东北大学实现超WBG基板大口径化
东北大学在超宽禁带半导体基板的大尺寸化方面取得进展。该技术旨在解决当前基板尺寸限制问题，提升功率器件性能。
中性
目前属于技术研发阶段，尚未对现货价格产生直接影响。
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东北大学在超宽禁带半导体基板的大尺寸化方面取得进展。该技术旨在解决当前基板尺寸限制问题，提升功率器件性能。
目前属于技术研发阶段，尚未对现货价格产生直接影响。
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感，提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术，但当前对现货价格影响中性，属于研发里程碑。
FAMES中试线启动2026年开放申请，提供四款新工艺设计套件，涵盖7-15GHz声波射频滤波器、相变材料射频开关、硅基磁性集成及FD-SOI 10nm路径探索。此举旨在通过共享研发设施提升欧盟技术主权。
此为长期研发合作项目，对当前组件供需及价格无直接影响。
美国密歇根大学实验实现单通道AlN/GaN异质结2DEG面密度超1x10^14 cm^-2。该研究采用9nm氮化铝势垒层，旨在提升GaN HEMT器件的电子迁移率与性能。
此为远期材料研发突破，对当前功率及射频半导体供应链、库存及价格无直接影响。
日本NTT在IEDM 2025会议上首次展示了铝含量超75%的AlGaN晶体管射频工作，实现了毫米波信号放大。该技术旨在突破传统氮化镓材料的频率与功率极限，面向未来6G及卫星通信市场。
此为远期研发进展，对当前射频器件供应链、库存及价格无直接影响。
康奈尔大学研发出基于单晶氮化铝衬底的新型高电子迁移率晶体管架构，用于射频功率放大器。该研究旨在应对当前基于氮化镓技术的供应链脆弱性问题。
此为远期研发里程碑，尚未进入商业化量产阶段，对当前交易市场无直接影响。
威斯康星大学麦迪逊分校联合NatCast等机构，正式启用超宽禁带半导体MOCVD实验室。该实验室由ECE助理教授Shubhra Pasayat主导，旨在推进氧化镓、氮化铝等下一代功率半导体材料研发。
此为长期学术研究进展，对当前商用芯片的供应链、库存及价格无直接影响。
英国公司QPT申请专利，其新型芯片贴装工艺据称可将废热移除效率提升高达15倍。此举旨在解决高功率半导体（尤其是GaN器件）封装中散热与应力的核心挑战。
此为远期研发进展，对当前元器件供应、价格及库存无直接影响，不构成交易信号。
HexaTech公司获得DARPA多年合同，开发高质量氮化铝衬底材料。该项目属于美国国防部超宽带隙半导体计划，旨在为下一代功率电子奠定材料基础。
/利空/关注: 中性，此为远期研发里程碑，对当前商用半导体供应链、库存及现货价格无直接影响。
雷神公司获得DARPA为期三年的合同，开发基于金刚石和氮化铝的超宽禁带半导体。该项目旨在为国防传感器等应用提升功率传输和热管理能力。
此为长期基础研发，对当前商用半导体供应链、库存及现货价格无直接影响。
康奈尔大学与Lit Thinking获DARPA资助，合作研发低导通电阻氮化铝PiN二极管项目。该项目旨在攻克限制氮化铝作为下一代半导体材料广泛应用的关键技术挑战。
此为远期研发进展，对当前商用元器件供应、价格及交易无直接影响。
德国研究人员展示了氮化铝功率半导体价值链的实施方案，将其定位为超越碳化硅和氮化镓的未来超宽禁带材料。该研究属于半导体材料科学的长期研发里程碑，尚无商业化生产计划。
此为远期技术展望，对当前元器件交易价格与供应无直接影响。
Crystal IS实现100mm氮化铝衬底99%可用面积，并启动美国产线量产。该技术突破旨在提升UVC LED等下一代器件的可靠性与性能。
此为长期研发里程碑，未提供影响当前现货市场供需或价格的直接信号。
比利时研究机构Imec在IEDM 2023上展示了基于200mm硅衬底的AlN/GaN MISHEMT，在28GHz下实现高输出功率与能效。该技术旨在为5G-Advanced基站和移动设备应用提供更具成本效益的GaN解决方案。
此为远期研发进展，对当前GaN射频元件供应链、库存及价格无直接影响。
ELEMENT 3–5公司推出新型ACCELERATOR 350K设备，实现单晶氮化铝衬底量产。该技术旨在降低LED、功率HEMT及电池层制造的总成本和能耗。
此为长期研发进展，对当前组件供应、价格及交易无直接影响。
法国半导体设备商Riber获得亚洲新客户数百万欧元MBE 49系统订单，计划2024年交付。该系统将用于生产基于III族氮化物材料的LED组件。
此为单一设备订单，反映特定客户扩产计划，对当前广泛的元件供应及交易价格无直接影响。
Crystal IS（Asahi Kasei子公司）量产首颗4英寸AlN衬底。此举展示了其生长AlN单晶的工艺可扩展性。
该事件为技术里程碑，暂无明确的供需影响。
HexaTech宣布通过增加人力和资本支出，加速其100mm氮化铝单晶衬底的产品开发计划。该公司自称是全球领先的PVT法氮化铝衬底商业供应商，该材料用于制造高功率和射频器件。
此为长期技术研发进展，对当前主流电子元件的交易供需无直接影响。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |