NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
Imec展示200mm硅基GaN射频器件，瞄准5G-Advanced应用
比利时研究机构Imec在IEDM 2023上展示了基于200mm硅衬底的AlN/GaN MISHEMT，在28GHz下实现高输出功率与能效。该技术旨在为5G-Advanced基站和移动设备应用提供更具成本效益的GaN解决方案。中性：此为远期研发进展，对当前GaN射频元件供应链、库存及价格无直接影响。
GaN-on-Si RF Power Transistors
R&D5GGaN
来源：Semiconductor Today · 2023/12/13 · 查看原始来源
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