NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
密歇根大学AlN/GaN异质结2DEG密度破纪录
美国密歇根大学实验实现单通道AlN/GaN异质结2DEG面密度超1x10^14 cm^-2。该研究采用9nm氮化铝势垒层，旨在提升GaN HEMT器件的电子迁移率与性能。中性：此为远期材料研发突破，对当前功率及射频半导体供应链、库存及价格无直接影响。
GaN HEMTRF Power Transistor
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来源：Semiconductor Today · 2026/1/26 · 查看原始来源
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