NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月22日周四

8 条

18:05影响评分 60
Nvidia预付资金投资AI供应链，与六家供应商合作将封装基板产能三年提升至2.5倍、中介层晶圆产能提升300%以上、测试产能2027年翻倍及CPO光引擎产能提升至15倍
Nvidia于当地时间10月21日宣布，为满足AI基础设施需求增长，正与三星电机、揖斐电、Amkor Technology、京元电子(KYEC)、硅品(SPIL)及欣兴(Unimicron)合作，通过预付款锁定半导体封装基板、测试及 co-packaged optics(CPO)产能。黄仁勋表示需求巨大但产能受限。基板方面：与揖斐电、三星电机及欣兴扩大协议，三年内将半导体封装基板产能提升至2.5倍；Nvidia已在揖斐电预订数十亿美元产能并预付，目标是其日本小野工厂产能提升至三倍，新增产能预计2028年第一季度全面运营；三星电机将于2026年起从韩国产线供应下一代封装基板，Nvidia将支持其世宗与釜山工厂设备升级及新厂建设；与欣兴签订产能预订协议支持台湾KF工厂扩产，产能自2027年第二季度开始增加，预计2028年中期达到满载。先进封装方面：与Amkor在韩国光州扩产，计划到2028年底将中介层(interposer)晶圆产能提升300%以上。测试方面：向KYEC预付11亿美元预订产能，美国、台湾及新加坡扩产将使2027年总测试产能较2026年水平翻倍；美国新测试工厂计划2027年4月量产，新加坡扩产产线2027年2月量产。CPO方面：与SPIL在台湾扩大光引擎产能，2027年中期提升至15倍，2028年底再翻倍。上述扩产均属计划/预期安排，非已实现结果。
semiconductor package substrates FC-BGA substrates interposersNvidia、Samsung Electro-Mechanics 等 7 家产能变化
16:00影响评分 60
Nvidia与三星电机共同投资ABF载板产能
Nvidia与三星电机（Samsung Electro-Mechanics）将在韩国共同投资设立专用的ABF载板（封装基板）生产线，根据一项多年期协议，三星电机将成为Nvidia AI处理器与网络交换机所用封装基板的供应商。新生产线将设在三星电机位于世宗（Sejong）和釜山（Busan）的工厂，交付预计于2026年开始。两家公司均未披露投资金额或成本分担方式。协议涵盖Nvidia计算芯片组以及数据中心内连接芯片的高速网络交换机所用基板。三星电机预计其向Nvidia的供货量将以两位数年率增长；到2028年，Nvidia预计将占其年度封装基板总产能的重要部分。三星电机称该合作将为Nvidia的AI芯片量产提供稳定基板供应并缓解AI基础设施市场的供应链瓶颈，对三星电机而言则是进入技术壁垒极高的高端AI基板市场。协议发布于三星电机与一家未具名全球客户签署价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供货协议之后不久。该扩产为计划状态，尚未投产。
ABF substrate (package substrate)Nvidia、Samsung Electro-Mechanics产能变化
15:51影响评分 60
英伟达宣布联合六家供应链伙伴扩产，计划三年内把自有产品基板产能提高到2.5倍
快科技10月22日消息，英伟达宣布联合六家供应链伙伴扩产，覆盖基板、先进封装、测试和光引擎四个环节，理由是需求和产能之间的缺口已经拉得太大。基板是重头：英伟达计划用三年时间把自有产品的基板产能提高到2.5倍，具体落在三家供应商——揖斐电（IBIDEN）在日本大野市的工厂拿到数十亿美元级别的产能预留预付款，目标把该厂产能提到现在的3倍，新增部分预计2028年第一季度开始爬坡；三星电机首次进入英伟达基板供应链，先用韩国现有产线产能顶上，同时配合世宗和釜山两地新厂建设，到2028年分配给英伟达的部分预计占其封装基板年产能相当大一部分；欣兴电子（Unimicron）在中国台湾的KF基板扩产拿到产能预留协议，新增产能2027年第二季度启动，2028年年中达到满产。先进封装交由安靠（Amkor），双方计划在韩国扩产，目标到2028年底把中介层晶圆产能提高3倍以上。测试方面，英伟达预计半导体测试总产能从2026年到2027年翻倍，北美、中国台湾、新加坡三地同时扩建；英伟达给京元电子（KYEC）11亿美元（快科技注：约73.6亿元人民币）产能预留预付款，用于美国新测试厂和设备，目标2027年4月量产，新加坡测试业务预计2027年2月量产。光引擎方面，英伟达与硅品精密（SPIL）在中国台湾合作扩产，目标2027年年中把产能扩到15倍，2028年底再翻一倍，为共封装光学铺路。上述均为计划目标而非已完成产能，目前英伟达未披露这一轮扩产总额度，各项目具体投资规模和各地新增产能数字也未公布。
基板 KF基板封装基板英伟达、揖斐电（IBIDEN）等 7 家产能变化
15:12影响评分 60
三星电机将获特斯拉、英伟达合计3.7万亿韩元投资，共建AI芯片基板产线
据22日业内消息，特斯拉、英伟达将分别出资1.1万亿韩元、2.6万亿韩元（合计3.7万亿韩元），与三星电机共建FC-BGA（倒装芯片球栅阵列基板）产线，这是面向AI半导体的新一代封装基板；当前FC-BGA已成为AI供应链新瓶颈，两家企业敲定对三星电机工厂的投资。三星电机已和特斯拉签署FC-BGA长期供货协议，并在世宗工厂新建专属产线；按照约定，特斯拉出资约1.1万亿韩元，用于产线扩建与设备投入，换取中长期稳定供货保障。这批基板将供给特斯拉自动驾驶电动车、人形机器人Optimus搭载的AI芯片。（新浪财经）
FC-BGA（倒装芯片球栅阵列基板）三星电机、特斯拉等 3 家产能变化
09:59影响评分 60
Nvidia于10月21日称正与六家供应链伙伴合作扩大基板、先进封装、测试及光引擎产能
Nvidia于10月21日表示，该公司正与六家供应链伙伴合作，以扩大基板、先进封装、测试及光引擎的制造产能，以满足其加速计算和AI工厂平台日益增长的需求。文中未说明新增产能的具体规模、投资金额或时间表。
substrates advanced packaging testingNvidia产能变化
09:05影响评分 62
据报道特斯拉将投资1.1万亿韩元锁定三星电机基板产能；英伟达也做出承诺
据每经（Maeil Business Newspaper）援引业内消息报道，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）预计将获得特斯拉与英伟达合计3.7万亿韩元的投资，以扩大先进芯片基板产能；该报道属于媒体报道，投资为据报道的承诺。该公司已与特斯拉签署长期倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板供货协议，并在其世宗（Sejong）工厂扩建专用产线。基板预计用于特斯拉自动驾驶电动车和Optimus人形机器人的AI芯片，协议为期五年，自2029年至2033年。特斯拉将出资约1.1万亿韩元以换取基板供应保障；该资金是三星电机9月公布的4.27万亿韩元世宗投资计划的一部分。世宗工厂新FC-BGA基板生产设施建设预计于2027年底完工，2028年上半年进行设备安装和试运行，下半年量产，2029年开始向特斯拉交付。据TechNews报道，英伟达还通过与供应商的合作扩大全球基板产能，目标是在未来三年内将总IC基板产能提升至当前水平的2.5倍：在日本，英伟达已向Ibiden支付数十亿美元的产能预留预付款，Ibiden小野（Ono）工厂目标将产能提升至三倍，新增产出预计2028年第一季度开始爬坡；在韩国，三星电机正扩建世宗和釜山设施，到2028年英伟达预计占其年封装基板产能的显著份额，英伟达未披露投资金额，但每经报道称该承诺据信价值约2.6万亿韩元；英伟达还通过产能预留协议支持台湾欣兴（Unimicron）扩大KF基板产能，新增产出预计2027年第二季度开始，2028年年中达到满产能。此外，三星电机于10月19日披露一项3605亿韩元合同，在2027年全年向一家未披露的全球客户供应存储半导体封装基板，因商业保密未透露客户身份（据Chosun Biz）。此轮扩产背景是高端FC-BGA产能集中在少数供应商手中，包括三星电机、日本Ibiden和台湾欣兴；每经援引的行业估计称Ibiden市场份额超过70%，三星电机正努力缩小差距。
FC-BGA substrate memory semiconductor package substrate KF substrateSamsung Electro-Mechanics、Tesla 等 5 家产能变化
06:51影响评分 60
三星电机与英伟达将扩大FC-BGA生产
三星电机于10月21日宣布，已与英伟达签署战略性业务合作协议，供应半导体封装基板。双方将共同投资，在三星电机的世宗和釜山工厂建立人工智能（AI）半导体封装基板的专用生产设施；通过客户支持投资扩大封装基板生产线的计划自2026年上半年以来一直在考虑之中，如今通过与英伟达的合作得以成形。产品包括用于AI计算芯片以及数据中心内实现芯片间高速连接的网络交换机的倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板。三星电机将从其韩国生产设施供货，根据自2026年开始的多年期安排供应下一代基板。供应量预计自2026年起以两位数的年增长率增长；到2028年，英伟达相关生产预计将占公司总产能的相当大份额。基板还将嵌入包括多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器（Si-Caps）在内的被动元件，用于控制超高速计算中产生的电源噪声并最大化电源效率。此为计划/预期状态，扩产实施尚待推进。
FC-BGA substrates MLCCs silicon capacitors (Si-Caps)Samsung Electro-Mechanics、Nvidia产能变化
03:35影响评分 60
Intel在亚利桑那Fab 62开始安装生产设备，计划2028年底前量产，未分配节点；并确认High-NA EUV已纳入大规模生产
Intel于2026年10月21日（周三）宣布，已开始在其亚利桑那州Fab 62安装生产设备，该工厂按计划将在2028年底前实现量产；但公司未披露开始大规模生产的具体时间、计划晶圆产能及所需资本支出，也未正式将Intel 14A分配给Fab 62（Fab 62仍处于未分配状态，而Fab 52已被指定用于Intel 18A）。据Intel今年早些时候披露的路线图，Fab 62可生产18A、18A-P和14A节点的芯片。Intel同时确认已将High-NA EUV光刻技术整合进大规模生产（HVM），用于在俄勒冈州D1X工厂生产Panther Lake CPU的部分tile；但Intel未明确确认High-NA EUV扫描仪目前是否仅生产与Low-NA EUV相同的电路。此外，俄亥俄州New Albany的Ohio One制造园区最近安装了首座fab的第一根大型结构桁架，但Intel未提供更新的建设时间表，也未披露该fab何时开始运营、将采用何种工艺技术或产能规模。原文未说明原因（此为产能扩张进展，非价格或中断事件）。
High-NA EUV lithography Intel 18A Intel 18A-PIntel产能变化

10月21日周三

5 条

19:18影响评分 60
Taesung在台湾TPCA Show 2026展示FC-BGA与玻璃基板设备，天安新厂产能超安山工厂六倍
Taesung于10月21日表示，其参加10月20日在台湾台北开幕的TPCA Show 2026，展示用于制造FC-BGA基板和玻璃基板的关键工艺设备技术，包括用于孔填充的铜电镀设备和表面处理技术，以及玻璃基板的TGV加工设备和垂直显影、蚀刻、电镀系统。该公司称该设备用于制造更大、更高层数的FC-BGA基板，且AI服务器与高性能半导体市场正在扩大。Taesung近期已签署协议向一家全球主要半导体封装基板制造商供应FC-BGA设备，并收到一家韩国主要基板制造商的意向书(LOI)，拟购买用于SOCAMM模块生产的铜电镀设备；目前正与国内外客户就玻璃基板设备的量产供应进行最终阶段的洽谈。为满足不断增长的需求，Taesung已在新天安工厂建立量产体系，其产能超过现有安山工厂的六倍。今年TPCA Show吸引约670家全球公司，占用1830个展位。
FC-BGA substrates glass substrates SOCAMM modulesTaesung产能变化
19:10影响评分 60
英伟达与六家供应商签署扩产协议：三年内基板产能计划提升2.5倍，先进封装增幅逾300%、光学引擎扩产15倍
英伟达宣布与Amkor、IBIDEN、京元电子、三星电机、矽品精密工业（SPIL）及欣兴电子六家供应商签署大规模产能扩张协议（计划性质，尚未落地），覆盖基板、先进封装、半导体测试及光学引擎。核心目标：未来三年内基板产能提升2.5倍；先进封装方面，与Amkor计划在韩国扩大中介层晶圆产能，目标2028年底前实现逾300%增幅；测试总产能预计从2026年到2027年实现翻倍，扩产地点涵盖美国、中国台湾省和新加坡；与矽品计划在中国台湾扩大共封装光学（Co-Packaged Optics）光学引擎制造产能，目标2027年中期实现15倍增长并于2028年底前再度翻倍。资金方面，英伟达向京元电子提供11亿美元产能预留预付款，专项用于支持其在美国新建测试设施及采购设备，目标于2027年4月启动大规模量产；新加坡测试业务预计2027年2月进入大规模量产；英伟达向IBIDEN提供数十亿美元预付款，支持其日本大野町工厂扩产至现有水平3倍，新增产能预计2028年第一季度开始爬坡；欣兴电子在中国台湾省KF基板扩产的新增产能预计2027年第二季度开始投放、2028年中期达到满负荷。三星电机为新加入成员，其现有韩国设施可立即提供增量产能，并推进世宗和釜山设施升级与新厂建设，至2028年分配给英伟达的产能预计占其年度封装基板总产能相当大比例。黄仁勋在GTC柏林大会表示需求非凡、产能是瓶颈；报道指出供给约束有望于2027至2028年实质缓解。
基板先进封装半导体测试英伟达、Amkor 等 7 家产能变化
19:05影响评分 60
英伟达携供应链伙伴扩产，加速AI基础设施建设
据报道，英伟达及其供应链合作伙伴宣布扩大产能，以加速AI基础设施建设，均属计划而非已实现。英伟达计划未来三年将基板产能提升至目前的2.5倍；KYEC将获得英伟达11亿美元预付款，用于在美国建设新设施；安靠科技（Amkor）计划到2028年底将先进封装产能提升逾300%。此外，英伟达计划将半导体测试产能从2026年到2027年翻倍，并于2027年2月在新加坡启动大规模测试生产。原文未说明原因以外，来源为财联社报道。
基板先进封装产能半导体测试产能英伟达、KYEC 等 3 家产能变化
11:34影响评分 62
消息称佳能计划到2029年将后端光刻机产能较当前水平提升50%，正开发先进封装用i线光刻设备
日媒《日刊工业新闻》当地时间昨日（10月21日报道）称，Canon（佳能）计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50%。该计划为报道所援引的消息，属计划状态，尚未确认实施。佳能正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并开发了一种分辨率达0.8μm（800nm）的大尺寸基板光刻机台，能处理510×515(mm)基板，具备高对准精度和大视场角。佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也在接受采访时表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。原文未说明原因。
半导体后端工艺光刻机 i线光刻设备大尺寸基板光刻机台Canon（佳能）产能变化
10:19影响评分 58
博通-TOPPAN合资公司新加坡FC-BGA基板厂启用，AST的95,000平方米工厂将生产面向AI计算与网络芯片的大尺寸高层数基板
博通与TOPPAN的合资公司AST在新加坡开设FC-BGA基板厂，用于AI芯片生产。该厂面积为95,000平方米，将生产用于AI计算与网络芯片的大尺寸、高层数基板。原文以'will produce'表述，表明该厂投产仍属计划状态，原文未说明原因。
FC-BGA substrateBroadcom、TOPPAN 等 3 家产能变化

10月20日周二

6 条

23:30影响评分 60
三星据报道拟将2nm Exynos 2700产量较Exynos 2600提升逾10%，以振兴非存储业务；Galaxy S27 Ultra或完全依赖高通Snapdragon，最终配置未定
据Chosun Biz报道，三星电子据称已于本月早些时候开始Exynos 2700的晶圆生产，产量较Exynos 2600可能增加逾10%，以振兴其非存储半导体业务。Exynos 2700预计于2027年用于Galaxy S27系列，主要覆盖标准版和Plus版，并可能用于新的Pro版本；但Ultra旗舰机型越来越可能完全依赖高通Snapdragon处理器，最终芯片配置尚未确定。Exynos 2700据报采用三星代工第二代2nm工艺SF2P，相较用于Exynos 2600的第一代SF2，目标为性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%，且据称为首款采用SF2P进入量产的芯片；据The Bell，三星已与主要伙伴共享生产计划，但初期晶圆投片仍然有限。报道指出，Exynos 2700量产良率及其在Galaxy S27系列中的采用程度将决定非存储业务复苏的幅度；三星4nm产线据报接近满载，同时继续为5nm工艺寻找客户。此外，据TrendForce，移动DRAM价格预计在4Q26继续上涨，但涨幅放缓，因供应商将产能转向利润率更高的服务器产品，成本上升使三星自研处理器的价格竞争力更加重要。
Exynos 2700 SF2P 2nm process mobile DRAMSamsung Electronics、Samsung Foundry 等 4 家产能变化
17:41影响评分 62
AI封装供应紧张向上游蔓延：Unimicron警告超80%关键设备交期已拉长、部分达30个月，关键材料2027年或潜在短缺20%
据TrendForce于2026年10月20日发布的消息，AI封装供应紧张正向上游蔓延，IC基板正受到供应瓶颈冲击。台湾厂商Unimicron警告，在CoWoS与EMIB需求升温的背景下，关键设备的交期已拉长，超过80%的关键设备交期拉长，部分设备交期达到30个月；同时关键材料在2027年面临潜在的20%短缺（短缺为潜在预测，非已实现结果）。
IC substrates CoWoS EMIBUnimicron产能变化
14:33影响评分 58
Daeduck Electronics加速开发陶瓷芯基板（CCS），计划2027-2028年推进样品与客户评估，目标2029年量产
韩国基板厂商Daeduck Electronics正在加速开发陶瓷芯基板（CCS），以应对AI半导体封装尺寸增大带来的翘曲和散热管理挑战。该公司目前正在进行性能和内部可靠性评估，计划在2027年和2028年推进样品及客户评估，并以2029年量产为目标；陶瓷芯被视为下一代大面积封装中玻璃芯的材料替代方案。以上均为计划/目标状态，量产尚未实现。
ceramic core substrates (CCS)Daeduck Electronics产能变化
13:37影响评分 60
Genesem赢得与第三大晶圆代工厂的AI切筋分片设备独家交易
Genesem与全球第三大晶圆代工厂Company A及其外包封装合作伙伴达成独家协议，从2027年起独家供应配备AI视觉的切筋分片设备GVISION AI+。该设备于第三季度通过量产认证，2027年预计交付约20台，合同价值超过300亿韩元。AI功能使设备价格比现有型号增加10%以上。
saw singulation equipment GVISION AI+Genesem、Company A 等 3 家产能变化
12:02影响评分 58
AI基板瓶颈从设计转向制造：加速器基板预计未来三至五年超100x100mm并扩展至120x120mm以上
AI计算正将封装密度推向极限，加速器基板预计将在未来三至五年内超过100x100mm并扩展至120x120mm以上。随着基板尺寸、层数、I/O和电力需求上升，行业关键瓶颈正从设计能力转向制造产能。原文未说明具体厂商或时间点，上述尺寸扩展为预期而非已实现结果。
accelerator substrates产能变化
11:07影响评分 60
TPK计划2028年量产TGV玻璃基板,目标2027年底完成核心技术验证
TPK Holding已在桃园中坜厂完成玻璃基板玻璃通孔(TGV)技术试产线,并与半导体封装企业展开早期样品的联合开发与验证。按其公布的计划,公司目标在2027年底前完成核心技术验证,并于2028年实现量产;标题提及投资金额为新台币60亿元。该事件为计划/扩产性质,量产尚未实现。
glass substrate (TGV)TPK Holding产能变化

10月19日周一

1 条

23:30影响评分 58
英特尔宣称拥有业界唯一的高产量300mm InP硅光子学制造能力，CPO商业化势头增强
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
300mm InP silicon photonics InP-based laser technology co-packaged optics (CPO)Intel、NVIDIA 等 6 家产能变化

芯片拆解室已拆 1 台

爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。

特斯拉 Model Y30 个电子模块里，逐条核对出 130 个已确认型号的器件（120 个不同料号），其中德州仪器 34 个。查看完整拆解全部拆解

器件价格指数NPI，较上期

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

数据周期 2026-W18查看全部品类

NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月22日周四

8 条

18:05影响评分 60
Nvidia预付资金投资AI供应链，与六家供应商合作将封装基板产能三年提升至2.5倍、中介层晶圆产能提升300%以上、测试产能2027年翻倍及CPO光引擎产能提升至15倍
Nvidia于当地时间10月21日宣布，为满足AI基础设施需求增长，正与三星电机、揖斐电、Amkor Technology、京元电子(KYEC)、硅品(SPIL)及欣兴(Unimicron)合作，通过预付款锁定半导体封装基板、测试及 co-packaged optics(CPO)产能。黄仁勋表示需求巨大但产能受限。基板方面：与揖斐电、三星电机及欣兴扩大协议，三年内将半导体封装基板产能提升至2.5倍；Nvidia已在揖斐电预订数十亿美元产能并预付，目标是其日本小野工厂产能提升至三倍，新增产能预计2028年第一季度全面运营；三星电机将于2026年起从韩国产线供应下一代封装基板，Nvidia将支持其世宗与釜山工厂设备升级及新厂建设；与欣兴签订产能预订协议支持台湾KF工厂扩产，产能自2027年第二季度开始增加，预计2028年中期达到满载。先进封装方面：与Amkor在韩国光州扩产，计划到2028年底将中介层(interposer)晶圆产能提升300%以上。测试方面：向KYEC预付11亿美元预订产能，美国、台湾及新加坡扩产将使2027年总测试产能较2026年水平翻倍；美国新测试工厂计划2027年4月量产，新加坡扩产产线2027年2月量产。CPO方面：与SPIL在台湾扩大光引擎产能，2027年中期提升至15倍，2028年底再翻倍。上述扩产均属计划/预期安排，非已实现结果。
semiconductor package substrates FC-BGA substrates interposersNvidia、Samsung Electro-Mechanics 等 7 家产能变化
16:00影响评分 60
Nvidia与三星电机共同投资ABF载板产能
Nvidia与三星电机（Samsung Electro-Mechanics）将在韩国共同投资设立专用的ABF载板（封装基板）生产线，根据一项多年期协议，三星电机将成为Nvidia AI处理器与网络交换机所用封装基板的供应商。新生产线将设在三星电机位于世宗（Sejong）和釜山（Busan）的工厂，交付预计于2026年开始。两家公司均未披露投资金额或成本分担方式。协议涵盖Nvidia计算芯片组以及数据中心内连接芯片的高速网络交换机所用基板。三星电机预计其向Nvidia的供货量将以两位数年率增长；到2028年，Nvidia预计将占其年度封装基板总产能的重要部分。三星电机称该合作将为Nvidia的AI芯片量产提供稳定基板供应并缓解AI基础设施市场的供应链瓶颈，对三星电机而言则是进入技术壁垒极高的高端AI基板市场。协议发布于三星电机与一家未具名全球客户签署价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供货协议之后不久。该扩产为计划状态，尚未投产。
ABF substrate (package substrate)Nvidia、Samsung Electro-Mechanics产能变化
15:51影响评分 60
英伟达宣布联合六家供应链伙伴扩产，计划三年内把自有产品基板产能提高到2.5倍
快科技10月22日消息，英伟达宣布联合六家供应链伙伴扩产，覆盖基板、先进封装、测试和光引擎四个环节，理由是需求和产能之间的缺口已经拉得太大。基板是重头：英伟达计划用三年时间把自有产品的基板产能提高到2.5倍，具体落在三家供应商——揖斐电（IBIDEN）在日本大野市的工厂拿到数十亿美元级别的产能预留预付款，目标把该厂产能提到现在的3倍，新增部分预计2028年第一季度开始爬坡；三星电机首次进入英伟达基板供应链，先用韩国现有产线产能顶上，同时配合世宗和釜山两地新厂建设，到2028年分配给英伟达的部分预计占其封装基板年产能相当大一部分；欣兴电子（Unimicron）在中国台湾的KF基板扩产拿到产能预留协议，新增产能2027年第二季度启动，2028年年中达到满产。先进封装交由安靠（Amkor），双方计划在韩国扩产，目标到2028年底把中介层晶圆产能提高3倍以上。测试方面，英伟达预计半导体测试总产能从2026年到2027年翻倍，北美、中国台湾、新加坡三地同时扩建；英伟达给京元电子（KYEC）11亿美元（快科技注：约73.6亿元人民币）产能预留预付款，用于美国新测试厂和设备，目标2027年4月量产，新加坡测试业务预计2027年2月量产。光引擎方面，英伟达与硅品精密（SPIL）在中国台湾合作扩产，目标2027年年中把产能扩到15倍，2028年底再翻一倍，为共封装光学铺路。上述均为计划目标而非已完成产能，目前英伟达未披露这一轮扩产总额度，各项目具体投资规模和各地新增产能数字也未公布。
基板 KF基板封装基板英伟达、揖斐电（IBIDEN）等 7 家产能变化
15:12影响评分 60
三星电机将获特斯拉、英伟达合计3.7万亿韩元投资，共建AI芯片基板产线
据22日业内消息，特斯拉、英伟达将分别出资1.1万亿韩元、2.6万亿韩元（合计3.7万亿韩元），与三星电机共建FC-BGA（倒装芯片球栅阵列基板）产线，这是面向AI半导体的新一代封装基板；当前FC-BGA已成为AI供应链新瓶颈，两家企业敲定对三星电机工厂的投资。三星电机已和特斯拉签署FC-BGA长期供货协议，并在世宗工厂新建专属产线；按照约定，特斯拉出资约1.1万亿韩元，用于产线扩建与设备投入，换取中长期稳定供货保障。这批基板将供给特斯拉自动驾驶电动车、人形机器人Optimus搭载的AI芯片。（新浪财经）
FC-BGA（倒装芯片球栅阵列基板）三星电机、特斯拉等 3 家产能变化
09:59影响评分 60
Nvidia于10月21日称正与六家供应链伙伴合作扩大基板、先进封装、测试及光引擎产能
Nvidia于10月21日表示，该公司正与六家供应链伙伴合作，以扩大基板、先进封装、测试及光引擎的制造产能，以满足其加速计算和AI工厂平台日益增长的需求。文中未说明新增产能的具体规模、投资金额或时间表。
substrates advanced packaging testingNvidia产能变化
09:05影响评分 62
据报道特斯拉将投资1.1万亿韩元锁定三星电机基板产能；英伟达也做出承诺
据每经（Maeil Business Newspaper）援引业内消息报道，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）预计将获得特斯拉与英伟达合计3.7万亿韩元的投资，以扩大先进芯片基板产能；该报道属于媒体报道，投资为据报道的承诺。该公司已与特斯拉签署长期倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板供货协议，并在其世宗（Sejong）工厂扩建专用产线。基板预计用于特斯拉自动驾驶电动车和Optimus人形机器人的AI芯片，协议为期五年，自2029年至2033年。特斯拉将出资约1.1万亿韩元以换取基板供应保障；该资金是三星电机9月公布的4.27万亿韩元世宗投资计划的一部分。世宗工厂新FC-BGA基板生产设施建设预计于2027年底完工，2028年上半年进行设备安装和试运行，下半年量产，2029年开始向特斯拉交付。据TechNews报道，英伟达还通过与供应商的合作扩大全球基板产能，目标是在未来三年内将总IC基板产能提升至当前水平的2.5倍：在日本，英伟达已向Ibiden支付数十亿美元的产能预留预付款，Ibiden小野（Ono）工厂目标将产能提升至三倍，新增产出预计2028年第一季度开始爬坡；在韩国，三星电机正扩建世宗和釜山设施，到2028年英伟达预计占其年封装基板产能的显著份额，英伟达未披露投资金额，但每经报道称该承诺据信价值约2.6万亿韩元；英伟达还通过产能预留协议支持台湾欣兴（Unimicron）扩大KF基板产能，新增产出预计2027年第二季度开始，2028年年中达到满产能。此外，三星电机于10月19日披露一项3605亿韩元合同，在2027年全年向一家未披露的全球客户供应存储半导体封装基板，因商业保密未透露客户身份（据Chosun Biz）。此轮扩产背景是高端FC-BGA产能集中在少数供应商手中，包括三星电机、日本Ibiden和台湾欣兴；每经援引的行业估计称Ibiden市场份额超过70%，三星电机正努力缩小差距。
FC-BGA substrate memory semiconductor package substrate KF substrateSamsung Electro-Mechanics、Tesla 等 5 家产能变化
06:51影响评分 60
三星电机与英伟达将扩大FC-BGA生产
三星电机于10月21日宣布，已与英伟达签署战略性业务合作协议，供应半导体封装基板。双方将共同投资，在三星电机的世宗和釜山工厂建立人工智能（AI）半导体封装基板的专用生产设施；通过客户支持投资扩大封装基板生产线的计划自2026年上半年以来一直在考虑之中，如今通过与英伟达的合作得以成形。产品包括用于AI计算芯片以及数据中心内实现芯片间高速连接的网络交换机的倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板。三星电机将从其韩国生产设施供货，根据自2026年开始的多年期安排供应下一代基板。供应量预计自2026年起以两位数的年增长率增长；到2028年，英伟达相关生产预计将占公司总产能的相当大份额。基板还将嵌入包括多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器（Si-Caps）在内的被动元件，用于控制超高速计算中产生的电源噪声并最大化电源效率。此为计划/预期状态，扩产实施尚待推进。
FC-BGA substrates MLCCs silicon capacitors (Si-Caps)Samsung Electro-Mechanics、Nvidia产能变化
03:35影响评分 60
Intel在亚利桑那Fab 62开始安装生产设备，计划2028年底前量产，未分配节点；并确认High-NA EUV已纳入大规模生产
Intel于2026年10月21日（周三）宣布，已开始在其亚利桑那州Fab 62安装生产设备，该工厂按计划将在2028年底前实现量产；但公司未披露开始大规模生产的具体时间、计划晶圆产能及所需资本支出，也未正式将Intel 14A分配给Fab 62（Fab 62仍处于未分配状态，而Fab 52已被指定用于Intel 18A）。据Intel今年早些时候披露的路线图，Fab 62可生产18A、18A-P和14A节点的芯片。Intel同时确认已将High-NA EUV光刻技术整合进大规模生产（HVM），用于在俄勒冈州D1X工厂生产Panther Lake CPU的部分tile；但Intel未明确确认High-NA EUV扫描仪目前是否仅生产与Low-NA EUV相同的电路。此外，俄亥俄州New Albany的Ohio One制造园区最近安装了首座fab的第一根大型结构桁架，但Intel未提供更新的建设时间表，也未披露该fab何时开始运营、将采用何种工艺技术或产能规模。原文未说明原因（此为产能扩张进展，非价格或中断事件）。
High-NA EUV lithography Intel 18A Intel 18A-PIntel产能变化

10月21日周三

5 条

19:18影响评分 60
Taesung在台湾TPCA Show 2026展示FC-BGA与玻璃基板设备，天安新厂产能超安山工厂六倍
Taesung于10月21日表示，其参加10月20日在台湾台北开幕的TPCA Show 2026，展示用于制造FC-BGA基板和玻璃基板的关键工艺设备技术，包括用于孔填充的铜电镀设备和表面处理技术，以及玻璃基板的TGV加工设备和垂直显影、蚀刻、电镀系统。该公司称该设备用于制造更大、更高层数的FC-BGA基板，且AI服务器与高性能半导体市场正在扩大。Taesung近期已签署协议向一家全球主要半导体封装基板制造商供应FC-BGA设备，并收到一家韩国主要基板制造商的意向书(LOI)，拟购买用于SOCAMM模块生产的铜电镀设备；目前正与国内外客户就玻璃基板设备的量产供应进行最终阶段的洽谈。为满足不断增长的需求，Taesung已在新天安工厂建立量产体系，其产能超过现有安山工厂的六倍。今年TPCA Show吸引约670家全球公司，占用1830个展位。
FC-BGA substrates glass substrates SOCAMM modulesTaesung产能变化
19:10影响评分 60
英伟达与六家供应商签署扩产协议：三年内基板产能计划提升2.5倍，先进封装增幅逾300%、光学引擎扩产15倍
英伟达宣布与Amkor、IBIDEN、京元电子、三星电机、矽品精密工业（SPIL）及欣兴电子六家供应商签署大规模产能扩张协议（计划性质，尚未落地），覆盖基板、先进封装、半导体测试及光学引擎。核心目标：未来三年内基板产能提升2.5倍；先进封装方面，与Amkor计划在韩国扩大中介层晶圆产能，目标2028年底前实现逾300%增幅；测试总产能预计从2026年到2027年实现翻倍，扩产地点涵盖美国、中国台湾省和新加坡；与矽品计划在中国台湾扩大共封装光学（Co-Packaged Optics）光学引擎制造产能，目标2027年中期实现15倍增长并于2028年底前再度翻倍。资金方面，英伟达向京元电子提供11亿美元产能预留预付款，专项用于支持其在美国新建测试设施及采购设备，目标于2027年4月启动大规模量产；新加坡测试业务预计2027年2月进入大规模量产；英伟达向IBIDEN提供数十亿美元预付款，支持其日本大野町工厂扩产至现有水平3倍，新增产能预计2028年第一季度开始爬坡；欣兴电子在中国台湾省KF基板扩产的新增产能预计2027年第二季度开始投放、2028年中期达到满负荷。三星电机为新加入成员，其现有韩国设施可立即提供增量产能，并推进世宗和釜山设施升级与新厂建设，至2028年分配给英伟达的产能预计占其年度封装基板总产能相当大比例。黄仁勋在GTC柏林大会表示需求非凡、产能是瓶颈；报道指出供给约束有望于2027至2028年实质缓解。
基板先进封装半导体测试英伟达、Amkor 等 7 家产能变化
19:05影响评分 60
英伟达携供应链伙伴扩产，加速AI基础设施建设
据报道，英伟达及其供应链合作伙伴宣布扩大产能，以加速AI基础设施建设，均属计划而非已实现。英伟达计划未来三年将基板产能提升至目前的2.5倍；KYEC将获得英伟达11亿美元预付款，用于在美国建设新设施；安靠科技（Amkor）计划到2028年底将先进封装产能提升逾300%。此外，英伟达计划将半导体测试产能从2026年到2027年翻倍，并于2027年2月在新加坡启动大规模测试生产。原文未说明原因以外，来源为财联社报道。
基板先进封装产能半导体测试产能英伟达、KYEC 等 3 家产能变化
11:34影响评分 62
消息称佳能计划到2029年将后端光刻机产能较当前水平提升50%，正开发先进封装用i线光刻设备
日媒《日刊工业新闻》当地时间昨日（10月21日报道）称，Canon（佳能）计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50%。该计划为报道所援引的消息，属计划状态，尚未确认实施。佳能正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并开发了一种分辨率达0.8μm（800nm）的大尺寸基板光刻机台，能处理510×515(mm)基板，具备高对准精度和大视场角。佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也在接受采访时表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。原文未说明原因。
半导体后端工艺光刻机 i线光刻设备大尺寸基板光刻机台Canon（佳能）产能变化
10:19影响评分 58
博通-TOPPAN合资公司新加坡FC-BGA基板厂启用，AST的95,000平方米工厂将生产面向AI计算与网络芯片的大尺寸高层数基板
博通与TOPPAN的合资公司AST在新加坡开设FC-BGA基板厂，用于AI芯片生产。该厂面积为95,000平方米，将生产用于AI计算与网络芯片的大尺寸、高层数基板。原文以'will produce'表述，表明该厂投产仍属计划状态，原文未说明原因。
FC-BGA substrateBroadcom、TOPPAN 等 3 家产能变化

10月20日周二

6 条

23:30影响评分 60
三星据报道拟将2nm Exynos 2700产量较Exynos 2600提升逾10%，以振兴非存储业务；Galaxy S27 Ultra或完全依赖高通Snapdragon，最终配置未定
据Chosun Biz报道，三星电子据称已于本月早些时候开始Exynos 2700的晶圆生产，产量较Exynos 2600可能增加逾10%，以振兴其非存储半导体业务。Exynos 2700预计于2027年用于Galaxy S27系列，主要覆盖标准版和Plus版，并可能用于新的Pro版本；但Ultra旗舰机型越来越可能完全依赖高通Snapdragon处理器，最终芯片配置尚未确定。Exynos 2700据报采用三星代工第二代2nm工艺SF2P，相较用于Exynos 2600的第一代SF2，目标为性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%，且据称为首款采用SF2P进入量产的芯片；据The Bell，三星已与主要伙伴共享生产计划，但初期晶圆投片仍然有限。报道指出，Exynos 2700量产良率及其在Galaxy S27系列中的采用程度将决定非存储业务复苏的幅度；三星4nm产线据报接近满载，同时继续为5nm工艺寻找客户。此外，据TrendForce，移动DRAM价格预计在4Q26继续上涨，但涨幅放缓，因供应商将产能转向利润率更高的服务器产品，成本上升使三星自研处理器的价格竞争力更加重要。
Exynos 2700 SF2P 2nm process mobile DRAMSamsung Electronics、Samsung Foundry 等 4 家产能变化
17:41影响评分 62
AI封装供应紧张向上游蔓延：Unimicron警告超80%关键设备交期已拉长、部分达30个月，关键材料2027年或潜在短缺20%
据TrendForce于2026年10月20日发布的消息，AI封装供应紧张正向上游蔓延，IC基板正受到供应瓶颈冲击。台湾厂商Unimicron警告，在CoWoS与EMIB需求升温的背景下，关键设备的交期已拉长，超过80%的关键设备交期拉长，部分设备交期达到30个月；同时关键材料在2027年面临潜在的20%短缺（短缺为潜在预测，非已实现结果）。
IC substrates CoWoS EMIBUnimicron产能变化
14:33影响评分 58
Daeduck Electronics加速开发陶瓷芯基板（CCS），计划2027-2028年推进样品与客户评估，目标2029年量产
韩国基板厂商Daeduck Electronics正在加速开发陶瓷芯基板（CCS），以应对AI半导体封装尺寸增大带来的翘曲和散热管理挑战。该公司目前正在进行性能和内部可靠性评估，计划在2027年和2028年推进样品及客户评估，并以2029年量产为目标；陶瓷芯被视为下一代大面积封装中玻璃芯的材料替代方案。以上均为计划/目标状态，量产尚未实现。
ceramic core substrates (CCS)Daeduck Electronics产能变化
13:37影响评分 60
Genesem赢得与第三大晶圆代工厂的AI切筋分片设备独家交易
Genesem与全球第三大晶圆代工厂Company A及其外包封装合作伙伴达成独家协议，从2027年起独家供应配备AI视觉的切筋分片设备GVISION AI+。该设备于第三季度通过量产认证，2027年预计交付约20台，合同价值超过300亿韩元。AI功能使设备价格比现有型号增加10%以上。
saw singulation equipment GVISION AI+Genesem、Company A 等 3 家产能变化
12:02影响评分 58
AI基板瓶颈从设计转向制造：加速器基板预计未来三至五年超100x100mm并扩展至120x120mm以上
AI计算正将封装密度推向极限，加速器基板预计将在未来三至五年内超过100x100mm并扩展至120x120mm以上。随着基板尺寸、层数、I/O和电力需求上升，行业关键瓶颈正从设计能力转向制造产能。原文未说明具体厂商或时间点，上述尺寸扩展为预期而非已实现结果。
accelerator substrates产能变化
11:07影响评分 60
TPK计划2028年量产TGV玻璃基板,目标2027年底完成核心技术验证
TPK Holding已在桃园中坜厂完成玻璃基板玻璃通孔(TGV)技术试产线,并与半导体封装企业展开早期样品的联合开发与验证。按其公布的计划,公司目标在2027年底前完成核心技术验证,并于2028年实现量产;标题提及投资金额为新台币60亿元。该事件为计划/扩产性质,量产尚未实现。
glass substrate (TGV)TPK Holding产能变化

10月19日周一

1 条

23:30影响评分 58
英特尔宣称拥有业界唯一的高产量300mm InP硅光子学制造能力，CPO商业化势头增强
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
300mm InP silicon photonics InP-based laser technology co-packaged optics (CPO)Intel、NVIDIA 等 6 家产能变化

芯片拆解室已拆 1 台

爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。

特斯拉 Model Y30 个电子模块里，逐条核对出 130 个已确认型号的器件（120 个不同料号），其中德州仪器 34 个。查看完整拆解全部拆解

器件价格指数NPI，较上期

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

数据周期 2026-W18查看全部品类

NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月22日 周四

10月21日 周三

10月20日 周二

10月19日 周一

NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月22日 周四

10月21日 周三

10月20日 周二

10月19日 周一

热门器件

10月22日周四

10月21日周三

10月20日周二

10月19日周一

10月22日周四

10月21日周三

10月20日周二

10月19日周一