NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
台积电攻克0.42纳米氧化铝界面技术
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面，用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题，实现了强电场控制与低漏电。中性：该技术属于基础研发突破，目前对现货价格及供需无直接影响。
Monolayer MoS₂Aluminum oxideHafnium oxide
R&D2D semiconductorinterface
来源：SemiWiki · 2026/8/14 · 查看原始来源
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