NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月20日周二

7 条

19:00影响评分 10
技术综述：仿真驱动SiC与GaN变换器热建模，WBG性能主要受发热位置与封装散热制约
这是一篇技术综述性文章（非市场事件），介绍以仿真为主的SiC和GaN功率变换器热建模方法。文章指出，宽禁带（WBG）器件开关速度更快、击穿电压更高、单位面积导通电阻更低，但热量集中在极小区域，局部热流密度可达每平方厘米数千瓦；若散热不当，可能导致热失控、栅氧化层退化、焊点开裂和灾难性器件失效。一篇发表于MDPI期刊Electronics的综述强调，WBG性能主要受器件内发热位置和封装散热有效性制约，而非仅取决于半导体本身的电气特性。文章说明4H-SiC在室温下热导率约为硅的3倍（约490 W/m·K 对 150 W/m·K），但工作时随温度按非线性规律显著下降；横向GaN HEMT的热量集中在栅极边缘附近微观区域，易形成局部热点，热建模需在栅漏区采用高空间分辨率。仿真工具链分三层：器件与封装级3D FEA/CFD仿真（如Ansys Icepak、Siemens Simcenter Flotherm）、降阶模型（Cauer/Foster RC网络ROM，Siemens的Embeddable BCI-ROM技术可在保护IP的前提下共享封装热模型），以及系统级电热协同仿真。文中举例Onsemi与Ansys开发了多保真热建模流程用于验证工业应用中的SiC MOSFET功率模块，并介绍了基于机器学习的快速结温估计方法。原文未涉及价格、产能、供需或任何市场变化。
SiC GaN
17:41影响评分 62
AI封装供应紧张向上游蔓延：Unimicron警告超80%关键设备交期已拉长、部分达30个月，关键材料2027年或潜在短缺20%
据TrendForce于2026年10月20日发布的消息，AI封装供应紧张正向上游蔓延，IC基板正受到供应瓶颈冲击。台湾厂商Unimicron警告，在CoWoS与EMIB需求升温的背景下，关键设备的交期已拉长，超过80%的关键设备交期拉长，部分设备交期达到30个月；同时关键材料在2027年面临潜在的20%短缺（短缺为潜在预测，非已实现结果）。
IC substrates CoWoS EMIBUnimicron产能变化
16:02影响评分 60
AI服务器需求带动东台精机PCB钻孔设备订单可见性延伸至2027年底
Tongtai Machine & Tool表示，随着AI基础设施需求加大高端板生产的压力，其印刷电路板（PCB）钻孔设备已获得截至2027年底的订单可见性。这家台湾机床制造商在2026年台湾电路板国际展上展示了其最新解决方案，包括面向AI服务器板和IC载板的CCD高精度钻孔机以及无人化钻站系统。
PCB drilling equipment CCD high-precision drilling machines unmanned drilling-station systemTongtai Machine & Tool
14:33影响评分 58
Daeduck Electronics加速开发陶瓷芯基板（CCS），计划2027-2028年推进样品与客户评估，目标2029年量产
韩国基板厂商Daeduck Electronics正在加速开发陶瓷芯基板（CCS），以应对AI半导体封装尺寸增大带来的翘曲和散热管理挑战。该公司目前正在进行性能和内部可靠性评估，计划在2027年和2028年推进样品及客户评估，并以2029年量产为目标；陶瓷芯被视为下一代大面积封装中玻璃芯的材料替代方案。以上均为计划/目标状态，量产尚未实现。
ceramic core substrates (CCS)Daeduck Electronics产能变化
13:37影响评分 60
Genesem赢得与第三大晶圆代工厂的AI切筋分片设备独家交易
Genesem与全球第三大晶圆代工厂Company A及其外包封装合作伙伴达成独家协议，从2027年起独家供应配备AI视觉的切筋分片设备GVISION AI+。该设备于第三季度通过量产认证，2027年预计交付约20台，合同价值超过300亿韩元。AI功能使设备价格比现有型号增加10%以上。
saw singulation equipment GVISION AI+Genesem、Company A 等 3 家产能变化
12:02影响评分 58
AI基板瓶颈从设计转向制造：加速器基板预计未来三至五年超100x100mm并扩展至120x120mm以上
AI计算正将封装密度推向极限，加速器基板预计将在未来三至五年内超过100x100mm并扩展至120x120mm以上。随着基板尺寸、层数、I/O和电力需求上升，行业关键瓶颈正从设计能力转向制造产能。原文未说明具体厂商或时间点，上述尺寸扩展为预期而非已实现结果。
accelerator substrates产能变化
07:31影响评分 60
欣兴电子警示IC基板供应吃紧：部分关键设备交期最长达30个月，2027年关键材料恐现20%供应缺口
据财讯周刊与经济日报援引欣兴电子董事长曾子章在台湾电路板国际展（10月20日）上的说法，AI加速器需求带动CoWoS与EMIB等先进封装扩张，供应瓶颈正蔓延至关键材料与设备：部分关键设备交期已拉长至30个月，关键材料2027年恐面临20%供应缺口；材料端低热膨胀玻纤布、铜箔基板（CCL）与ABF供应尤为吃紧，超过80%的设备交期拉长，其中超过20%的延迟超过原交期的两倍。曾子章预计CoWoS产能到2028年较2024年增长6.8倍，超大规模业者资本开支增长6.3倍，IC基板产能仅翻倍，DRAM产能扩张1.8倍；但他提醒这些倍数因各环节产能基数不同，未必代表供应短缺。财讯周刊指出，DRAM与基板缺货已在2025年和2026年显现，设备交期拉长与材料吃紧可能使全产业产能扩张更难同步。另据MoneyDJ援引曾子章，AI基板尺寸由早期约1倍掩模尺寸扩大至2025年的3倍，2026年目标5倍，2027–2028年达5–9倍，最终可能达12–14倍；中央社报道称AI芯片电流可超过1000安培，对电源完整性、高速信号传输、散热管理与热机械可靠性提出更高要求，且精细线路要求可能超出单一基板厂能力，进一步 complicating 良率提升。Intel EMIB供应链良率近期已提升至约45%，供应商目标4Q26达50%、1Q27达60%。
IC substrate CoWoS EMIBUnimicron、Intel库存变动

10月19日周一

4 条

23:30影响评分 58
英特尔宣称拥有业界唯一的高产量300mm InP硅光子学制造能力，CPO商业化势头增强
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
300mm InP silicon photonics InP-based laser technology co-packaged optics (CPO)Intel、NVIDIA 等 6 家产能变化
18:10影响评分 50
Shindo Eng Lab于SEMICON West 2026（10月15日当地时间）提出GPU与HBM垂直堆叠、玻璃陶瓷中介层夹于其间的3D封装架构，已提交专利申请并与约10家公司进行技术讨论
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
GPU HBM 玻璃陶瓷中介层（glass-ceramic interposer）Shindo Eng Lab
10:08影响评分 45
英飞凌与Wolfspeed的长期供应协议扩大并延长至8英寸碳化硅晶圆
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
8-inch silicon carbide (SiC) wafersInfineon Technologies、Wolfspeed并购合作
09:48影响评分 58
友达瞄准AI时代增长：规划共同封装光学与玻璃核心基板作为第四、第五增长支柱
友达（AUO）董事长兼CEO彭双浪表示，公司将以人工智能、多元化及集团内合作为增长定位；在显示业务迈入30周年之际，公司将在三大既有业务基础上，寻求通过技术与合作伙伴关系打造第四和第五增长支柱，方向包括共同封装光学（co-packaged optics）与玻璃核心基板（glass core substrates）。此为公司的规划方向，原文未说明具体投资规模或时间表，也未说明原因。
co-packaged optics glass core substratesAUO产能变化

10月16日周五

5 条

19:38影响评分 45
英飞凌与Wolfspeed达成200mm SiC晶圆供应协议
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
200mm silicon carbide (SiC) wafers 150mm substratesInfineon Technologies、Wolfspeed并购合作
16:57影响评分 45
Infineon与Wolfspeed扩大并延长长期SiC晶圆供应协议至200mm
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
silicon carbide (SiC) substratesWolfspeed Inc、Infineon Technologies AG并购合作
13:14影响评分 0
Infineon和Wolfspeed签署多年200mm SiC晶圆供应协议
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
SiC wafersInfineon、Wolfspeed并购合作
11:42影响评分 50
BOE 24层玻璃基板进入AI芯片封装试验，量产仍在推进之中
在10月15日的投资者关系活动上，中国显示面板厂商BOE表示，其已完成玻璃基板（glass-core substrates）的完整制造工艺，制备出超过100×100mm的24层样品。这些样品已交付客户并通过多项可靠性测试，进一步的验证仍在进行中；量产仍在推进之中，尚未实现。
glass-core packaging substratesBOE
10:39影响评分 60
LG Innotek目标2028年供应玻璃基板，同时拓展智能手机以外的业务
LG Innotek计划于2028年左右开始为先进半导体封装供应玻璃基板，并预计其芯片基板业务将在2027年改善。该韩国零部件制造商此举旨在减少对智能手机相机模块的依赖并拓展汽车技术领域。此为计划/预期，并非已实现的结果。
glass substrates semiconductor packaging substrates smartphone camera modulesLG Innotek产能变化

10月15日周四

4 条

22:30影响评分 45
Infineon获得Wolfspeed的200mm SiC晶圆供应
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
200mm silicon carbide (SiC) wafers SiC substrates SiC power semiconductorsInfineon、Wolfspeed并购合作
21:45影响评分 20
QYResearch：中国高阻隔氧化铝膜2026-2032年年复合增长率预计为4.4%，2025年市场销售收入数值缺失
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国高阻隔氧化铝膜市场现状研究分析与发展前景预测报告》。据其最新市场数据统计，高阻隔氧化铝膜年复合增长率为4.4%（2026-2032，预测值）；2025年中国高阻隔氧化铝膜市场销售收入达到了万元（原文数值缺失），预计2032年可以达到万元（原文数值缺失），2026-2032期间年复合增长率为 %（原文数值缺失）。高阻隔氧化铝膜以透明PET或BOPP薄膜为基材，在真空状态下气相沉积氧化铝制成，对氧气和水蒸气有高阻隔性。报告研究的产品类型包括高阻隔氧化铝PET膜、高阻隔氧化铝BOPP膜，应用领域包括食品包装、药品包装、电子及半导体、其他；历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告覆盖的主要厂商包括Toppan Printing、Dai Nippon Printing、Amcor、Ultimet Films Limited、DuPont、Toray Advanced Film、Mitsubishi PLASTICS、Toyobo、Schur Flexibles Group、Sealed Air、Mondi、Wipak、3M、Flex Films、佛山市彩龙金属包装材料、广东正一包装、广东华都城集团、浙江长宇新材料、杭州明日软包装。报告还提及2025年美国关税政策带来的不确定性，并分析中国本土生产、进出口情况、产能产量供需及美国对华关税对行业的影响。本文为市场研究报告介绍，原文未说明价格变动，未给出任何价格涨跌数据。
高阻隔氧化铝膜高阻隔氧化铝PET膜高阻隔氧化铝BOPP膜Toppan Printing、Dai Nippon Printing 等 19 家
21:41影响评分 55
VON ARDENNE推出新HiPIMS沉积解决方案，进军半导体面板级封装（PLP）市场
VON ARDENNE宣布将其半导体沉积产品组合扩展至面板级封装（PLP）领域，推出新的HiPIMS沉积解决方案。该方案可在玻璃通孔（TGV）中沉积高深宽比的阻挡层和种子层，实现致密、高附着力的功能性薄膜沉积，并基于其HISS模块化水平镀膜平台，将HiPIMS技术从300mm晶圆级加工扩展至面板级生产，适用于TGV和再布线层（RDL）等先进封装应用。据Yole Group统计，PLP在2025年产生超过3亿美元的收入，预计未来五年将以超过40%的复合年增长率增长；据2026年3月Yole报告《Panel Level Packaging 2026》，在台积电（TSMC）进入及AI和高性能计算（HPC）应用采用高端PLP的推动下，PLP预计在2029-2030年间加速发展。VON ARDENNE高管称HiPIMS可降低下游成本、提高良率。此次为产品/市场扩展公告，原文未说明相关生产或投产时间安排。
panel-level packaging (PLP) deposition equipment through-glass via (TGV) barrier and seed layers redistribution layers (RDL)VON ARDENNE
20:45影响评分 55
深南电路：预计前三季度归母净利润40.5亿元至41.5亿元，同比增长74.13%至78.43%
深南电路公告，预计2026年前三季度归母净利润40.5亿元至41.5亿元，同比增长74.13%至78.43%，上年同期为23.26亿元；扣非净利润40.18亿元至41.18亿元，同比增长84.15%至88.73%，上年同期为21.82亿元；基本每股收益6.02元/股至6.17元/股。原文说明增长原因为AI算力基础设施投资、产品迭代升级带来市场机遇，AI服务器、高速交换机、光模块、处理器及存储类封装基板市场需求持续增长，公司产能利用率高位运行，产品结构持续优化，叠加广州生产基地产能稳步爬坡。该数据为业绩预告（预计值），尚非最终实现结果。
封装基板深南电路

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

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10月20日周二

技术综述：仿真驱动SiC与GaN变换器热建模，WBG性能主要受发热位置与封装散热制约

AI封装供应紧张向上游蔓延：Unimicron警告超80%关键设备交期已拉长、部分达30个月，关键材料2027年或潜在短缺20%

AI服务器需求带动东台精机PCB钻孔设备订单可见性延伸至2027年底

Daeduck Electronics加速开发陶瓷芯基板（CCS），计划2027-2028年推进样品与客户评估，目标2029年量产

Genesem赢得与第三大晶圆代工厂的AI切筋分片设备独家交易

AI基板瓶颈从设计转向制造：加速器基板预计未来三至五年超100x100mm并扩展至120x120mm以上

欣兴电子警示IC基板供应吃紧：部分关键设备交期最长达30个月，2027年关键材料恐现20%供应缺口

10月19日周一

英特尔宣称拥有业界唯一的高产量300mm InP硅光子学制造能力，CPO商业化势头增强

Shindo Eng Lab于SEMICON West 2026（10月15日当地时间）提出GPU与HBM垂直堆叠、玻璃陶瓷中介层夹于其间的3D封装架构，已提交专利申请并与约10家公司进行技术讨论

英飞凌与Wolfspeed的长期供应协议扩大并延长至8英寸碳化硅晶圆

友达瞄准AI时代增长：规划共同封装光学与玻璃核心基板作为第四、第五增长支柱

10月16日周五

英飞凌与Wolfspeed达成200mm SiC晶圆供应协议

Infineon与Wolfspeed扩大并延长长期SiC晶圆供应协议至200mm

Infineon和Wolfspeed签署多年200mm SiC晶圆供应协议

BOE 24层玻璃基板进入AI芯片封装试验，量产仍在推进之中

LG Innotek目标2028年供应玻璃基板，同时拓展智能手机以外的业务

10月15日周四

Infineon获得Wolfspeed的200mm SiC晶圆供应

QYResearch：中国高阻隔氧化铝膜2026-2032年年复合增长率预计为4.4%，2025年市场销售收入数值缺失

VON ARDENNE推出新HiPIMS沉积解决方案，进军半导体面板级封装（PLP）市场

深南电路：预计前三季度归母净利润40.5亿元至41.5亿元，同比增长74.13%至78.43%

芯片拆解室已拆 1 台

器件价格指数NPI，较上期

热门器件

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10月20日 周二

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