能扩张及未来AI芯片制造的技术突破。
三星计划于2028年率先在高NA EUV工艺下量产DRAM，为业界首创。TSMC也计划在2030年实现量产。
该技术路线图虽预示未来产能升级，但短期内对现货价格及供需无直接影响。
硅光子测试正前移至晶圆级，以在最终组装前捕获缺陷并保护良率。这一转变推动设备制造商采用团队式投标模式，由单一集成商协调系统。
测试流程改变将重塑CPO供应链竞争格局。
英特尔14A缺陷密度下降速度创22纳米以来最佳，CFO称自22nm以来从未见过。该节点计划2027年下半年风险量产，2028年大规模量产，技术难度高。
未来产能需求，但距量产尚有两年，目前对现货价格影响中性。
HBM4将接口翻倍至2048，带宽目标2.8TB/s。文章对比HBM与DDR5，指出AI算力受限于内存墙，HBM通过堆叠提升性能。
HBM技术迭代加速，但制造成本和散热挑战增加。
三星zHBM散热降低50%且密度提升10倍，液冷技术在AI芯片中的渗透率预计升至60%。随着3D堆叠加剧散热挑战，行业正加速转向CPO和STCO解决方案。
先进封装与液冷技术需求。
SK海力士在《自然·电子学》发表CPO技术路线图，旨在应对AI竞争重心向系统级转移的趋势。
该路线图确认了光互连在AI系统中的战略地位，但属于长期技术规划，短期对现货价格无直接影响。
三星代工宣布推迟1.4nm工艺量产至2029年，并坚持使用2nm工艺三年。TSMC计划在2026年H2量产1.6nm A16工艺，三星则推迟High-NA EUV的应用。
该消息属于技术路线图调整，对当前现货价格无直接影响。
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面，用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题，实现了强电场控制与低漏电。
该技术属于基础研发突破，目前对现货价格及供需无直接影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |