国家信息化"十五五"规划提出研制高性能人工智能芯片和高可用基础软件栈
国家信息化"十五五"规划提出研制高性能人工智能芯片和高可用基础软件栈。该内容为规划层面的方向性表述，原文仅给出这一规划要点，未提供具体项目、时间表、资金安排、责任主体或实施细节，也未说明提出该规划的背景原因。
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国家信息化"十五五"规划提出研制高性能人工智能芯片和高可用基础软件栈。该内容为规划层面的方向性表述，原文仅给出这一规划要点，未提供具体项目、时间表、资金安排、责任主体或实施细节，也未说明提出该规划的背景原因。
10月23日，苹果首款折叠屏手机iPhone Duo正式开售，国行起售价15999元（256GB），2TB版本26499元，成为苹果迄今定价最高的iPhone，苹果官网每位顾客限购2部。同步公布的海南免税渠道价格为：256GB版15839元（较官网价15999元便宜160元）、512GB版17819元（较官网价17999元便宜180元）、1TB版21289元（较官网价21499元便宜210元）、2TB版26239元（较官网价26499元便宜260元）。港版官网价格为17499港币（约合14932元人民币）、19299港币（约合16468元人民币）、22799港币（约合19454元人民币）、27999港币（约合23891元人民币）。产品方面：采用书本式内折，外屏5.4英寸、内屏7.6英寸，展开厚度5.2毫米，边框为航空级钛金属，铰链为定制可变扭矩设计并包含超过100个部件；内屏采用屏下摄像头，苹果称屏幕刚性较行业内其他显示屏提升40%；核心配置为台积电2nm工艺的A20 Pro芯片，配合大尺寸VC均热板，苹果给出的持续性能提升幅度为较iPhone 17 Pro最多35%；Face ID被取消，侧边按键集成Touch ID，全球版本仅支持eSIM，无物理SIM卡槽。原文未说明原因相关内容不适用。
EE Times文章指出，Arm与Qualcomm诉讼判决中2美元的损害赔偿金额虽然占据了新闻标题，但该判决更重大的影响在于：谁控制定制芯片在出货前必须通过的合规测试。文章讨论的是判决在合规测试控制权方面的含义，原文未说明原因以外的其他背景。
据Counterpoint Research，主打NAND Flash的长江存储(YMTC)自2025年10月起在其Fab 2以每月约5,000片晶圆的规模生产运行速度为7,500 MT/s的16 Gb LPDDR5X DRAM。该公司目前正筹备在其Fab 3开始量产速度达9,600 MT/s的LPDDR5X存储器，采用垂直沟道晶体管(VCT) 4F²单元结构技术。量产尚处于筹备阶段，属于计划中事项。
以色列安全公司Lava通过监控与中国国有电信运营商中国电信相关的网络端点，识别出32颗Nvidia Blackwell Ultra B300 GPU。根据美国出口管制，该芯片被禁止向中国销售。这一发现加剧了关于限制措施能否将先进AI处理器挡在该国之外的疑问，但网络数据并不能确定这些GPU的实际物理位置。
美国联邦通信委员会（FCC）已禁止两款电子设备进入美国市场，原因是这两款设备均含有华为海思（Huawei HiSilicon）制造的监控芯片。此举标志着FCC首次启用一项针对芯片制造商被认定为国家安全风险设备的新规；原文未说明该禁令的进一步实施细节。
Rapidus董事长东哲郎表示，这家日本芯片制造商大体上仍按计划在2027年下半年开始2纳米芯片的量产。他表示，争取客户仍是关键挑战，预计初始需求主要来自美国，那里与人工智能相关的需求强劲。量产计划为计划状态，尚未实现。
Mouser已与工业IoT控制器制造商ControlByWeb签署新的全球分销协议，该厂商产品用于远程监控、控制与数据采集。平台具有可选的云和蜂窝连接，用于安全的边缘到企业部署。Mouser将备货一系列产品，包括：X-410边缘可编程I/O控制器（含四个继电器、四个数字输入和一个温度输入），该系列包括支持Wi-Fi的X-410W和带蜂窝功能的X-410CW；属于CBW 400系列的X-401双继电器与输入模块（两个SPDT Form C继电器和两个光隔离输入），包括Wi-Fi版本X-401W和蜂窝版本X-401CW；支持可选Wi-Fi或蜂窝连接的WebRelay单继电器与输入模块；以及WebRelay-Quad网络控制四继电器模块，提供Wi-Fi或蜂窝连接选项。原文未说明原因（本条为渠道合作事件，无价格或供应变动原因）。
10月23日A股早盘，算力硬件、芯片半导体等再度下挫，覆铜板、光模块、光通信、电路板等概念股集体下跌，光模块、CPO、PCB、元件、通信设备全线走弱；截至发稿沪指跌1.20%、深成指跌1.60%、创业板指跌2.14%。个股方面，新易盛跌7.82%、天孚通信跌7.09%、中际旭创跌5.76%、芯原股份跌超8%、源杰科技跌超7%、寒武纪跌超5%，奥士康、华盛昌跌停。隔夜Meta财报引爆AI资本开支恐慌，美股科技板块重挫，光通信、存储芯片等大跌（原文明确以此为本轮下跌原因）。另外，面对股价连续回调，新易盛、中际旭创、天孚通信等龙头公司已于10月22日密集发声，回应经营一切正常、订单交付有序；新易盛称1.6T光模块已进入持续放量阶段、在手订单充足，中际旭创称产能利用率充足、供应链稳定，主要客户已给出2027年指引，2027年1.6T和800G订单需求较2026年仍保持快速增长。同期存储芯片概念表现活跃，大港股份涨停，普冉股份、德明利、长鑫科技跟涨，消息面上三星电子及SK海力士正推进其中国厂房生产逾200层NAND晶片，目前三星西安工厂占公司全球NAND产量约40%。
隔夜10年期美债收益率单日暴跌逾15个基点，一度跌破5.00%关口，创一个月新低；纳斯达克综合指数重挫2.60%，费城半导体指数单日跌幅高达6.72%。当日标普500指数收跌1.22%终结三连涨，道琼斯工业平均指数微涨0.02%，罗素2000指数涨0.11%；板块分化鲜明，日用消费品、医疗保健与公用事业领涨，半导体、存储芯片与光通信领跌，呈典型防御性轮动特征。野村跨资产策略师Charlie McElligott在最新报告中指出，市场正快速'重新定价左尾风险'，驱动力已从此前的通胀叙事切换为对AI驱动增长前景的系统性重估，美债久期头寸重新发挥股票组合对冲功能。其列举的抛售根源包括：Anthropic年化经常性收入数据令市场失望并引发对其IPO可行性的质疑；Gartner警告超过80%的新兴云服务商将面临倒闭；多个AI生态系统相关IPO遇冷；Lam Research（LRCX）的业绩指引令市场失望；以及普遍蔓延的'资本支出增速趋于平缓'预期——尽管Meta维持激进资本支出计划并上调预期。Meta在14C文件中承认需要从今年秋季起通过发行新类别无投票权股票及大量债券筹集'数千亿美元'，其CDS利差从7月29日的80个基点扩大至10月22日的120个基点。野村测算，若市场再跌1%，期权做市商、杠杆ETF与波动率控制基金合计需抛售约340亿美元；跌3%为1340亿美元；跌5%则高达2250亿美元；QQQ一旦跌破715美元，做市商将陷入负Gamma区间，机械性抛售将自我强化。
LG电子在两条线上扩展其人工智能布局。一方面，公司正在扩大自研定制AI芯片在家电产品中的部署规模以增强产品差异化，据标题，家电AI芯片数量已超过100万颗。另一方面，由LG NOVA(LG北美创新中心)孵化并分拆出的初创公司PADO正进入GPU算力租赁与经纪市场，以探索数据中心机会。
三星电子晶圆代工业务计划于2026年推出第二代8LPU+平台，将其已超过八年的8纳米制程延伸至另一世代。该举措瞄准汽车电子、机器人和边缘AI芯片的需求，同时利用现有深紫外（DUV）产线以控制晶圆成本。此为计划，尚未落地。
UMC与AP Memory于10月22日宣布一项技术与制造合作伙伴关系，共同为AI数据中心开发下一代供电解决方案，结合UMC的深沟槽电容（DTC）技术与晶圆制造能力以及AP Memory的硅电容设计与系统集成专长。该合作发布的背景是AI与高性能计算（HPC）芯片功耗上升，正加速向近芯片供电与先进封装集成转变。此为双方宣布的合作计划，内容涉及为AI数据中心开发下一代供电解决方案。
中国Advanced Micro-Fabrication Equipment（AMEC）已将其首台Primo Domingo高选择性气相刻蚀系统出货至一家国内主要半导体研发与制造客户，标志着中国在为下一代3D芯片开发本土设备方面向前迈进了一步，瞄准中国先进3D芯片制造中的关键空白。
德国默克计划将二氧化钼二氯（MoO₂Cl₂）前驱体的应用从NAND闪存扩展至DRAM和逻辑半导体。默克电子薄膜材料业务高级副总裁Bing Han在10月21日于江南Sono Felice Samsung举行的记者会上表示，随着器件结构微缩，铜和钨的导电性问题将推动钼的更多采用。默克已在忠清北道阴城建成了钼前驱体生产设施，该设施将与其在安山的材料输送系统（CHEMKEEPER Vapor 200）整合，以交钥匙方案形式提供。该扩建使用2023年收购的M Chemicals现有工厂附近的土地，此前该场地生产铪基高介电常数前驱体；建设于2024年开始，设施在两年内具备运营条件。Han表示规划中的产能足以满足韩国客户的全部需求，但公司未披露具体产能或投资数字，并计划最终将支持范围扩展到亚洲各地客户。背景方面：三星电子已于2024年在其200层NAND中采用钼，SK海力士也在其300层NAND中用钼替换了部分字线材料；Lam Research、东京电子和应用材料是钼沉积设备供应商。Hein表示正与客户评估产能，以应对半导体材料消耗量未来五年内可能翻倍的情况。
Intel已开始在亚利桑那州钱德勒Ocotillo园区的Fab 62安装设备。据Intel官员称，建设和设备安装目前正在进行中，预计2028年底开始投产。Intel代工执行副总裁兼首席技术与运营官Naga Chandrasekaran表示：'今天，我很高兴地分享，Fab 62的建设和工具安装现已全面展开，我们预计到2028年底开始运营。'这一进展发生在Intel的Fab 52达到满负荷产能一年多之后。Fab 62可支持18A、18A-P和14A工艺节点，但公司尚未确认具体支持哪些节点；相邻的Fab 52已在18A节点上制造芯片，目前使用18A工艺制造Panther Lake处理器和Clearwater Forest服务器CPU。可以推测新设施可能扩大现有产能或支持下一代14A工艺，但这属于推测，公司未确认。此外，Intel在俄亥俄州New Albany第一座厂房已完成首个主要结构桁架安装。
据韩国《每日经济新闻》10月22日援引业内消息人士报道，特斯拉与英伟达承诺向三星电机合计投入约3.7万亿韩元，支持其扩大高端倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）封装基板产能，提前锁定下一代AI芯片所需的关键供应资源；原因是随着AI推理需求增长，高端封装基板成为AI供应链扩张的重要环节。相关投资将纳入三星电机今年9月披露的4.27万亿韩元世宗工厂投资计划，新产线预计2027年底完工，2028年上半年完成设备安装与试生产，下半年进入量产，面向特斯拉的首批出货预计2029年启动。三星电机已与特斯拉签署2029年至2033年为期五年的FC-BGA基板长期供应协议，特斯拉将出资约1.1万亿韩元获得世宗工厂专属生产线优先供货，基板用于特斯拉自动驾驶汽车AI芯片及人形机器人Optimus。英伟达同步支持其他供应商：与日本Ibiden签署产能预付协议，承诺投入数十亿美元将其小野工厂产能扩大至原来的三倍，新增产能预计2028年第一季度开始释放；据《每日经济新闻》估算英伟达对三星电机的投资承诺约2.6万亿韩元（官方声明未披露具体金额）；在中国台湾地区通过产能预留协议支持欣兴电子扩充KF基板产能，新增产量预计2027年第二季度开始释放、2028年年中满产；目标是在未来三年内将IC基板总产能提升至现有水平的2.5倍。据业内估算，Ibiden在高端FC-BGA基板市场份额超过70%。此外，三星电机10月19日宣布与一家未具名全球客户签订价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供应合同，供货期覆盖2027年全年。上述均为计划或承诺，尚未实现产能落地。
据Omdia在2026年10月22日Evertiq华沙博览会发布的2025年数据，前十大半导体供应商收入增长超过30%（30.4%，达5621亿美元），约为行业其余厂商增速的近三倍，占一个总值约831亿美元（原文写作USD 831 billion，即8310亿美元）、增长23.3%的创纪录市场的近68%（67.6%）。Nvidia收入增加529亿美元至1503亿美元，增长54.3%，份额从约14.5%升至超过18%（18.1%），对第二名三星电子的领先优势从223亿美元扩大到645亿美元，接近原来的三倍，并贡献了全行业增长的大约三分之一。三星收入增长14.2%至858亿美元，份额从11.1%降至10.3%，对SK海力士的领先从278亿美元缩至185亿美元。SK海力士增长42.3%至672亿美元升至第三；Micron以56.3%的增速（增加164亿美元至456亿美元）从第七升至第五，超过Broadcom和Qualcomm；Broadcom增长28.0%至395亿美元但保持第六；Qualcomm增长11.6%至389亿美元却从第五跌至第七，份额从5.2%降至4.7%；AMD增长33.4%至327亿美元仍列第九；Apple的344亿美元是Omdia对其自研芯片活动的估值而非对外销售；Intel是前十中唯一收入下滑的公司，下降3.7%至485亿美元，从第三降至第四，份额从7.5%降至5.8%。2023至2025年全行业收入增长约53%，前十增长约90%，其余合计约8%；Nvidia与三星、SK海力士、Micron三家存储大厂合计份额从2023年的24%升至2025年的42%。据Omdia，DRAM市场两年内从2023年的略超500亿美元增至2025年的超过1500亿美元，仅2025年就增长超过50%；Omdia分析师Lino Jeng表示AI服务器不仅需要更多HBM，也需要显著更多的系统内存尤其是DDR5；Evertiq的Ewelina Bednarz指出，随着厂商将产能转向HBM和高容量服务器DRAM，其他内存类型供应趋紧、价格在HBM之外也上涨，且数据衡量的是收入而非出货量，价格和产品组合解释了大部分增长。Omdia九月更新数据显示2026年上半年行业收入达7520亿美元，约为2025全年的90%，第二季度单季超过4250亿美元，环比增长超过31%，存储占第二季度市场的一半以上，DRAM、NAND和NOR均创季度收入纪录；剔除存储后环比增长略超10%（历史第二季度平均略超3%）。SIA报告称截至2026年8月全球半导体销售额年初至今突破1万亿美元，为首次达到该水平，8月销售额1597亿美元，同比增长144.3%，为连续第18个月增长，SIA预计2026全年销售额将超过1.6万亿美元；SIA数据基于世界半导体贸易统计（WSTS），与Omdia方法不同，两组数字不可直接比较。
美光在10月21日于投资者关系网站举行的技术与产品网络研讨会上宣布，将跳过原规划的NAND一代，加速其3D NAND技术路线图，以更快提供额外裸片容量、速度和能效。据Blocks & Files于2026年10月22日(周四15:48 UTC)报道，美光目前出货第九代G9 NAND,采用276层，首款采用该技术的2650客户端SSD于2024年7月发布。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，美光将直接从G9跳到G11,并称该存储器经过优化、面向未来AI产品。与G9相比，G11位密度翻倍、I/O速度提升最高1.5倍、传输一位所需能量减少25%;G11将采用晶圆对晶圆键合技术，层数超过400层，计划于明年下半年量产，更多细节将于明年临近发布时公布。该媒体 Bootsnote指出，G10(原规划300+层)已于2026年10月被放弃，G11对应原规划的400+层代际。DeBoer还介绍了可能基于G11的未来产品方向：高IOPS的SLC小区块AI级NAND(约2500万至1亿IOPS量级)和高带宽AI级NAND(类似HBM的TSV堆叠结构，置于加速器附近)，下一代SSD容量最高可达512TB。此外，据BNP Paribas分析师引述，美光HBM4 36GB 12-high已于2026年3月进入量产，HBM4E正在向关键客户送样，公司目标2027年量产HBM4E、2028年HBM5、2029年HBM5E、2030年HBM6,并宣布vHBM和vEIM两条新线目标2028年量产。跳代的原因，按美光说法是为更快提供额外裸片容量、速度和能效并优化AI产品；该媒体另行发表评论认为跳代属营销性质，是对三星、SK hynix及Sandisk/Kioxia代际命名的回应，此为媒体观点而非美光自述。
据小鹏汽车官方10月22日分享，10月21日至23日，2026世界智能网联汽车大会（WICV）在北京亦庄举办。10月21日，小鹏集团董事长、CEO何小鹏在大会"巅峰对话"环节表示，L4技术落地大概在2028年下半年，需要全体系软硬件一起开发；面对欧洲复杂路况，小鹏是将L4的模型能力用于满足靠边停车、在未曾见过的复杂路段符合当地法律法规与文化等。小鹏汽车官方表示，小鹏第二代VLA基于统一技术底座，已实现L2至L4能力贯通，进一步向更高阶自动驾驶拓展。据IT之家昨日报道，何小鹏还表示自动驾驶下半场将出现三个重大变化：软件形态从原来的软件转向AI模型与数据，硬件形态转向覆盖芯片、底盘、座舱、自驾到整车的全能力硬件耦合；法规与场景重心变化，未来全球将推动L2、L3、L4相关法规并探索L4、L5落地场景；下半场将出现安全碰撞里程、用户全场景覆盖率、用户愿意付费的比例三个核心指标。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |