SEMI（国际半导体产业协会）当地时间10月21日发布年度硅晶圆出货量预测报告：预测2026年全球半导体硅晶圆出货将同比增长11.8%，达到144.2亿平方英寸（相当于1.275亿片12英寸晶圆），为历史次高。该预测属于前瞻性预测而非已实现数据。报告并预计2027~2029年全球硅晶圆出货有望超越2022年的前期高点、持续创下新高，到期末达到170.34亿平方英寸（相当于1.5061亿片12英寸晶圆）。关于原因，报告称全球半导体硅晶圆需求在今年经历了AI推动的全方位增长：先进逻辑工艺需求外延晶圆、先进存储工艺需求抛光晶圆，成熟制程产业利用率也出现了回升。
日本的尖端半导体技术中心（LSTC）、北海道大学、富士胶片株式会社（Fujifilm Corporation）、GE HealthCare Japan和imec于10月20日在东京宣布了一项联合计划，开发由专用2nm AI推理芯片驱动的下一代医学影像系统。该计划旨在大幅提升图像处理效率，并在医疗设备上直接实现实时计算。标题提及采用IBM设计，并考虑由Rapidus代工。该事件为已宣布的合作计划状态。
据ZDNet Korea于10月23日援引业内消息人士报道，三星电子已追加订购设备，用于填满其位于美国得克萨斯州泰勒的首座代工晶圆厂剩余空间，此举将使该厂2nm产能于2027年下半年提升至每月20,000片晶圆。该事件为计划中的扩产，文章未说明扩产的具体原因。
据IT之家10月23日援引韩媒ZDNET Korea当日报道，三星电子晶圆代工业务近期为美国得克萨斯州泰勒市生产基地的首座晶圆厂追加采购对应每月6000片晶圆产能的制造设备。泰勒首座晶圆厂设计产能为每月2万片晶圆，当前尚未达到该目标；随着新设备从今年底开始逐步引进，该晶圆厂有望在2027年下半年达到设计产能目标。同时，在首座晶圆厂日趋完善的情况下，三星晶圆代工计划于11月启动泰勒第二晶圆厂的施工，该项目预计2030年投产，以进一步提升三星电子在美先进制程产能。
源杰科技公告称，公司目前生产经营活动、订单交付及产能扩建等工作均正常开展，内部生产经营秩序正常，产能扩充正按业务需求推进。光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目的土建工程、部分洁净室及相关配套设施已完成建设，首批生产设备预计近期开始进厂，后续将进行设备调试，预计2026年底至2027年初开始形成产能，整体项目进展符合预期。
国家税务总局发布的最新发票数据显示，今年前三季度我国经济运行平稳。其中，与新质生产力发展相关的数字经济核心产业、知识产权（专利）密集型产业前三季度销售收入同比分别增长9.1%和13.1%；特别是与人工智能相关的集成电路、半导体器件专用设备等制造业三季度销售收入同比分别增长77.9%和35.9%，较二季度增速分别提高6.4个和9.3个百分点。原文未说明原因。
10月23日A股早盘，算力硬件、芯片半导体等再度下挫，覆铜板、光模块、光通信、电路板等概念股集体下跌，光模块、CPO、PCB、元件、通信设备全线走弱；截至发稿沪指跌1.20%、深成指跌1.60%、创业板指跌2.14%。个股方面，新易盛跌7.82%、天孚通信跌7.09%、中际旭创跌5.76%、芯原股份跌超8%、源杰科技跌超7%、寒武纪跌超5%，奥士康、华盛昌跌停。隔夜Meta财报引爆AI资本开支恐慌，美股科技板块重挫，光通信、存储芯片等大跌（原文明确以此为本轮下跌原因）。另外，面对股价连续回调，新易盛、中际旭创、天孚通信等龙头公司已于10月22日密集发声，回应经营一切正常、订单交付有序；新易盛称1.6T光模块已进入持续放量阶段、在手订单充足，中际旭创称产能利用率充足、供应链稳定，主要客户已给出2027年指引，2027年1.6T和800G订单需求较2026年仍保持快速增长。同期存储芯片概念表现活跃，大港股份涨停，普冉股份、德明利、长鑫科技跟涨，消息面上三星电子及SK海力士正推进其中国厂房生产逾200层NAND晶片，目前三星西安工厂占公司全球NAND产量约40%。
据36氪，港股午间休盘时恒指涨0.58%，恒生科技指数涨0.86%；当日半导体、硬件设备板块走弱，其中中际旭创跌超3%，华虹宏力、英诺赛科跌超2%；同日汽车、电气设备板块走强，小米集团涨超5%，宁德时代、比亚迪股份、理想汽车涨超4%，蔚来涨超3%；南向资金净流出71.18亿港元。原文未说明板块走弱的原因。
据报导，全球最大代工芯片制造商台积电正在评估其工厂自动化设备中的电机能否在不使用稀土磁体的情况下运行，此事恰逢中国一项关键出口管制暂停措施临近法定到期日。这显示中国对稀土的控制力已延伸至维持晶圆厂运转的机械设备。原文未说明台积电此项评估的具体原因，评估结果亦未确定，属调查/评估阶段。
快科技10月23日报道，台积电已向多家工厂自动化设备供应商发出初步技术问卷，评估在洁净室机械电机中替换中国大陆稀土永磁体的可行性。背景原因是：中国大陆在全球稀土精炼环节占比约90%，成品永磁体占比约95%；2025年4月，中国商务部将钐、镝、钕相关产品及烧结磁体纳入出口许可管理，即便电机在北美、日本或欧洲组装，其内部磁体组件往往仍源自中国大陆，一旦海关环节受阻，价值数百万美元的光刻或等离子刻蚀设备可能因一颗电机缺货而被迫闲置。替代路径包括感应电机（发热量显著上升、体积增大）、开关磁阻电机和铁氧体驱动（磁能密度远低于钕铁硼，需加大壳体并重新设计机械架构、引入振动风险），且更换运动组件后通常需要12至24个月重新验证颗粒释放、可靠性和真空完整性，设备商在没有客户直接出资的情况下普遍不愿主动改动已认证的电机总成。三名知情人士透露，相关讨论仍处于早期探索阶段，台积电尚未发布正式的替代指令，也未与设备商签署任何商业替换合同。
英伟达在GTC柏林大会上发布了基于Vera Rubin平台的DSX POD参考设计。据该分析报道，随着AI数据中心加速建设，供应链竞争正从服务器和整机柜扩展到计算模块与现场工程的集成化交付。在该设计模式下，由合作伙伴在集装箱式模块内完成设备的安装、集成与验证，然后将其运输至客户站点进行最终组装和运行。原文未说明原因以外的影响，未提及价格、产量或具体客户订单。
Lam Research公布2026年第三季度营收为82亿美元，环比增长22%，并预测第四季度营收为86亿美元（正负4亿美元）。该公司预计晶圆制造设备（WFE）市场2026年将达到1500亿美元中段规模，并初步预测2027年将超过2000亿美元，其中百分比增长由DRAM引领。上述2026年与2027年数据均为公司预测，并非已实现结果。
据报道，SK Hynix正与材料及设备供应商合作，推动其下一代iHBM冷却技术的商业化，目标是将热阻降低超过30%，该技术拟用于HBM5生产。该举措旨在应对HBM日益严峻的散热挑战，并增强公司在AI存储器领域的竞争力。文中以"据报道"表述，属计划中的技术开发合作，尚未确认已实现商业化或量产。
中国Advanced Micro-Fabrication Equipment（AMEC）已将其首台Primo Domingo高选择性气相刻蚀系统出货至一家国内主要半导体研发与制造客户，标志着中国在为下一代3D芯片开发本土设备方面向前迈进了一步，瞄准中国先进3D芯片制造中的关键空白。
KT Cloud于10月22日表示，其在京畿道安山市动工建设一座公司自有的50兆瓦(MW)AI数据中心(Ansan AI Data Center)。该建筑总建筑面积约36,878平方米，含地下两层、地上九层，总引入电力容量为50MW，计划于2029年竣工。该项目是KT Cloud到2031年 securing 1吉瓦(GW)AI数据中心容量长期战略的一部分，将为高发热AI服务器新增容量，延续其2025年启用的Gasan AI数据中心之后的建设。设施将配备面向高密度AI服务器的电力与冷却基础设施，所有机房均按液冷设计，建筑结构采用高负载设计以容纳包括Nvidia下一代Vera Rubin GPU在内的先进设备。KT Cloud还将引入自然冷却(free-cooling)系统，在春秋冬室外温度较低时利用自然气流降低冷却塔风机与冷水机电耗。
德国默克计划将二氧化钼二氯（MoO₂Cl₂）前驱体的应用从NAND闪存扩展至DRAM和逻辑半导体。默克电子薄膜材料业务高级副总裁Bing Han在10月21日于江南Sono Felice Samsung举行的记者会上表示，随着器件结构微缩，铜和钨的导电性问题将推动钼的更多采用。默克已在忠清北道阴城建成了钼前驱体生产设施，该设施将与其在安山的材料输送系统（CHEMKEEPER Vapor 200）整合，以交钥匙方案形式提供。该扩建使用2023年收购的M Chemicals现有工厂附近的土地，此前该场地生产铪基高介电常数前驱体；建设于2024年开始，设施在两年内具备运营条件。Han表示规划中的产能足以满足韩国客户的全部需求，但公司未披露具体产能或投资数字，并计划最终将支持范围扩展到亚洲各地客户。背景方面：三星电子已于2024年在其200层NAND中采用钼，SK海力士也在其300层NAND中用钼替换了部分字线材料；Lam Research、东京电子和应用材料是钼沉积设备供应商。Hein表示正与客户评估产能，以应对半导体材料消耗量未来五年内可能翻倍的情况。
HPSP于10月22日在京畿道华城总部召开临时股东大会，投票通过Kim Jae-hyun出任新CEO，赞成票96.3%，反对或弃权票3.7%，其任期为两年五个月；Kim Jae-hyun曾为Hanwha Semitech CEO，将与现任CEO Kevin Ki-doo Lee以联席CEO结构共同领导公司。原文未说明原因。Kim曾任职于Applied Materials Korea、Samsung Electronics、Lam Research和Wonik IPS，涵盖前段与后段半导体设备，并自2025年11月2日起担任Hanwha Semitech CEO。股东大会还通过公司章程修正案，涉及战略投资及收购其他公司股份，主要为向第三方发行新股用于业务目的提供更明确依据，该提案以98.1%赞成、1.9%反对或弃权通过。HPSP官方表示正在考虑包括并购（M&A）在内的选项以强化HPA所用高压气体及相关气体技术能力，该修正案为未来M&A交易或收购融资建立制度框架；HPSP拥有约2500亿韩元的现金等价物和短期金融资产可用于潜在M&A及相关投资。HPSP是高压氢退火（HPA）设备的全球领导者，客户包括全球主要存储半导体制造商和代工厂，并计划在Kim领导下加快半导体设备研发。
英特尔表示，位于美国亚利桑那州钱德勒市奥科蒂洛园区的Fab 62已进入设备安装阶段，厂房建设和生产设备进场正同步进行，公司预计该厂在2028年底前开始运营；英特尔代工部门首席技术与运营官纳迦·钱德拉塞卡兰称这是公司在奥科蒂洛园区的第六座高产能制造厂。Fab 62的具体制程尚未公布，英特尔尚未确认任何方案，也未公布该厂产能和客户安排；作为参照，相邻的Fab 52已采用18A制程生产，18A采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术，英特尔称其已于2025年进入高产量生产。美国扩产计划还在其他地区推进：俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One园区已为首座晶圆厂安装第一根大型结构桁架，加州圣克拉拉的新光罩制造设施已举行奠基。另据CNBC报道，英特尔正与SK海力士洽谈，可能将俄亥俄州未完工厂区的一部分出租用于在美国生产存储芯片，双方均未证实这项谈判，具体租赁范围和计划也尚未公布。
Intel已开始在亚利桑那州钱德勒Ocotillo园区的Fab 62安装设备。据Intel官员称，建设和设备安装目前正在进行中，预计2028年底开始投产。Intel代工执行副总裁兼首席技术与运营官Naga Chandrasekaran表示：'今天，我很高兴地分享，Fab 62的建设和工具安装现已全面展开，我们预计到2028年底开始运营。'这一进展发生在Intel的Fab 52达到满负荷产能一年多之后。Fab 62可支持18A、18A-P和14A工艺节点，但公司尚未确认具体支持哪些节点；相邻的Fab 52已在18A节点上制造芯片，目前使用18A工艺制造Panther Lake处理器和Clearwater Forest服务器CPU。可以推测新设施可能扩大现有产能或支持下一代14A工艺，但这属于推测，公司未确认。此外，Intel在俄亥俄州New Albany第一座厂房已完成首个主要结构桁架安装。
据韩国《每日经济新闻》10月22日援引业内消息人士报道，特斯拉与英伟达承诺向三星电机合计投入约3.7万亿韩元，支持其扩大高端倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）封装基板产能，提前锁定下一代AI芯片所需的关键供应资源；原因是随着AI推理需求增长，高端封装基板成为AI供应链扩张的重要环节。相关投资将纳入三星电机今年9月披露的4.27万亿韩元世宗工厂投资计划，新产线预计2027年底完工，2028年上半年完成设备安装与试生产，下半年进入量产，面向特斯拉的首批出货预计2029年启动。三星电机已与特斯拉签署2029年至2033年为期五年的FC-BGA基板长期供应协议，特斯拉将出资约1.1万亿韩元获得世宗工厂专属生产线优先供货，基板用于特斯拉自动驾驶汽车AI芯片及人形机器人Optimus。英伟达同步支持其他供应商：与日本Ibiden签署产能预付协议，承诺投入数十亿美元将其小野工厂产能扩大至原来的三倍，新增产能预计2028年第一季度开始释放；据《每日经济新闻》估算英伟达对三星电机的投资承诺约2.6万亿韩元（官方声明未披露具体金额）；在中国台湾地区通过产能预留协议支持欣兴电子扩充KF基板产能，新增产量预计2027年第二季度开始释放、2028年年中满产；目标是在未来三年内将IC基板总产能提升至现有水平的2.5倍。据业内估算，Ibiden在高端FC-BGA基板市场份额超过70%。此外，三星电机10月19日宣布与一家未具名全球客户签订价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供应合同，供货期覆盖2027年全年。上述均为计划或承诺，尚未实现产能落地。
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全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |